Модифицированный корпус TO-247-4i с внутренней изоляцией для высоковольтных SiC MOSFET AMG Power

Ответить

AMG Power анонсировал выпуск нового высоковольтного SiC MOSFET в корпусе TO-247-4i с внутренней изоляцией – A2G60N1200MT4i.

Присоединяйтесь к обсуждению

Вы можете написать сейчас и зарегистрироваться позже. Если у вас есть аккаунт, авторизуйтесь, чтобы опубликовать от имени своего аккаунта.

К сожалению, ваш контент содержит запрещённые слова. Пожалуйста, отредактируйте контент, чтобы удалить выделенные ниже слова.

Ответить в этой теме...

× Вставлено с форматированием. Вставить как обычный текст

Разрешено использовать не более 75 эмодзи.

× Ваша ссылка была автоматически встроена. Отображать как обычную ссылку

× Ваш предыдущий контент был восстановлен. Очистить редактор

× Вы не можете вставлять изображения напрямую. Загружайте или вставляйте изображения по ссылке.