Alexeyka 0 12 марта, 2008 Опубликовано 12 марта, 2008 · Жалоба Коллеги! Фирма Silicon Labs анонсировала новую серию микроконтроллеров C8051F9xx. Микроконтроллер оптимизирован для использования в батарейных приложениях - 170 мкA/МГц (на максимальной частоте), нижний порог питания 0.9В. Вопрос для обсуждения: Микросхема запускается от внутреннего высокочастотного генератора 20МГц с делителем /8. Итого, при включении питания кристалл начинает молотить на частоте 2.5 МГц. Собственно вопрос: имеет ли смысл модифицировать кристалл таким образом, чтобы он запускался от низкочастотного генератора, а затем, при необходимости, можно было программно разрешить высокочастотный генератор и тактироваться от него. Принимаются ответы: да/нет, аргументы. Более конкретно можно поставить вопрос по-другому: в каких конкретных задачах может потребоваться переключение кристалла в режим сна сразу же после его включения, а уж затем (по событию) разбудить его и молотить на большой частоте. Подоплека вопроса: сейчас Silicon Labs принимает аргументы в пользу усовершенствования кристалла, дабы более плотно вписаться с батарейные приложения. Можем помочь сами себе. Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
SIA 0 13 марта, 2008 Опубликовано 13 марта, 2008 · Жалоба Коллеги! Фирма Silicon Labs анонсировала новую серию микроконтроллеров C8051F9xx. Микроконтроллер оптимизирован для использования в батарейных приложениях - 170 мкA/МГц (на максимальной частоте), нижний порог питания 0.9В. Вопрос для обсуждения: Микросхема запускается от внутреннего высокочастотного генератора 20МГц с делителем /8. Итого, при включении питания кристалл начинает молотить на частоте 2.5 МГц. Собственно вопрос: имеет ли смысл модифицировать кристалл таким образом, чтобы он запускался от низкочастотного генератора, а затем, при необходимости, можно было программно разрешить высокочастотный генератор и тактироваться от него. Принимаются ответы: да/нет, аргументы. Более конкретно можно поставить вопрос по-другому: в каких конкретных задачах может потребоваться переключение кристалла в режим сна сразу же после его включения, а уж затем (по событию) разбудить его и молотить на большой частоте. Подоплека вопроса: сейчас Silicon Labs принимает аргументы в пользу усовершенствования кристалла, дабы более плотно вписаться с батарейные приложения. Можем помочь сами себе. Предложение осмысленное (да). Более подробно - надо думать. Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
0608 0 14 марта, 2008 Опубликовано 14 марта, 2008 · Жалоба Вопрос для обсуждения: Микросхема запускается от внутреннего высокочастотного генератора 20МГц с делителем /8. Итого, при включении питания кристалл начинает молотить на частоте 2.5 МГц. Собственно вопрос: имеет ли смысл модифицировать кристалл таким образом, чтобы он запускался от низкочастотного генератора, а затем, при необходимости, можно было программно разрешить высокочастотный генератор и тактироваться от него. Спасибо за ссылку. Смену частоты SYSCLK использовали в пульте дистанционного управления ТВ-камерой. Переход на внешний генератор можно сделать и по существующей схеме, много времени и энергии это не заберет, зачем усложнять. Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
vik_ck 0 14 марта, 2008 Опубликовано 14 марта, 2008 · Жалоба Если бы добавили возможность зарядки Акк. не отключая его от проц. или возможность отключения Vbat (замена Акк.) при наличии пит. на Vdd/DC+ P.S. На Vdd/DC+ нельзя подавать внешнее питание ? или можно ? Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
MCU_Hunter 0 15 марта, 2008 Опубликовано 15 марта, 2008 · Жалоба Всем привет! Вообще то по микроконтроллерам SiLabs существует специальный форум, регулярно просматриваемый производителем http://silabs.ru/forum/index.php , так что лучше такие вопросы обсуждать там, а не здесь! Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
Alexeyka 0 19 марта, 2008 Опубликовано 19 марта, 2008 (изменено) · Жалоба Если бы добавили возможность зарядки Акк. не отключая его от проц. спасибо, передано или возможность отключения Vbat (замена Акк.) при наличии пит. на Vdd/DC+ спасибо, сейчас обсуждаем этот вопрос. Сложность такая: если реализована схема с основным питанием на Vdd/DC+ и резервным источником на Vbat, то отключать резервный источник при наличии питания на Vdd/DC+ нельзя - может накрыться внутренний DC/DC. Кстати, основной источник на Vdd/DC+ нужно подключать через диод, иначе при выключении основного питания могут возникнуть утечки. P.S. На Vdd/DC+ нельзя подавать внешнее питание ? или можно ? Можно, это штатный режим работы в режиме 2 батареи. Нужно соединить VBAT с Vdd/DC+ и не забыть запретить DC-DC (вывод DCEN - на землю) Если же вопрос с подоплёкой к предыдущему вопросу, тогда резервный источник подключается на VBAT, DCEN - по схеме в ДШ, основной источник - на Vdd/DC+. И опять же не забыть про упомянутую проблему. Возможно SiLabs предложит решение, тогда опубликую здесь. -- Алексей Переход на внешний генератор можно сделать и по существующей схеме, много времени и энергии это не заберет, зачем усложнять. Спасибо. лучше такие вопросы обсуждать там, а не здесь! Не могу согласиться, так как вопрос скорее не о SiLabs, а о широком круге конкретных задач присутствующих на форуме специалистов. Изменено 19 марта, 2008 пользователем Alexey-ka Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
