[hatman 0]

прикрепил архив с файлами разводки и схемой

подробности в readme.txt

test.rar

[hatman 0]

Принял решение развести вручную. сижу разбираюсь. попутно возникли вопросы:

1. можно поменять местами BA0, BA1 ?

2. Можно поменять местами байты данных(биты каждого байта в пределах байта!) при этом поменять DQML, DQMH ?

3. Как допустимо мешать адреса? пуст с привязкой к моей сдрам. Инициализация должна быть корректной!

4. если с данными и адресами трассы короткие, а управляющие не совсем, надо ли дополнительно к управляющим ставить RC-звенья? если да, то какая топология(вблизи чего, что и как) ?

5. из внутренней плоскости питания вырезать площадку под фином на vddint(1,2v)?

Остальное вокруг на vddext(3,3v)?

Вторую плоскость земли(gnd) надо также резать или оставить сплошной?

 

пришел к выводу,что сдрам надо расположить за фином- вертикально- адресами кверху, данные внизу. При таком размещении данные и адреса короткие(младший байт -биты перемешаны).

а вот с управлением не слишком коротко.

 

склонен к выводу CLKOUT чернофина поставить RC- 33 Ом и 5пф на землю, от резистора к сдрам.

 

vik0, помогите плиз!

[hatman 0]

покумекав, нашёл ещё более ИМХО оптимальное расположение. На этот раз CKE и CLKOUT короткие.

 

pcb-файл для PCAD и Protel прикрепил.

 

Для тех кто не может посмотреть pcb, выкладываю рисунок (первый).

 

соединения такие:

 

биты D8-D15 SDRAM => биты D7-D0 BlackFin (биты наоборот, старший байт на младший)

биты D0- D7 SDRAM => биты D8-D15 BlackFin (младший байт на старший)

 

полагаю что при этом нужно:

 

DQML (SDRAM) на ABE1 (BF) и

DQMH (SDRAM) на ABE0 (BF)

 

Ещё очень хочется (но наверное неможется... ;) ) адреса A0-A3 перекрутить наоборот A3-A0

но боюсь что нельзя.

 

Структура регистра управления SDRAM на втором рисунке.

 

 

P.S. ауууу... есть кто живой???

P.P.S. извините за спонтанность рассуждений - анализирую и пишу в процессе ;)

pcbs.rar

[evg123 0]

...В крайнем случае, не поленитесь написать толковые правила для specctr-ы...

Может быть немного не по теме. Я раньше разводил Spectr-ой от Оркада 10.5. Когда перешёл на PADS, понял, что последний -- значительно лучше. По поводу DataSheet-а на микроновскую SDRAM - где-то здесь на форуме был выложен его перевод на русский язык. Очень удобно и быстро для понимания. Если не найдёте, то могу выложить.

[hatman 0]

Выложите плиз!

 

при разводке обвеса(неприятно торчащие пулл-апы, блокировочные кондёры) пришёл к выводу об использовании рядов 0402, 0603.

что скажете об использовании кондёров X5R:

0805 10uF, 22uF, 4.7uF в качестве блокировочных?

а также 0402 X5R на 0.1uF ?

Обязан ли я к каждому пину питания вешать кондёр?

 

не совсем понял с островком питания vddint во внутреней плоскости. если сдрам сзади под фином, трассы ведь могут сверху идти- под ними плоскость питания порвётся ведь(разрыв между островком и остальной окружающейся частью)! реально ли в 4х слоях?

пятый слой(vddint) так и напрашивается:)

[vik0 0]

Значит так. По порядку :)

 

1. можно поменять местами BA0, BA1 ?

2. Можно поменять местами байты данных(биты каждого байта в пределах байта!) при этом поменять DQML, DQMH ?

Можно и можно.

3. Как допустимо мешать адреса?

Лучше всего - никак.

RC-звенья? если да, то какая топология(вблизи чего, что и как) ?

Если трассы длинные (> 5 см). Не RC, а просто последовательный резистор. Возле источника сигнала.

5. из внутренней плоскости питания вырезать площадку под фином на vddint(1,2v)?

Остальное вокруг на vddext(3,3v)?

Да

Вторую плоскость земли(gnd) надо также резать или оставить сплошной?

Оставить сплошной.

полагаю что при этом нужно:

DQML (SDRAM) на ABE1 (BF) и

DQMH (SDRAM) на ABE0 (BF)

Правильно.

 

что скажете об использовании кондёров X5R:

0805 10uF, 22uF, 4.7uF в качестве блокировочных?

а также 0402 X5R на 0.1uF ?

Лучше смесь из 0402 на 100 и 10 нФ.

