Перейти к содержанию
    

Расчет структуры с плавающими кольцами в tcad

Здравствуйте!

 

Мне необходимо рассчитать структуру LDMOS-транзистора с плавающими Al- и Mo- кольцами (см. приложенный рисунок). Итого 7 молибденовых и 6 алюминиевых колец. Структура достаточно объёмная: 350 мкм на 460 мкм (2D), расчетная сетка, получаемая в MESH, содержит порядка сотни тысяч точек. Расчёт электрофизических характеристик провожу в DESSIS.

Проблема заключается в том, что решение DESSIS не сходится практически сразу после запуска, то есть напряжение доходит до сотых-тысячных долей вольта (а желательно рассчитать до 1500 В).

 

Был рассмотрен пример расчета плавающих областей из ExampleLibrary ("3.5.2 Breakdown simulation of diode with floating rings and

parameterized field plates"), попытался применить те же приёмы к своей структуре: обозначение каждого плавающего кольца в качестве контакта (Voltage=0, current=0 - в разделе Electrode DESSIS), наложение поверх всей структуры толстого слоя изолятора Insulator с относительной диэлектрической проницаемостью=1 (эмуляция воздуха), прикладывание напряжения не напрямую к стоку транзистора, а через резистор большого номинала (в руководстве exampleslibrary.pdf к этому данному примеру сказано, что такой подход увеличивает сходимость расчета). В общем, ничего не помогло.

Подскажите, пожалуйста, какую лучше назначить сетку в MESH для расчета в DESSIS (в каких местах её целесообразно сделать более точной), сталкивался ли кто-нибудь с расчетами плавающих областей (диффузионных/недиффузионных)? Возможно ли рассчитать в TCAD данной версии такую большую структуру (сужу относительно "родных" примеров)?

 

Заранее большое спасибо!

 

 

p.s. Работаю в ISE TCAD 10.0, FLOOPS-MESH-DESSIS, испытывал на Red Hat 3, Mandriva 08-09, OpenSUSE 11.1.

На картинке присутствуют два контакта (слева) - контакт к n+-истоку и p-подслою и 4 плавающих кольца (2 молибденовых и 2 алюминиевых). Через соответствующее число колец справа расположен контакт к стоку, к которому относительно истока (Vs=0) прикладывается напряжение (Vd=0-1500 В)

post-37540-1236255593_thumb.jpg

Изменено пользователем Анатолий_И3К

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

Да, считал плавающие диффузионные области, потенциал фиксировался сверху через Field Oxide, никаких проблем.

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

Анатолий,может вы просто не правильно конфигурируете исполняемый файл?..

Я тоже когда-то пытался считать подобные структуры...но там было всё намного легче..

 

ArizonaWeird,не могли бы вы,может,текст запускного скинуть?..

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

xabbal, я перепробовал кучу вариантов, видимо, я что-то принципиальное делаю не правильно. Например, простая структура сгенерирована и считается, стоит добавить в неё диффузионные области, возникают проблемы.

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

Анатолий, попробуйте ради интереса зафиксировать потенциалы плавающих охранных колец, хотя бы половины, как при этом будет вести себя DESSIS?..

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

Анатолий, как успехи?.. Хотел бы Вам предложить использовать вариант расчёта не FLOOPS - MESH - DESSIS, а DIOS - MDRAW - DESSIS.

У меня структуры получались именно в таких модулях.

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

Присоединяйтесь к обсуждению

Вы можете написать сейчас и зарегистрироваться позже. Если у вас есть аккаунт, авторизуйтесь, чтобы опубликовать от имени своего аккаунта.

Гость
Ответить в этой теме...

×   Вставлено с форматированием.   Вставить как обычный текст

  Разрешено использовать не более 75 эмодзи.

×   Ваша ссылка была автоматически встроена.   Отображать как обычную ссылку

×   Ваш предыдущий контент был восстановлен.   Очистить редактор

×   Вы не можете вставлять изображения напрямую. Загружайте или вставляйте изображения по ссылке.

×
×
  • Создать...