[Владимир Алекс 0]

Такой вопрос у меня почему то не активны кнопки "анимат плэй"

как это исправить подскажите

[sp1noza 0]

Неплохо бы Вам почитать мануалы, и тогда многое отпадет само собой.

Вы хотите что-то делать, не зная возможностей программы.

Посмотрите примеры, там этих усилков немеряно.

 

Усилитель давно посчитан, оптимизирован, нарисован, проверен и отправлен в разработку. Пока что хотелось просто удостовериться, что все верно обсчитано, потому что некоторые модели были самодельные. Причем хотелось бы промоделировать весь усилитель целиком, чтобы учесть все что только можно. Хотелось быстро проверить, думал, что у кого то есть опыт, поэтому и спросил. Примеры проверю, спасибо за ответ.

 

Если автоматически не получается нарисуйте в Емсайте ручками все свои конденсаторы (наверное их не так много !)

сделайте многослойную структуру и считайте 2,5D или 3D -можно выбрать любой симулятор.

 

В том то и проблема, что ручками долго и неохота. Не по инженерному это как-то:) Вероятно все-таки есть автоматический перевод из топологии в программу ЭМ анализа. В ADS точно знаю что есть, люди там считают. К сожалению, свой проект вставить в ADS не могу - модели привязаны к AWR. Спасибо за ответ.

 

указываете группу эл-ов, которые будут моделироваться в ЭМ и добавляете на схему STACKUP

Можете объяснить, если не трудно? Не совсем понял: элементы отдельно моделируются или все вместе?

[Владимир Алекс 0]

Интересно как выглядит Ваш усилитель в компланарном исполнении в редакторе Layout в обьемном виде,

если можно покажите :unsure:

 

Интересно как выглядит Ваш усилитель в компланарном исполнении в редакторе Layout в обьемном виде,

если можно покажите :unsure:

извините хотя бы вид сверху

[sp1noza 0]

Да секретного то, наверное, ничего нет. Вот он:

 

_________.bmp

 

Только чем это вам поможет?

[Владимир Алекс 0]

Да секретного то, наверное, ничего нет. Вот он:

 

_________.bmp

 

Только чем это вам поможет?

Давайте лучше весь проект для AWR, на картинке не видно где

активные элементы. Кстати вопрос у вас получается перенести свой

Layout в ЕМ симулятор? :unsure:

[oleg_uzh 0]

Да секретного то, наверное, ничего нет. Вот он:

 

_________.bmp

 

Только чем это вам поможет?

Если не секрет, а где вы кристаллы изготавливаете ? Мы в этом деле новички, слухов много ходит про фабрики, советуют больше европейские фабрики поискать ? Можете что-то путнее посоветовать ? Заранее спасибо !

[Владимир Алекс 0]

Куда пропал, спиноза :1111493779:

[sp1noza 0]

Извиняюсь за то, что долго не отвечал - последнюю неделю на работе завал был, времени не было совершенно.

 

Я немного покопался в AWR и понял, что автоматического перевода в ЭМ анализ там нет. Можно конечно просто скопировать всю топологию в AXIEM, расставить порты, все настроить, дорисовать что надо и смоделировать. Надо только настроить EM_Mapping в файле *.lpf. Других возможностей я не нашел. Кстати, в AWR очень неудобно сделан редактор программы ЭМ анализа - вроде пишут что 3D анализ, а редактор как был 2.5D так и остался. Диэлектрики расположены слоями, что очень неудобно при переводе, приходится рисовать дополнительные перемычки. Кстати, может кто-нибудь знает как, допустим, нарисовать в AWR квадрат и присвоить ему материал диэлектрик?

 

 

Давайте лучше весь проект для AWR, на картинке не видно где

активные элементы. Кстати вопрос у вас получается перенести свой

Layout в ЕМ симулятор?

 

Проект дать не получится, это же коммерческая тайна, тем более там библиотеки еще надо дополнительно давать. Layout я перенес в AXIEM, но пока не моделировал - мучаюсь с EM_Mapping'ом. Опять повторюсь, что очень уж неудобно сделан редактор, многое приходится переделывать ручками.

 

Если не секрет, а где вы кристаллы изготавливаете ? Мы в этом деле новички, слухов много ходит про фабрики, советуют больше европейские фабрики поискать ? Можете что-то путнее посоветовать ? Заранее спасибо !

 

Я думаю, что это выходит за рамки обсуждаемой темы, но если интерес все еще остался, то пишите в личку.

[Владимир Алекс 0]

Вопрос у меня такой -в примерах AWR есть только один проект на компланарных линиях это CPW Autofill который моделируется(считается) в схематике по моему больше часа что очень странно. Обычные несимметричные линии передачи считаются за какие то секунды это вопрос к Спинозе, обьясните плиз как Вы считали. А перенести весь проект в 2.5симулятор не сложно нужно в установках Layout назначить положительные и отрицательные слои, установить галку "юнион лэйот шэйпс" и убрать галку "сабсекетс ас инстансис" что бы слои правильно транслировались в емсайт 2,5 а также пошаманить с файлом LPF например взять готовый из какого-нибудь проекта. Кстати емсайт 2.5 считает многослойные структуры с перемычками между слоями. Для подключения S-параметров используйте внутрение порты :rolleyes:

 

Чтобы правильно транслировать лэйот нужно также в настройках Емлэйэр маппинг, в колонке дроуинг лэйс для своих

слоев назначить соответствующий номер слоя в колонке Ем лэйер (например 3 ). По умолчанию там стоит по моему 0.