пятый слой(vddint) так и напрашивается:)

Расточительство :)

 

Если получится (ничего не обещаю!), попробую к вечеру прикинуть вам пример разводки.

[hatman 0]

развёл вручную за пол-дня SDRAM+BF.

результаты на рисунках ниже.

 

цепь CLKOUT выделена синим (на top слое), красным (на bottom слое), белым (на обеих слоях)

 

было свопнуты следующие цепи:

 

SDRAM => BF :

 

d15 => d0

d14 => d1

d13 => d2

d12 => d3

d11 => d4

d10 => d5

d9 => d6

d8 => d7

 

d0 => d11

d1 => d10

d2 => d9

d3 => d8

d4 => d12

d5 => d13

d6 => d14

d7 => d15

 

тоесть биты в пределах байта и байты поменялись местами.

 

это повлекло за собой:

 

DQMH => DQML

DQML => DQMH

 

Дополнительно поменял местами биты банков:

 

A18(BA0) => A19

A19(BA1) => A18

 

На рисунках U1 - 74LCX16245 (прицеплен к D0-D15), U3 - SDRAM (прицеплена напрямую к фину НЕ ЧЕРЕЗ БУФЕР!!!), U4 - BlackFin

 

-----------

 

а теперь вопросы:

 

1) Корректно ли такое соединение (всё-таки настораживает специфика работы SDRAM, в частности не помешают ли подобные "извраты": автоинкременту адреса(счётчик внутри SDRAM), инициализации и пр.)?

 

2) vik0, не совсем понял про конденсаторы развязки... вы посоветовали ряд 0402 10нФ+0.1мкФ керамические вместе. Это на каждый пин SDRAM, Vddext,VddInt? Или достаточно только одного какого-нибудь? А большую ёкость одну надо ставить - типа тантал/керамика 10 мкФ (хотя хочу поставить по 47 мкФ в районе Vdd и VddQ у SDRAM и по 10 мкФ на VddInt, VddExt).

 

Слишком пало места осталось для развязывающих элементов :(

 

3) Полагаю, что вышеприведённая разводка довольно компактна, дороги едва превышают 4 см, тоесть запаздыванием сигналов на 133МГц мы можем пренебречь?. Будет работать???

 

4)Можно ссылку, плиз, на:

 

- русский даташит с SDRAM

- ссылку на хвалёный здесь автороутер PADS (который лучше спекктры)

 

в общем покритикуйте и посоветуйте... :)

[_pv 79]

было свопнуты следующие цепи:

...

Слишком пало места осталось для развязывающих элементов.

а теперь вопросы:

зачем надо было всё так перемешивать?

оно и так вроде бы нормально разводится. и под конденсаторы места хватает даже для 0805.

плата на рисунке на 100Мгц вполне нормально работает, на 133х не проверял.

а вообще, дабы не изобретать очередной раз велосипед, для начала неплохо бы посмотреть как человечество этот вопрос решало ранее.

например http://blackfin.uclinux.org , там есть и схемы и платы.

а особенно http://blackfin.uclinux.org/gf/project/bf1/frs/ там bf532 вообще на двухслойке сделан.

 

1) вроде бы должно работать, но, как говориться, заодно и проверишь :)

2) хоть я и не vik0, но отвечу, да, на каждый пин по конденсатору максимально близко к пину, и различных номиналов.

3) длина волны по плате на 133Мгц - полтора метра. 5 см = 1/30L, 250псек - некритично.

4) "И - боже вас сохрани - не читайте до обеда советских газет переведённых даташитов." (с)

[vik0 0]

развёл вручную за пол-дня SDRAM+BF.

Вот видите. А то сразу "нереально" :)

1) Корректно ли такое соединение...

Абсолютно.

...про конденсаторы развязки...

...вам уже ответил _pv. От себя добавлю что чем меньше физические размеры конденсаторов - тем лучше.

...запаздыванием сигналов на 133МГц мы можем пренебречь?. Будет работать???

Да и да.

- русский даташит с SDRAM

- ссылку на хвалёный здесь автороутер PADS (который лучше спекктры)

- "И - боже вас сохрани - не читайте до обеда советских газет переведённых даташитов." (с)

- PADS. Правда это не столько автороутер, а законченная система проектирования ПП.

[hatman 0]

Спасибо всем ответившим! остался неразрешённым вопрос о разделении плоскости питания в районе блекфина.

если вырезать квадрат под ним, то как питать sdram тремя вольтами- там же будет 1.2в.

ну и петлевые антенны напрашиваются- на топ-слое д0-д15 идущие от фина к буферу - под ними ведь будет щель в плоскости питания(граница раздела двух питаний-1.2 , 3.3в)

 

хочу в Электроконнекте заказывать плату. на их сайте про переходные отверстия сказано:

наименьшее метализированое 0.25 мм,а в скобках 6:1- что это значит?