Alexeyka 0 19 марта, 2008 Опубликовано 19 марта, 2008 (изменено) · Жалоба Коллеги! В части выгодности микроконтроллера с напряжением питания 0.9В в системах с резервным питанием (как предложено уважаемым(-ой) GALA), насколько будет выгодно применение ионистора? Какие за и против? Насколько применим этот вариант в Ваших задачах? Пока вижу такие "За": 1. для продолжительной работы микроконтроллера достаточно одного ионистора на 2.5В; 2. нижний порог 0.9В находится в пределах рабочего напряжения такого ионистора; 3. чем ниже напряжение на ионисторе, тем больше его срок службы (технологическое свойство ионистора); 4. чем ниже напряжение на ионисторе, тем ниже его токи утечки / саморазряд (технологическое свойство ионистора). Плюсы одного элемента, относительно блока из двух элементов, соединенных последовательно: 1. стоимость??? различна ли? 2. компактность; 3. внутреннее сопротивление одного источника ниже, чем двух, соединенных последовательно; 4. нет проблемы неравномерности распределения нагрузки вследствие неодинаковости разных экземпляров ионисторов (как итог - перенапряжения отдельных элементов, возникающих без дополнительной шунтировки элементов в батарее либо повышенных токов утечки из-за шунтов). Алексей Изменено 19 марта, 2008 пользователем Alexey-ka Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
SIA 0 19 марта, 2008 Опубликовано 19 марта, 2008 · Жалоба Коллеги! В части выгодности микроконтроллера с напряжением питания 0.9В в системах с резервным питанием (как предложено уважаемым(-ой) GALA), насколько будет выгодно применение ионистора? Какие за и против? Насколько применим этот вариант в Ваших задачах? Пока вижу такие "За": 1. для продолжительной работы микроконтроллера достаточно одного ионистора на 2.5В; 2. нижний порог 0.9В находится в пределах рабочего напряжения такого ионистора; 3. чем ниже напряжение на ионисторе, тем больше его срок службы (технологическое свойство ионистора); 4. чем ниже напряжение на ионисторе, тем ниже его токи утечки / саморазряд (технологическое свойство ионистора). Плюсы одного элемента, относительно блока из двух элементов, соединенных последовательно: 1. стоимость??? различна ли? 2. компактность; 3. внутреннее сопротивление одного источника ниже, чем двух, соединенных последовательно; 4. нет проблемы неравномерности распределения нагрузки вследствие неодинаковости разных экземпляров ионисторов (как итог - перенапряжения отдельных элементов, возникающих без дополнительной шунтировки элементов в батарее либо повышенных токов утечки из-за шунтов). Алексей Имейте в виду, что наиболее ходовые сейчас ионисторы именно на 3.3В и менее, т.е. одноэлементные. Для поверхностного монтажа самый ходовой - порядка 0.2 фарады. см. аттач. eec_en.pdf eechw.pdf Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
Alexeyka 0 8 апреля, 2008 Опубликовано 8 апреля, 2008 · Жалоба Коллеги, вдобавок к вышесказанному по использованию F9xx в схеме с резервным питанием на VBAT прояснилось следующее: 1. VBAT нельзя оставлять болтающимся в воздухе, иначе кирдык DC/DC; 2. Напряжение на VBAT должно быть больше 0.9В, иначе работает монитор питания и микросхема зависнет в RESET'е; 3. Напряжение на VBAT должно быть не больше 1.8В, иначе кирдык входным каскадам и/или DC/DC. 4. Для решения 1. 2 и 3. при использовании F9xx в изделии с резервным питанием нужно обеспечить на VBAT напряжение 0.9..1.8В со входа основного источника - путем простого LDO или, еще проще, диодно-резисторной цепью. Отсюда, на мой взгляд, F9xx можно использовать с схемах с резервным питанием только в случаях, когда основной источник питания де-факто может отключаться на непродолжительное время и при условии, что резервный источник питания "спокоен" к присутствию внешнего питающего напряжения (например, ионистор). Если кому есть что добавить - пишите. Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
Prowler 0 7 декабря, 2010 Опубликовано 7 декабря, 2010 · Жалоба Коллеги, вдобавок к вышесказанному по использованию F9xx в схеме с резервным питанием на VBAT прояснилось следующее: 1. VBAT нельзя оставлять болтающимся в воздухе, иначе кирдык DC/DC; 2. Напряжение на VBAT должно быть больше 0.9В, иначе работает монитор питания и микросхема зависнет в RESET'е; 3. Напряжение на VBAT должно быть не больше 1.8В, иначе кирдык входным каскадам и/или DC/DC. 4. Для решения 1. 2 и 3. при использовании F9xx в изделии с резервным питанием нужно обеспечить на VBAT напряжение 0.9..1.8В со входа основного источника - путем простого LDO или, еще проще, диодно-резисторной цепью. Отсюда, на мой взгляд, F9xx можно использовать с схемах с резервным питанием только в случаях, когда основной источник питания де-факто может отключаться на непродолжительное время и при условии, что резервный источник питания "спокоен" к присутствию внешнего питающего напряжения (например, ионистор). Если кому есть что добавить - пишите. Тема старая, но полностью не раскрытая. Можно ли использовать МК с внешним питанием на VDD/DC+, в случае пропажи которого переключатся на батарейку 1,5В с внутренним DC-DC конвертором? т.е. пин DCEN будет притянут к батарее через индуктивность, а не к земле во время работы от внешнего источника. Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться