brag 0 30 июня, 2009 Опубликовано 30 июня, 2009 · Жалоба у меня на входе постоянка, среднюю точку не получишь. хотелось бы сквозной. если не удастся сделать на трансе+дросселе, то мать его так, тот ноль. еще вопрос по датчику тока.. думаю влепить туда аллегру http://www.allegromicro.com/en/Products/Pa.../0756/index.asp смущает только ее низкое быстродействие. на шунте слишком много потерь да и помех даст на электронику не мало. токовый транс тоже не подходит, тк его нужо гонять туда-сюда. хочется иметь "нормальный датчик тока на стоке". Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
Methane 0 30 июня, 2009 Опубликовано 30 июня, 2009 · Жалоба в моделях транзисторов они учтены. Нет. В них не учтено то, что тот кусок провода, который соединяет верхний транзистор с нижним, тоже имеет индуктивность. К примеру. Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
brag 0 30 июня, 2009 Опубликовано 30 июня, 2009 · Жалоба и какая у него индуктивность? способна ли она устранить бросок тока в 200нс 40-50А? Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
Гость orthodox 30 июня, 2009 Опубликовано 30 июня, 2009 · Жалоба и какая у него индуктивность? способна ли она устранить бросок тока в 200нс 40-50А? Да бывает, в симуляторах помогает... Бросок бывает и артефактом... А даже минимальная индуктивность это дело немного к реальности приводит... Ну, от модели еще зависит, конечно...Сколько в ней допущений и упрощений... Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
Methane 0 30 июня, 2009 Опубликовано 30 июня, 2009 · Жалоба и какая у него индуктивность? способна ли она устранить бросок тока в 200нс 40-50А? У вас симулятор, вам и проверять. Я думаю что запросто. По крайней мере у меня, после того как я поздавал все паразиты, стало больше похоже на реальность. Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
brag 0 30 июня, 2009 Опубликовано 30 июня, 2009 · Жалоба спасибо! помучаю еще. сейчас пытаюсь смоделировать работу схемы. у igbt релаьного хвост есть. так что надо это тоже учитывать. вмозьму на запас несколько :) Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
Гость orthodox 1 июля, 2009 Опубликовано 1 июля, 2009 · Жалоба спасибо! помучаю еще. сейчас пытаюсь смоделировать работу схемы. у igbt релаьного хвост есть. так что надо это тоже учитывать. вмозьму на запас несколько :) Вроде бы хвост спадающий, так что если не было в открытом состоянии 50А , то и броску такой величины взяться неоткуда... Накачали его, к примеру, одним ампером, за мертвое время рассосалось пускай хоть половина, не всё ....Ну, с полампера и будет при переключении на противоположное плечо...Динамические потери немаленькие, но не с 50 же Ампер... Наверное, все же глюк симулятора... Есть схема с разделенным дросселем для подобных случаев, как бы две однотактных получается. Найти чего-то не могу , помню - была. Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
тау 31 1 июля, 2009 Опубликовано 1 июля, 2009 · Жалоба Вроде бы хвост спадающий, так что если не было в открытом состоянии 50А , то и броску такой величины взяться неоткуда... Накачали его, к примеру, одним ампером, за мертвое время рассосалось пускай хоть половина, не всё ....Ну, с полампера и будет при переключении на противоположное плечо...Динамические потери немаленькие, но не с 50 же Ампер... Представьте себе мощный биполяр со схемой управления такой , что запирающего тока базы нету, только отпирающий. Естественно у него будет большое время рассасывания. Накачиваем базу током , не рассасываем, и через 5 микросекунду пытаемся дернуть коллектор к противоположному питанию :) ток будет ну ооочень немаленький, хотя перед эти воде бы тока коллектора и не было (если нет нагрузкки или она очень мала). В описанных случаях первоначальный заряд "внутреннего" перехода б-э заряжается от паразитных и демпферных емкостей, и "ждет" когда ему дадут расосаться выходным рабочим током. А нормального рабочего тока то и нету , способного рассосать за оговоренное в даташите время. Наверное, все же глюк симулятора... увы, симуляторы иногда врут а иногда и нет :) Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
wim 6 1 июля, 2009 Опубликовано 1 июля, 2009 · Жалоба увы, симуляторы иногда врут а иногда и нет :) Просто спайс-модель pn-перехода не учитывает эффект рассасывания неосновных носителей. Хотя учесть можно, но это надо самому возиться. Я вот тут выкладывал буржуйскую статью и модельку к ней: http://electronix.ru/forum/index.php?showt...mp;#entry558960 Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
тау 31 1 июля, 2009 Опубликовано 1 июля, 2009 (изменено) · Жалоба Просто спайс-модель pn-перехода не учитывает эффект рассасывания неосновных носителей. Хотя учесть можно, но это надо самому возиться. Учитывает вообще-то. На рисунке для нижнего диода я изменил параметр TT модели стандартного диода с 4.3 до 8 nS. Результат виден (красный график - время TT меньше, синий - то что я изменил ) . В новых симуляторах (например SIMETRIX) есть как стандартная модель диода "D" , так и диода .model modelname SRDIO ( parameters ) "soft-recovery" , для которого имеется еще параметр "tau" - время жизни неосновных носителей. И рассасывание у транзисторов наблюдается тоже в симуляторах. Изменено 1 июля, 2009 пользователем тау Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
_Pasha 0 1 июля, 2009 Опубликовано 1 июля, 2009 · Жалоба Нет. В них не учтено то, что тот кусок провода, который соединяет верхний транзистор с нижним, тоже имеет индуктивность. К примеру. Пардон, что не вовремя. Поставьте 26 нГн как 2 индуктивности выводов Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
