my504 2 28 марта, 2011 Опубликовано 28 марта, 2011 (изменено) · Жалоба Ну не до такой же степени... Длина проводника соединяющего затвор и драйвер, включая резистор МЛТ 0,125 - 12 мм. И земля такой же длины. Выходное сопротивление драйвера исчезающе мало. Диоды выходных транзисторов драйвера ограничивают напряжение на его выходе от -0,5 до +15,5. Причем очень шустро ограничивают. Ток защелкивания оного драйвера не менее 8 ампер (по даташиту на память). И даже если бы драйвер защелкнулся, то тем более затвору ничего не грозило бы. Питание драйвера дохлое (тоже от сети через балласт, но с блокировочной емкостью в 100 мкф под импульсный режим). Значит при защелкивании он автоматически обесточится. Транзисторы Суперфаст. Новее не придумать. Завтра заменю их на IXYS IXGH40N60C2D1 (только что принесли), а потом вернусь на прежний вариант. Иксисовские нужны в размагничивающее устройство (кстати работает уже в резонансном режиме с IR2109). Тоже с сетевым напряжением, но без подобных заморочек (серийное изделие). Изменено 28 марта, 2011 пользователем Марк_Я Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
Aner 4 28 марта, 2011 Опубликовано 28 марта, 2011 · Жалоба А с затвора на землю, у вас без резистора? Или забыли нарисовать? Как у вас заряд с затвора стекает? Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
AlexeyW 0 28 марта, 2011 Опубликовано 28 марта, 2011 · Жалоба Основной процесс - относительно медленный. Но в момент закрывания транзистора (а оно очень резкое - можно бы сопротивление в цепи затвора сильно увеличить и рассимметрировать) весь ток, шедший через транзистор, перебрасывается на диод. Выброс на транзисторе вполне может и превысить 600В, если индуктивность между транзистором и диодом достаточно велика. Второе - у IGBT внутри имеется конструктивная индуктивность эмиттера, около 8нГн, да плюс еще от вывода до точки подключения земли драйвера. При быстром закрывании внутренний эмиттер проваливается из-за большого dI/dT, причем провал может достигать десятков вольт, что достаточно для пробивания затвора. Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
asdf 0 28 марта, 2011 Опубликовано 28 марта, 2011 · Жалоба Выброс на транзисторе вполне может и превысить 600В, если индуктивность между транзистором и диодом достаточно велика. Я, думаю, дело не столько в индуктивности проводов, сколько в том, что применяемый диод очень медленный и не успевает открыться пока напряжение не превысит напряжение пробоя IGBT. Попробуйте поставить какой нибудь UltraFast и RC цепочку паралельно IGBT. Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
domowoj 0 29 марта, 2011 Опубликовано 29 марта, 2011 · Жалоба Дело в "медлительности" диода. Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
my504 2 29 марта, 2011 Опубликовано 29 марта, 2011 · Жалоба А с затвора на землю, у вас без резистора? Или забыли нарисовать? Как у вас заряд с затвора стекает? Забыл... и нарисовать и поставить. :( Причем не столько в затворе - там драйвер двухтактный и достаточно мощный, а на ВХОДЕ драйвера (выход контроллера). При сбросе контроллера его пин становится третьим состоянием. Как выяснил с утра на свежую голову, выход из строя происходит не во время работы, а в момент выключения-включения из сети. Причем когда это сделано достаточно быстро. Контроллер подвисает из-за плохого питания (BOR и WDT я неосмотрительно не включил - торопился делать макет), выходной пин остается в третьем состоянии, напряжение на нем произвольно нарастает и вся энергия конденсатора выделяется в активном состоянии ключа... Всем спасибо, в том числе и за незадействованные советы. Я перестраховался и поставил дублирующий диод параллельно КЭ, резистор в 1,5 кОм с затвора на эмиттер, резистор подтяжки к земле выхода контроллера-входа драйвера и переписал код МК. Пока все ОК. Еще раз всем огромное спасибо. Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
НЕХ 4 29 марта, 2011 Опубликовано 29 марта, 2011 (изменено) · Жалоба А чего ему станется, он 200-амперный в импульсе до 8 мс. никаких миллисекунд - только микросекунды ! подходящие тиристоры для этой задачи (не умирают от больших dI/dt) http://www.impsyst.ru/ "Strobe IGBT" для ламп-вспышек выпускаются на токи в сотни ампер в корпусах soic. а параллельно КЭ - поставьте трансил вольт на 400 и драйвер, не работующий меньше 15 вольт, например, HCPL3120/ (в приложениях, где важно быстрое включение (единицы наносекунд), IGBT уступают MOSFET из-за "динамического насыщения" - падение напряжения на ключе слишком велико поначалу...) Изменено 29 марта, 2011 пользователем НЕХ Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
AlexeyW 0 29 марта, 2011 Опубликовано 29 марта, 2011 · Жалоба Да, кстати - резистор в полома переставьте лучше на коллектор. Тогда к моменту закрывания почти весь ток будет уже идти через диод, а не весь переключаться. Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
my504 2 29 марта, 2011 Опубликовано 29 марта, 2011 · Жалоба никаких миллисекунд - только микросекунды ! Вы не поняли. Это речь шла о ДИОДЕ шунтирующем катушку на обратном ходе. 200 ампер допустимы через 1N5408 при длительности импульса не более 8 мс. Только об этом шла речь. Представленная схема срабатывает ОЧЕНЬ редко (скважность не менее 1000). Встроенный диод транзистора нормирован в даташите, но и его я продублировал ультрафастом. Выключение транзистора происходит ПОСЛЕ завершения процесса. Т.е. на нулевом токе коллектора. Сам транзистор тоже ультрафаст. Включается за 30...40 нс, выключается за 120 нс. Да, кстати - резистор в полома переставьте лучше на коллектор. Тогда к моменту закрывания почти весь ток будет уже идти через диод, а не весь переключаться. При выключении тока НЕТ. Весь вышел... :) Режим такой... Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
domowoj 0 29 марта, 2011 Опубликовано 29 марта, 2011 · Жалоба Встроенный диод транзистора нормирован в даташите, но и его я продублировал ультрафастом. Судя по названию, у транзистора нет встроенного обратного диода. Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
_Pasha 0 29 марта, 2011 Опубликовано 29 марта, 2011 · Жалоба Встроенный диод транзистора нормирован в даташите, но и его я продублировал ультрафастом. Выключение транзистора происходит ПОСЛЕ завершения процесса. Т.е. на нулевом токе коллектора. Сам транзистор тоже ультрафаст. Включается за 30...40 нс, выключается за 120 нс. Все-же, а почему стоит не ультрафаст-версия 5408. Не, я понимаю - там в пике 150А, но все же? Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
AlexeyW 0 29 марта, 2011 Опубликовано 29 марта, 2011 · Жалоба Все-же, а почему стоит не ультрафаст-версия 5408. Не, я понимаю - там в пике 150А, но все же? Есть большое подозрение, что скорость диода определяет только процессы закрывания, открывание же определяется только индуктивностью цепи. Утверждать не буду, но вроде это так. Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
_Pasha 0 29 марта, 2011 Опубликовано 29 марта, 2011 · Жалоба Есть большое подозрение, Ага, понял, спасибо. Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
Microwatt 2 29 марта, 2011 Опубликовано 29 марта, 2011 · Жалоба Вы не поняли. Это речь шла о ДИОДЕ шунтирующем катушку на обратном ходе. 200 ампер допустимы через 1N5408 при длительности импульса не более 8 мс. Только об этом шла речь. При выключении тока НЕТ. Весь вышел... :) Режим такой... Да поняли, поняли. Зачем тогда диод вообще, если он не работает? Там минимум UF5408 стоять должен, а не 50Гц диод. Точно в катушке ничего нет при выключении? Как-то со схемой плохо вяжется.... Источник - батарея конденсаторов? Вы в поостом симуляторе силовой контур прогоните.... Вполне может оказаться. что ток есть и немалый и напряжение тоже. Это же колебательный контур! Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
my504 2 30 марта, 2011 Опубликовано 30 марта, 2011 (изменено) · Жалоба Я случайно обозвал диод 1N, конечно там стоит UF, извините... Прикол в том, что ставлю FR307 или UF5408, а даташит в папке изделия лежит от 1N... Чего то я стал рассеяным... :( С диодом в IRG тоже вышла ошибочка - это мой косяк. :) Я их взял из имеющихся в наличии. Привык, что у IXYS стоит нормированный даташитом диод и просмотрел... Однако в схему его все одно заложил. Спасибо за своевременное предупреждение. Что касается контура, то я сначала просимулировал схему в Микрокапе, а уж потом смакетировал. Батареи конденсаторов там нет. Один электролит 56...100 мкФ 400 Вольт. Номинал индуктивности я написал - 0,5 мГн. Получается резонансная частота около 700...900 Гц. Т.е. полпериода максимум 700 мкс. А импульс отпирания транзистора - 2...2,5 мс Процесс однозначно закончится, поскольку контур шунтирован. Это и видно на осциллограмме тока в катушке. Нежелательные режимы возникают только при коммутациях сети с одновременным запуском схемы. Для этого и поставил шунтирующий транзистор диод. Изменено 30 марта, 2011 пользователем Марк_Я Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