а поясок мин. 0.12мм

каковы минимальные внутр. и внешн. диаметры?

 

помогите,плиз!

[hatman 0]

Не стал выделять прямоугольник на VddInt внутри плоскости питания по следующим причинам:

 

1) на bottom слое под фином расположена SDRAM, которая питается VddExt=3.3V

 

2) нарушается сплошная земля под top-слоем для сигнальных трасс, идущих к буферу (из-за разделительной линии между VddInt,VddExt в плоскости питания)

 

Поэтому решено было сделать внутри плоскости питания жирную C-образную площадку,

наподобие того как реализовано в теме "ADSP-BF532. Будет ли жить на двуслойке":

 

http://electronix.ru/forum/index.php?act=A...st&id=13495

 

Таким образом, условие 1) соблюдается - на bottom слое легко запитать 3.3V SDRAM

 

Условие 2) решается путём корректного в данном случае расположения слоёв (сверху вниз):

 

Top (BlackFin, Buffer)

 

Plane GND (сплошная) - таким образом сплошная земля для трасс фина, SDRAM и буфера обеспечена

 

Plane Power (C-образная площадка для VddInt, остальное на VddExt - под фином и вне фина) - границы С-образной площадки не пересекают область,

ниже которой на Bottom слое проходят трассы SDRAM+BlackFin

 

Bottom (SDRAM)

 

Рисунки илюстрирующие написанное, ниже.

 

Прокомментируйте плиз, верным ли путём иду?

 

ЗЫ: осталось подключить развязывающие конденсаторы.

[evg123 0]

Выкладываю (качество перевода очень хорошее). Переведено, собственно, только самое главное.

SDRAM_rus.ZIP

[hatman 0]

Выкладываю (качество перевода очень хорошее). Переведено, собственно, только самое главное.

 

благодарю :)

 

буду рад если кто-нибудь ответин на последние посты с вопросами vddint и по переходным отверстиям(via)

[rvk 0]

Не стал выделять прямоугольник на VddInt внутри плоскости питания по следующим причинам:

1) на bottom слое под фином расположена SDRAM, которая питается VddExt=3.3V

2) нарушается сплошная земля под top-слоем для сигнальных трасс, идущих к буферу (из-за разделительной линии между VddInt,VddExt в плоскости питания)

....

 

Прокомментируйте плиз, верным ли путём иду?

 

ЗЫ: осталось подключить развязывающие конденсаторы.

Верным, но не совсем. Вы решили все проблемы с SDRAM, но фактически окружили весь чип процессора разрезанным полигоном.

Как остальные сигналы поведете, через разрез?

Процессор ведь тоже с другими компонентами на плате общается не на одном мегагерце.

И на мой взгляд блокировочные конденсаторы надо было сразу поставить.

Т.к. их рекомендуется размещать как можно ближе к выводам питания чипа,

начнете устанавливать, придется все остальное двигать.

 

Спасибо всем ответившим! остался неразрешённым вопрос о разделении плоскости питания в районе блекфина.

если вырезать квадрат под ним, то как питать sdram тремя вольтами- там же будет 1.2в.

ну и петлевые антенны напрашиваются- на топ-слое д0-д15 идущие от фина к буферу - под ними ведь будет щель в плоскости питания(граница раздела двух питаний-1.2 , 3.3в)

 

хочу в Электроконнекте заказывать плату. на их сайте про переходные отверстия сказано:

наименьшее метализированое 0.25 мм,а в скобках 6:1- что это значит?

а поясок мин. 0.12мм

каковы минимальные внутр. и внешн. диаметры?

 

Про петлевые антенны ответил выше, нельзя шины вести через разрез питания. Режьте само питание:)

6:1 не знаю, они пишут что это обозначение их процесса

Поясок 0.12 означает, что отверстие будет 0.25, а площадка 0.5 (0.25+0.12*2), внутренний диаметр 0.25, внешний 0.5.

Думаю они 0.12 округлили с 0.125, но производителя тоже не стоит в угол загонять.

Изменено 9 января, 2009 пользователем rvk

[evg123 0]

Очень ценные руководства по разводке сложных и высокоскоростных плат это две книги Говарда Джонсона "Конструирование высокоскоростных цифровых устройств" и "Высокоскоростная передача данных". Там написано буквально всё: как лепить развязывающие конденсаторы, как планировать слои, как разводить дифф. пары (чтобы не было этих самых петлевых антенн), как моделировать, как разводить тактовую синхронизацию, как оценить перекрестные помехи, как развести гигабитный эзернет и ещё море всякой ценной информации. Книги имеются в интернете совершенно доступно и написаны очень простым языком.