wim 6 1 июля, 2009 Опубликовано 1 июля, 2009 · Жалоба Учитывает вообще-то. На рисунке для нижнего диода я изменил параметр TT модели стандартного диода с 4.3 до 8 nS. Результат виден (красный график - время TT меньше, синий - то что я изменил ) . В новых симуляторах (например SIMETRIX) есть как стандартная модель диода "D" , так и диода .model modelname SRDIO ( parameters ) "soft-recovery" , для которого имеется еще параметр "tau" - время жизни неосновных носителей. И рассасывание у транзисторов наблюдается тоже в симуляторах. TT - это не то (время пролета носителей). Вот на картинке - типичная осциллограмма рассасывания носителей для супер-фаста SF26. Все это тянется аж 25 нс, а в модельке - какие-то пикосекунды. И даже у 1N4148 trr=4 нс. Как с новыми симуляторами не знаю, но классический спайс "не умеет" моделировать заряды, поэтому для Qrr нужно мастерить описательную модель. Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
Гость orthodox 1 июля, 2009 Опубликовано 1 июля, 2009 · Жалоба Представьте себе мощный биполяр со схемой управления такой , что запирающего тока базы нету, только отпирающий. Естественно у него будет большое время рассасывания. Накачиваем базу током , не рассасываем, и через 5 микросекунду пытаемся дернуть коллектор к противоположному питанию :) ток будет ну ооочень немаленький, хотя перед эти воде бы тока коллектора и не было (если нет нагрузкки или она очень мала). В описанных случаях первоначальный заряд "внутреннего" перехода б-э заряжается от паразитных и демпферных емкостей, и "ждет" когда ему дадут расосаться выходным рабочим током. А нормального рабочего тока то и нету , способного рассосать за оговоренное в даташите время. Это да. Однако кто ж в базу (для нашего случая) накачает тока более, чем нагрузочный деленный на коэффициент передачи... А тут получается именно так - накачали столько, что к примеру на выходе , в эмиттете, уже 1А и более не накачивают, выключили. А откуда взялся ток, обеспечивающий в эмиттере 50А - непонятно... Притом биполярный - не полевой, на базе вечно висеть заряд не станет, на переходе база-эмиттер тоже разряжается потихоньку... Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
тау 31 1 июля, 2009 Опубликовано 1 июля, 2009 · Жалоба .. Как с новыми симуляторами не знаю, но классический спайс "не умеет" моделировать заряды, поэтому для Qrr нужно мастерить описательную модель.А мне показалось что умеет, но несколько кривовато, не для soft- recovery http://www.mathworks.com/access/helpdesk/h...diodespice.html (вторая табличка от верха - заряд зависящий от ТТ) Да фиг с ними, с диодами, речь шла о рассасывании в транзисторах, оно ж моделируется. Синяя линяя - напряжение б-э, зеленая - генератор импульса , красная - коллектор Однако кто ж в базу (для нашего случая) накачает тока более, чем нагрузочный деленный на коэффициент передачи... А тут получается именно так - накачали столько, что к примеру на выходе , в эмиттете, уже 1А и более не накачивают, выключили. А откуда взялся ток, обеспечивающий в эмиттере 50А - непонятно... возможно , повышенный заряд в базе , связанный с падением коэффициента передачи тока при малых напряжениях. Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
brag 0 1 июля, 2009 Опубликовано 1 июля, 2009 · Жалоба Представьте себе мощный биполяр со схемой управления такой , что запирающего тока базы нету, только отпирающий. Естественно у него будет большое время рассасывания. Накачиваем базу током , не рассасываем, и через 5 микросекунду пытаемся дернуть коллектор к противоположному питанию :) ток будет ну ооочень немаленький, хотя перед эти воде бы тока коллектора и не было (если нет нагрузкки или она очень мала). В описанных случаях первоначальный заряд "внутреннего" перехода б-э заряжается от паразитных и демпферных емкостей, и "ждет" когда ему дадут расосаться выходным рабочим током. А нормального рабочего тока то и нету , способного рассосать за оговоренное в даташите время. увы, симуляторы иногда врут а иногда и нет :) Седня пробовал практически. действительно, если зарядить затвор, потом разрядить, при низком токе коллектора, затем увеличить ток на порядок (я коротил резистор полевиком), то скачек все же происходит. какой длительности - не скажу, нету запоминающего осцила. но судя по помехам ток не маленький и длительность тоже. в случае полевика такого явления не происходит. Пардон, что не вовремя. Поставьте 26 нГн как 2 индуктивности выводов помогает, только, если в реале такое будет происходить (будут накачиватся большим током проводники ПП), то помехи от схемы будут немаленькими. в периодом 30us, да по 2 качка в 100нс пусть даже 10А, это совсем не здорово. вообще, IGBT, я так понял, расчитаны на постоянную более-менее определенную нагрузку (типа тролейбуса :)) а здесь нагрузка может быть 100ма, а может и 22А :) пс. В какой проге можно совместить Verilog код со SPICE аналоговой частю? уж сильно геморно делать логику средней сложности на дискретных элементах.. в хелпе микрокапа не нашел А мне показалось что умеет, но несколько кривовато, не для soft- recovery http://www.mathworks.com/access/helpdesk/h...diodespice.html (вторая табличка от верха - заряд зависящий от ТТ) Да фиг с ними, с диодами, речь шла о рассасывании в транзисторах, оно ж моделируется. Синяя линяя - напряжение б-э, зеленая - генератор импульса , красная - коллектор возможно , повышенный заряд в базе , связанный с падением коэффициента передачи тока при малых напряжениях. мне тож показалось, что умеет. брал модели с сайта IRF Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