Потом делаете экспорт с расширением gds. Когда откроете импорт файл в 2.5D или в 3D весь layout должен быть правильно оттранслирован в каком то одном слое например 3. После этого добавляете нужные диэлектрические слои

в ЕМ структуре и просто переназначаете воздушные перемычки в VIA , а полоски над ними на второй слой получается обьемная структура, ставите внутренние порты и всё

[sp1noza 0]

Вопрос у меня такой -в примерах AWR есть только один проект на компланарных линиях это CPW Autofill который моделируется(считается) в схематике по моему больше часа что очень странно. Обычные несимметричные линии передачи считаются за какие то секунды это вопрос к Спинозе, обьясните плиз как Вы считали. А перенести весь проект в 2.5симулятор не сложно нужно в установках Layout назначить положительные и отрицательные слои, установить галку "юнион лэйот шэйпс" и убрать галку "сабсекетс ас инстансис" что бы слои правильно транслировались в емсайт 2,5 а также пошаманить с файлом LPF например взять готовый из какого-нибудь проекта. Кстати емсайт 2.5 считает многослойные структуры с перемычками между слоями. Для подключения S-параметров используйте внутрение порты :rolleyes:

 

Чтобы правильно транслировать лэйот нужно также в настройках Емлэйэр маппинг, в колонке дроуинг лэйс для своих

слоев назначить соответствующий номер слоя в колонке Ем лэйер (например 3 ). По умолчанию там стоит по моему 0.

Потом делаете экспорт с расширением gds. Когда откроете импорт файл в 2.5D или в 3D весь layout должен быть правильно оттранслирован в каком то одном слое например 3. После этого добавляете нужные диэлектрические слои

в ЕМ структуре и просто переназначаете воздушные перемычки в VIA , а полоски над ними на второй слой получается обьемная структура, ставите внутренние порты и всё

 

Спасибо за ответ.

Модели копланарных линий электромагнитные, то есть AWR моделирует множество различных вариантов копланарной структуры на заданной подложке, а затем интерполирует получившиеся данные. То есть по сути это ЭМ анализ, проблема в том, что для модели есть не для всех копланарных неоднородностей (например, для крестообразного соединения нет модели), а для копланарных элементов (кондеров, резисторов) их вообще нет. Поэтому они самодельные. Поэтому и хотел все смоделировать в ЭМ, чтобы проверить.

Про EM Mapping понял, теперь разбираюсь, жаль конечно что это не автоматический перевод и нет привязки ЭМ структуры к схематику. Было бы очень полезно и то и другое.

[sp1noza 0]

Нет уж, дорогой мой. Если уж работаете на пиратском софте, то и все свои проекты выкладывайте на всеобщее обозрение.

 

А то чуть что, сразу "коммерческая тайна"!

 

Увы, софт не пиратский, а честно купленный. Проект действительно выложить не могу, так как к нему, как я уже говорил, привязаны самодельные библиотеки.

[Yuri Potapoff 0]

Подтверждаю, софт не пиратский. Так что не увы, а к счастью.

[Владимир Алекс 0]

Вопрос Юрию Потапову обьясните плиз что означает в описании файла с S- параметрами приставка deembedded

заранее спасибо. Являетесь ли Вы соавтором книги по САПР MWO 2002. :rolleyes:

[EUrry 3]

обьясните плиз что означает в описании файла с S- параметрами приставка deembedded

заранее спасибо.

То и обозначает, о чем написано в указанной Вами книге.

[Yuri Potapoff 0]

Вопрос Юрию Потапову обьясните плиз что означает в описании файла с S- параметрами приставка deembedded

заранее спасибо. Являетесь ли Вы соавтором книги по САПР MWO 2002. :rolleyes:

 

Если порт устанавливается на боковой стенке моделируемой структуры из идеального проводника, в области порта присутствует неоднородность, приводящая к возникновению высших запредельный типов волн, которые искажают реальные характеристики. Для получения правильного решения (исключения неоднородности, de-embedding) выполняется сдвиг референсных плоскостей портов внутрь структуры. Далее из общего решения электродинамической задачи, вычитаются решения для отрезков регулярных линий передачи длиной, равной смещению референсной плоскости. Если S-параметры указаны как de-embedded, то значит они измерены в точках расположения референсных плоскостей, а не реальных портов.

 

Да, я являюсь соавтором этой книги. Я писал для нее первые главы.

 

Те диковенные переводы термина de-embedded, которые встречаются в книге - следствие подхода моих соавторов к идее написания книги с использованием средств машинного перевода.