[SAVC 1]

ну а в чем проблема? сделайте параметрический анализ а зависимости от напряжений/токов в схеме.

 

Ну а в чём смысл?

[Designer56 0]

смысл в том, что будет видно, насколько отличаются параметры модели от тех, что дает производитель

[SAVC 1]

смысл в том, что будет видно, насколько отличаются параметры модели от тех, что дает производитель

 

Надо сделать.

Думаю, правда, что не сильно будет отличаться.

Модель от IR.

 

Есть проблема.

Я не знаю, как измерить ёмкость в OrCAD.

Не подскажите?

 

Перестало генерить... :)

 

В очередной раз перепаял схемку.

 

Сделал все проводки ещё короче...

 

Но вот надёжно ли это - не знаю.

[Designer56 0]

не факт. а емкость измеряется так же, как и в реальности-только проще. сделайте мост, или просто последовательно подключите резистор и генератор. В Спайсе потом можно вычилсить импеданс, а по нему и емкость. А лучше всего взять схему измерения емкости из ДШ.

[SAVC 1]

не факт. а емкость измеряется так же, как и в реальности-только проще. сделайте мост, или просто последовательно подключите резистор и генератор. В Спайсе потом можно вычилсить импеданс, а по нему и емкость. А лучше всего взять схему измерения емкости из ДШ.

 

понял, спасибо.

[SAVC 1]

Sorry.

 

Схема в первом посте _ОШИБОЧНА_ !

Она никогда не генерила.

 

На самом деле была вот эта схема:

 

 

Здесь, когда искал причину генерации, я отключил один из транзисторов: разорвал цепь истока, затвор посадил на исток - закрыл транзистор.

Но. Ёмкость затвор-сток для первого транзистора от этого только увеличилась (!)

Так что, генерила она и исходная:

 

 

Приношу свои извинения всем, кто читает этот топик.

 

А вот решение:

 

 

Эта схема свободна от генерации.

По крайней мере, для 1кОм и 500 Ом нагрузки ( включил два паяльника на 40Вт :) )

Буду исследовать дальше.

Ну и тема с емкостями в модели транзистора остаётся открытой - займусь в ближайшем будущем.

Потому что, ни одна из моделей так и не загенерила (!)

[Designer56 0]

Вот видите, помогли- таки резисторы в затворах. А работает это так: создается ООС через емкость сток- затвор, которая компенсипует паразитную ПОС через емкость сток-исток.

[SAVC 1]

Вот видите, помогли- таки резисторы в затворах. А работает это так: создается ООС через емкость сток- затвор, которая компенсипует паразитную ПОС через емкость сток-исток.

 

Резисторы действительно помогли.

А вот как это работает, я пока не понял.

Резисторами я разделяю ёмкости сток-затвор (!), уменьшаю ООС (!)

И генерация прекращается...

При этом ёмкость сток-исток (ПОС) остаётся такой же.

 

Я пока это всё списываю на волновые эффекты.

Ведь, на таких частотах ими пренебрегать нельзя.

Учесть же их я не могу (не умею).

 

За счёт малой проходной ёмкости резисторов, транзисторы работают изолированно друг от друга на ВЧ.

А отдельный транзистор устойчив. В этом я убедился на опыте. Плюс доверие к IR...

[Designer56 0]

Да очень просто работает- через емкость сток-затвор подается ООС, образуя таким образом частотную коррекцию усилителя.

[SAVC 1]

Да очень просто работает- через емкость сток-затвор подается ООС, образуя таким образом частотную коррекцию усилителя.

 

А вы прочтите внимательнее пост #21