Перейти к содержанию
    

Фабрика Silterra, Малайзия

Добрый день.

Посредством нашей компании есть возможность участия в MPW (Multi Project Wafer) по технологии 180 нм на Малазийской фабрике SilTerra. У нас есть все необходимые библиотеки и рулы. На выходе получается порядка 40 кристаллов максимальной площадью 5х5 мм. Если несколько проектов то можно порезать на отдельные кристаллы. Также имеется свой собственный ДЦ. Более детально в личку или на сайте SiLab LLC

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

Может вы ответите на такой вопрос по фабрике:

В процессе CL220H32 какое пробивное затвор-исток у 32-х вольтовых транзисторов?

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

Как с Вами связаться? В личку не получается написать

 

Добрый день.

Посредством нашей компании есть возможность участия в MPW (Multi Project Wafer) по технологии 180 нм на Малазийской фабрике SilTerra. У нас есть все необходимые библиотеки и рулы. На выходе получается порядка 40 кристаллов максимальной площадью 5х5 мм. Если несколько проектов то можно порезать на отдельные кристаллы. Также имеется свой собственный ДЦ. Более детально в личку или на сайте SiLab LLC

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

Как с Вами связаться? В личку не получается написать

Можно на почту pdv (at) silab.su

 

 

 

Может вы ответите на такой вопрос по фабрике:

В процессе CL220H32 какое пробивное затвор-исток у 32-х вольтовых транзисторов?

Мы не работаем с этим процессом. Но я постараюсь посмотреть если у нас такая информация

Изменено пользователем silab

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

А с 0.13 работаете? И есть ли готовый блок PLL? Если есть, то в каком виде и почем?

 

Спасибо.

 

Можно на почту pdv (at) silab.su

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

Может вы ответите на такой вопрос по фабрике:

В процессе CL220H32 какое пробивное затвор-исток у 32-х вольтовых транзисторов?

Относительно 220 нм пока нет данных но есть на такой же процес только 180 нм.

(Процесс CL180H32) Определено следующим образом: затвор, исток, подложка - все на землю, а на стоке измеряется напряжение пробоя

так вот для p-канального составляет 40в для n-канального 42в. Позжей уточню касательно 220 нм процесса

 

 

А с 0.13 работаете? И есть ли готовый блок PLL? Если есть, то в каком виде и почем?

 

Спасибо.

 

Теоретически работаем но пока ничего не запускали - досточно дорого. PLL есть. Уточните параметры

Изменено пользователем silab

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

Несколько выходов, диапазон выходных частот 50-500МГц, возможность управления делителями, возможность включения/выключения (lock), для 0.18.

 

Теоретически работаем но пока ничего не запускали - досточно дорого. PLL есть. Уточните параметры

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

Конкрентно такого нет. Есть верифицированный в кремние PLL умножителя частоты на 4 (с 27 до 108 MHz). Выход один. Постделителя нет. Однако есть универсальный широкодиапазооный VCO на базе которого можем сделать то, что Вам необходимо. Но он будет не верифицирован в кремнии. У Вас задача создания дерева клоков для цифры или какая то другая (аналоговая) задача?

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

Да, PLL нужна для цифры. Ориентировочно во сколько времени и денег обойдется такая разработка?

 

Конкрентно такого нет. Есть верифицированный в кремние PLL умножителя частоты на 4 (с 27 до 108 MHz). Выход один. Постделителя нет. Однако есть универсальный широкодиапазооный VCO на базе которого можем сделать то, что Вам необходимо. Но он будет не верифицирован в кремнии. У Вас задача создания дерева клоков для цифры или какая то другая (аналоговая) задача?

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

Относительно 220 нм пока нет данных но есть на такой же процес только 180 нм.

(Процесс CL180H32) Определено следующим образом: затвор, исток, подложка - все на землю, а на стоке измеряется напряжение пробоя

так вот для p-канального составляет 40в для n-канального 42в. Позжей уточню касательно 220 нм процесса

Это вы описали методику измерения пробивного напряжения сток-исток Vds breakdown, интересует же пробивное напряжение затвок-исток(фактически напряжение пробоя

подзатворного диэлектрика) Vgs breakdown.

Дело в том, что у многих фабрик напряжение Vgs много меньше Vds, что сильно ограничивает область применения технологии

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

Это вы описали методику измерения пробивного напряжения сток-исток Vds breakdown, интересует же пробивное напряжение затвок-исток(фактически напряжение пробоя

подзатворного диэлектрика) Vgs breakdown.

Дело в том, что у многих фабрик напряжение Vgs много меньше Vds, что сильно ограничивает область применения технологии

Дело в том что в Electrical Design Rules конкретно такого параметра нет. Я прикреплю Вам скриншоты из Electrical Design Rules. Посмотрите может что поможет

 

Да, PLL нужна для цифры. Ориентировочно во сколько времени и денег обойдется такая разработка?

Рано пока говорить о времени и о деньгах поскольку пока еще не точно понятно что нужно сделать и что передать.

По работе: Если я правильно понимаю Вам нужен фрактальный синтезатор (M/N) частоты в диапазоне от 50 до 500 М или Вам нужен умножитель частоты (например от кварца в 10 М умножаем на 50), а постделителем делаем нужную частоту? Т.е. PLL всегда работает на одной частоте или ее надо перестраивать.

По поводу разработки:

Работа может закончится симуляционным отчетом или результатом обкатки в кремнии?

Что Вам передается: все исходники схем или как "Black Box"

 

Для ориентировки только по обкатке в кремние (т.е. без разработки) - минимум 3-4 месяца и $30K на выходе 40 чипов (кристаллов) + анализ полученных результатов (измерения параметров полученных образцов - если разработка наша, иначе просто передаем Вам ваши образцы без тестирования если Разработка была выполнена третьими лицами)

post-53883-1259319668_thumb.jpg

post-53883-1259319679_thumb.jpg

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

Дело в том что в Electrical Design Rules конкретно такого параметра нет. Я прикреплю Вам скриншоты из Electrical Design Rules. Посмотрите может что поможет

Спасибо. Этого достаточно. Очень интересно. Будем иметь в ввиду.

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

Несколько выходов, диапазон выходных частот 50-500МГц, возможность управления делителями, возможность включения/выключения (lock), для 0.18.

 

Теоретически работаем но пока ничего не запускали - досточно дорого. PLL есть. Уточните параметры

AlexY,

цена участия в шаттле обсуждаема. Это максимальная сумма. Но если подгодать по времени к запуску еще с какой либо компанией, то цена будет резко уменьшаться. К тому же если будет вестись разработка есть вариант обкатать в кристалле за наш счет. Все надо обсуждать

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

UP+1

Теперь у нас доступна OTP энергонезависимая память на процессе C18G! www.silab.su

Изменено пользователем silab

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

Присоединяйтесь к обсуждению

Вы можете написать сейчас и зарегистрироваться позже. Если у вас есть аккаунт, авторизуйтесь, чтобы опубликовать от имени своего аккаунта.

Гость
К сожалению, ваш контент содержит запрещённые слова. Пожалуйста, отредактируйте контент, чтобы удалить выделенные ниже слова.
Ответить в этой теме...

×   Вставлено с форматированием.   Вставить как обычный текст

  Разрешено использовать не более 75 эмодзи.

×   Ваша ссылка была автоматически встроена.   Отображать как обычную ссылку

×   Ваш предыдущий контент был восстановлен.   Очистить редактор

×   Вы не можете вставлять изображения напрямую. Загружайте или вставляйте изображения по ссылке.

×
×
  • Создать...