_Pasha 0 8 апреля, 2008 Опубликовано 8 апреля, 2008 · Жалоба Если на будущее вы все таки будете проводить изменения. то от себя могу порекомендовать немного увеличить время открытия транзисторов, тогда фронты станут более пологими и уменьшается импульс образованный делителем Ссз и Сзи. В догонку: Приоткрою завесу тайны :) Rg = 36R0(1%) IRG4PH30KD Rg = 18R0(1%) IRG4PH40KD Отсматривал напряжения на затворах при разных нагрузках, правда, напряжения DC-звена были гуманные (100-150В). Импульс образованный делителем Ссз и Сзи давился надежно. Далее, отсматривал затворы нижних транзюков, при повышении напряжения до 300 В - давится. Вот эти номиналы и являются компромиссными. Ессно, с учетом топологии. На других платах - надо проверять. Это было 3 года назад. Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
