[rezident 0]

Делают ведь MOSFET, а не диод. Мне не верится, что их потом разбраковывают на партии, там же других параметров куча.

Почему не верится? Производитель ведь гарантирует, что лавинный пробой не произойдет до указанного напряжения, а не наоборот.

 

[Гость wwweider]

если ето стаблилитрон то каковы его характеристики?) U пробоя и ток)

если в моей схеме транзистор до 600вольт будет работать ключом а выше 600в стабилитроном то мне это было бы удобно)

[Microwatt 2]

если ето стаблилитрон то каковы его характеристики?) U пробоя и ток)

если в моей схеме транзистор до 600вольт будет работать ключом а выше 600в стабилитроном то мне это было бы удобно)

Нет, так оно работать не будет. Рассматривайте паразитный диод, как обычный диод с допустимым обратным напряжением 600В.

параметры этого диода достаточно хорошо расписаны в даташитах.

[Herz 5]

Нет, так оно работать не будет. Рассматривайте паразитный диод, как обычный диод с допустимым обратным напряжением 600В.

параметры этого диода достаточно хорошо расписаны в даташитах.

Будет, если ток пробоя не превысит максимально допустимый. Другое дело, стабилитрон из этого диода - так себе.

 

Почему не верится? Производитель ведь гарантирует, что лавинный пробой не произойдет до указанного напряжения, а не наоборот.

Конечно. Но разброс напряжения пробоя получается сравнительно небольшим для данного типа прибора, видимо как-то технологически. Я к тому, что как-то нелогично, если именно напряжение лавинного пробоя диода определяет максимальное рабочее напряжение транзистора. Ведь если делали IRFZ24 (VDSS = 55V), а напряжение пробоя вышло не менее 60В, то IRFZ34 всё равно не получится. :rolleyes:

[rezident 0]

Конечно. Но разброс напряжения пробоя получается сравнительно небольшим для данного типа прибора, видимо как-то технологически.

Дык при хорошо отлаженной технологии с исключением по максимуму "человеческого фактора" повторяемость весьма высокая получается.

Я к тому, что как-то нелогично, если именно напряжение лавинного пробоя диода определяет максимальное рабочее напряжение транзистора.

Почему нелогично? Например, у JFETов предельное напряжение определяется лавинным пробоем P-N перехода, который изолирует затвор. Вот первый попавшийся JFET со странички ON Semiconductor. Обратите внимание, что у него все предельные напряжения одинаковы и сравнимы с типовым напряжением пробоя затвор-исток для MOSFET. Напомню, что исток у MOSFET, соединен с подложкой кристалла, образуя этот самый "паразитный" диод.

[Herz 5]

Ну да, похоже, что так. Спасибо.

[Microwatt 2]

Будет, если ток пробоя не превысит максимально допустимый. Другое дело, стабилитрон из этого диода - так себе.

Берем пачку диодов, генератор тока на 1 мА и прогоняем на пробой. При номинале в 100вольт в нормальной пачке попадутся, в основном, 130-150 вольт. Некоторые и 250 вольт выдерживают. Диоды 1-4-амперные, от тока в 1 мА не разогреваются, контроль неразрушающий.

Вот и весь стабилитрон из простого диода. Назвать это стабилитроном можно условно.

Так и с транзистором. Уповать, что 400-вольтовый будет работать как стабилитрон на 400В не следует. Там от 400 до 600 попадутся, может и больше. Да и тепловой пробой наступит очень быстро, уже при незначительных токах.

[Herz 5]

В конце 90-х как-то выпустили партию, небольшую, DC/AC конвертеров 12В -> 220В 50Гц на IRFZ44N. В процессе макетирования однажды забыли запаять снабберную цепь и случайно выяснилось, что импульс самоиндукции очень чётко обрезается на уровне примерно 60В. Из интереса проверили десятки полевиков из разных партий и обнаружили эффект стабилитрона у боди-диода с удивительно повторяющимися параметрами. Затем уже и на других типах полевиков наблюдали тот же эффект. Конечно, пользоваться им не стали - вещь не регламентированная, да и приводит к лишнему нагреву кристалла, большему риску необратимого пробоя.

Кстати, в том преобразователе, в обращённом режиме (режиме зарядного устройства) успешно использовались боди-диоды в качестве выпрямительных. Максимальный зарядный ток составлял, правда, 10А всего.

[Microwatt 2]

В прямом направлении - да, успешно эти диоды используются, любой полумостовой преобразователь это использует.

И параметры их в этом режиме нормированы. А вот обратное напряжение... я бы не стал искушать судьбу. Не превышать!!

[xvr 12]

Из интереса проверили десятки полевиков из разных партий и обнаружили эффект стабилитрона у боди-диода с удивительно повторяющимися параметрами. Затем уже и на других типах полевиков наблюдали тот же эффект. Конечно, пользоваться им не стали - вещь не регламентированная, да и приводит к лишнему нагреву кристалла, большему риску необратимого пробоя.

У некоторых полевиков регламентирован (поиск по 'avalanche rated MOSFET' в google выдал более 25000 ссылок)

 

[demiurg_spb 0]

Дополнение. Стабилитроны на низкое напряжение (ниже 6В или 9В, точно уже не помню) работают на туннельном эффекте.

Дополнение 2:-). А стабилитроны на ещё меньшее напряжение называют - стабисторами.

http://ru.wikipedia.org/wiki/%D0%A1%D1%82%...%82%D0%BE%D1%80

[Herz 5]

Дополнение 2:-). А стабилитроны на ещё меньшее напряжение называют - стабисторами.

http://ru.wikipedia.org/wiki/%D0%A1%D1%82%...%82%D0%BE%D1%80

Ну, вообще-то, как Вы сами могли видеть по ссылке, стабисторы - не стабилитроны. Общего у них только способность стабилизировать напряжение.

[Гость wwweider]

в моей схеме мне ненужен стабилитрон по сути, просто пытаюсь прогнозировать что будет когда напряжение превысит 600или 800 вольт, если транзистор превратится в стабилитрон то не страшно.. лиж бы не сгорел.

 

вот моя схема контроля заряда батареи конденсаторов от непредсказуемого источника напряжения транс с высоким внутренним сопротивлением)

_______1.bmp

Изменено 6 сентября, 2010 пользователем wwweider

[Microwatt 2]

в моей схеме мне ненужен стабилитрон по сути, просто пытаюсь прогнозировать что будет когда напряжение превысит 600или 800 вольт,

Самый точный прогноз - сгорит. И даже при 600вольт - 90% сгорит. Потому, старайтесть не превышать 80% от предельно-допустимого. Т.е для 600-вольтового транзистора- 480 вольт.

[dinam 1]

В своё время сильно интересовался этим вопросом и сделал следующий вывод - бояться лавинного пробоя не следует. Главное не превышать параметры datasheet. Обычно нормируют ток пробоя и энергию пробоя. Ограничением насколько я понял является температура кристалла. Вот ради примера - ds на 2SK2498 там схема приведена для лавинного пробоя. И есть пара графиков в на эту тему.