VadikT 0 23 февраля, 2009 Опубликовано 23 февраля, 2009 · Жалоба Доброго времени, господа. Извиняйте за несколько дилетантский вопрос. Дилемма о борьбе за рассеиваемые ватты в мощных диммерах... Возможно ли использовать HEXFET (при условии, что его затвор смещается от изолированного источника) как ключ, работающий на переменке? Ведь как будто физически нету разницы, в каком направлении течет ток через канал N или P типа… Известно, например, что есть оптореле, работающие на переменке, которые схематично изображаются в виде полевого транзистора с изолированным затвором, который смещается от светового потока (скорее всего, световой поток светит на фотодиод с резистором – а с него уже снимается напряжения для смещения затвора)... Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
rezident 0 23 февраля, 2009 Опубликовано 23 февраля, 2009 · Жалоба HEXFET это разновидность MOSFET. Для того чтобы MOSFET использовать на переменке его включают в диагональ диодного моста. Потому, что в проводящем состоянии ему конечно пофиг куда проводить при правильном смещении затвора, но вот когда он закрыт, то body diode мешаться начинает. В оптореле работающих на AC для устранения этой неприятности используют симметричное включение двух MOSFET (схема подключения A). Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
tremor 0 23 февраля, 2009 Опубликовано 23 февраля, 2009 · Жалоба Все бы ничего, да вот обратный диод портит идеалистическую картину. Приходиться включать два MOSFET'а последовательно-встречно или ставить один, но в диагональ диодного моста, еще как вариант последовательно включать диод. А так все отлично. Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
Burner 0 23 февраля, 2009 Опубликовано 23 февраля, 2009 · Жалоба Можно, просто дорого. Нормальный тиристор имеет прямое падения напряжения 1-1,5 В. Соотв. полевик(хотя бы на 400 В) при падении напряжения меньше, чем на симисторе, получается довольно дорогой. Возьмем, напр., пару IRF740, включенных встречно-последовательно(иначе имхо нельзя и нет смысла). Один имеет ок. 0,6 Ом, пара - 1,2 Ом. При падении 0,6 В ток - 0,5 А. А стоят они в розницу центов по 70. Имеем за 1,4 бакса ключ на 0,5 А. Больше ток - пропорционально выше цена. Надо? Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
Гость orthodox 23 февраля, 2009 Опубликовано 23 февраля, 2009 · Жалоба На низких-то напряжениях решение с двумя мосфетами - оптимальное выходит... Я делал 12V 10А двухканальный, на 50 гц - так 2804 просто без радиаторов на плате стояли...чуть теплые...что им 10А... А попробовал бы диоды или другое чего туда вставить - сразу радиаторы... Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
VadikT 0 26 февраля, 2009 Опубликовано 26 февраля, 2009 · Жалоба Можно, просто дорого. Нормальный тиристор имеет прямое падения напряжения 1-1,5 В. Соотв. полевик(хотя бы на 400 В) при падении напряжения меньше, чем на симисторе, получается довольно дорогой. Возьмем, напр., пару IRF740, включенных встречно-последовательно(иначе имхо нельзя и нет смысла). Один имеет ок. 0,6 Ом, пара - 1,2 Ом. При падении 0,6 В ток - 0,5 А. А стоят они в розницу центов по 70. Имеем за 1,4 бакса ключ на 0,5 А. Больше ток - пропорционально выше цена. Надо? И все бы хорошо - да в стандарт по потребляемым гармоникам уже не вписаться, например, на мощности 2.5 КВт даже с 10-ти килограммовым дросселем при ФИМ-димминге... Сейчас, например, можно найти HEXFET на 500 вольт и каналом на 0.25 Ома.. Объединим 2 таких последовательно - получим 0.5 Ома. Цена - около 100 рублей за транзистор. Плюс на 100 с лишним потянет изолированный драйвер MOSFET на 2 канала. А если на трансике делать управление - возможно, и дешевле. Но за это мы получаем возможность димминга с ШИМ хоть на 100 КГц, ибо, как известно, нету более быстрых ключей, чем MOSFET. А отсюда и явное преимущество стоимости и размеров дросселя для сглаживания и вписывания во все стандарты ЭМС... Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
sera_os 0 26 февраля, 2009 Опубликовано 26 февраля, 2009 · Жалоба Дик, регулирование можно делать не ШИМ и не фазовое, а с пропуском периодов (на симисторе), для уменьшения помех. Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
