[крупный радиолюбитель 1]

di/dt различаются в тесте в 24 раза :rolleyes:

 

dIf/dt в три с половиной раза вроде. Но всё равно почти успокоили, спасибо.

Изменено 10 августа, 2016 пользователем thickman

[Limon678 0]

dIf/dt в три с половиной раза вроде. Но всё равно почти успокоили, спасибо.

Параметы QGS и QGD в SiC Mosfet тоже на порядок ниже по сравнению с обычными MOSFET,как железе они усточивы к ложному открытию?В ДШ Cree рекомендует отрицательное смещение гейта на -4в.

[Waso 1]

Доброго дня! Приходилось ли вам использовать новые силовые GaN мосфеты? Вот один из производителей заявляет о нулевом времени обратного восстановления, т.к. в структуре отсутствует p-n-переход, где у обычных кремниевых мосфетов образуется паразитный диод. Однако эффект диода при обратном смещении все-равно присутствует, но как я понял из описания, из-за открытия канала в обычном режиме, когда потенциал на затворе превышает потенциал на стоке на пороговую величину.