VadikT 0 26 февраля, 2009 Опубликовано 26 февраля, 2009 · Жалоба Дик, регулирование можно делать не ШИМ и не фазовое, а с пропуском периодов (на симисторе), для уменьшения помех. Можно. Но на бытовой технике это вызывает неприятное мерцание или мигание света из-за падения напряжения на проводке... (Особенно неприятно для глаза воспринемается мерцание на люменисцентных лампах.) Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
тау 31 26 февраля, 2009 Опубликовано 26 февраля, 2009 · Жалоба Сейчас, например, можно найти HEXFET на 500 вольт и каналом на 0.25 Ома.. Объединим 2 таких последовательно - получим 0.5 Ома. Цена - около 100 рублей за транзистор. Плюс на 100 с лишним потянет изолированный драйвер MOSFET на 2 канала. А если на трансике делать управление - возможно, и дешевле. IXFH30N50 в терраэлектронике по 44 рэ поштучно . 0,16Ома . Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
VadikT 0 26 февраля, 2009 Опубликовано 26 февраля, 2009 · Жалоба IXFH30N50 в терраэлектронике по 44 рэ поштучно . 0,16Ома . Круто. Спасибо. Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
Burner 0 26 февраля, 2009 Опубликовано 26 февраля, 2009 · Жалоба "димминга с ШИМ хоть на 100 КГц" - Вы что, собрались делать понижающий преобразователь на паеременных 220В?Так там положено два плеча(напр., верхний транзистор-нижний диод). Ток-то в дросселе непрерывный. Просто поцепив ключ в разрыв сети, да еще с индуктивностью, получишь только пробой этого самого ключа при попытке его закрыть. Там получается - надо ставить 4 транзистора, и на киловатты дешевле IGBT. На выходе - дроссель. Общие потери 3-5% Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
VadikT 0 26 февраля, 2009 Опубликовано 26 февраля, 2009 · Жалоба "димминга с ШИМ хоть на 100 КГц" - Вы что, собрались делать понижающий преобразователь на паеременных 220В?Так там положено два плеча(напр., верхний транзистор-нижний диод). Ток-то в дросселе непрерывный. Просто поцепив ключ в разрыв сети, да еще с индуктивностью, получишь только пробой этого самого ключа при попытке его закрыть. Там получается - надо ставить 4 транзистора, и на киловатты дешевле IGBT. На выходе - дроссель. Общие потери 3-5% Ну, в принципе, в данном случае ток дросселя при размыкании ключа может замыкать RC-цепь, установленная параллельно ключу (подобно параллельному диоду, который используется на постоянке для замыкания тока катушки при размыкании ключа). (Конечно же, цепь надо грамотно рассчитать по импедансу и по R.) Что думаете об этом? Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
Burner 0 27 февраля, 2009 Опубликовано 27 февраля, 2009 · Жалоба "Что думаете об этом?" - шо-то не то. Если грамотно рассчитать такую цепь на десятки кГц, она сожрет процентов 30-70 вх. мощности. Как вообще Вы ставите задачу? Давать ВЧ импульсы в нагрузку(и какая нагрузка предполагается?)? Или просто пропорционально понижать переменное синус напряжение? Мутно все это как-то. Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
VadikT 0 27 февраля, 2009 Опубликовано 27 февраля, 2009 · Жалоба "Что думаете об этом?" - шо-то не то. Если грамотно рассчитать такую цепь на десятки кГц, она сожрет процентов 30-70 вх. мощности. Как вообще Вы ставите задачу? Давать ВЧ импульсы в нагрузку(и какая нагрузка предполагается?)? Или просто пропорционально понижать переменное синус напряжение? Мутно все это как-то. Нагрузка активная - ТЭН на 2.5 КВт. Вы, пожалуй, правы насчет RC-цепи. На входе предполагалась сетевая синусоида ~200V, которая прерывается с помощью ключа на высокой частоте с возможностью ШИМ, питая нагрузку.. По идее-то можно и импульсами такую нагрузку питать. Ну поставить емкость фильтрующую параллельно нагрузке.. Но тогда сетевой ток будет с резкими импульсными спадами.. 2 стандарта нужно железно соблюсти - стандарт по потребляемым гармоникам сетвого тока, который регламентирует лимиты на первые 40 гармоник, и стандарт по АЧХ излучаемого спектра электромагнитных помех. Вероятнее всего, что когда ток сети с амплитудой в 11А будет прерываться с помощью быстрого ключа на HEXFET, со вторым стандартом будут проблемы. Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
rezident 0 27 февраля, 2009 Опубликовано 27 февраля, 2009 · Жалоба Нагрузка активная - ТЭН на 2.5 КВт.Алгоритм Брезенхема с коммутацией в нуле никак не поможет вашему стремлению уменьшить помехи? Или ваш ТЭН сам-по-себе нагреватель, без ОС и не в системе регулировки/стабилизации температуры? Микроэлектронные проекты. Леонид Иванович Ридико. Два микроконтроллерных регулятора мощности Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться