Перейти к содержанию
Поиск
    

SiC MOSFET транзисторы 1200 В 80 мОм от Yangjie

Ответить

МакроГрупп    3

МакроГрупп
Опубликовано · Жалоба

Компания Yangjie анонсировала выпуск SiC МОП транзисторов собственной разработки с напряжением пробоя 1200 В и сопротивлением открытого канала 80 мОм.

 

Подробнее

 

1512021190_SiCMOSFET120080Yangjie.jpg.a66a6ad8e5b4d7eda1fae0f4939dc87d.jpg

Поделиться сообщением

Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

Присоединяйтесь к обсуждению

Вы можете написать сейчас и зарегистрироваться позже. Если у вас есть аккаунт, авторизуйтесь, чтобы опубликовать от имени своего аккаунта.

Гость
К сожалению, ваш контент содержит запрещённые слова. Пожалуйста, отредактируйте контент, чтобы удалить выделенные ниже слова.
Ответить в этой теме...

×   Вставлено с форматированием.   Вставить как обычный текст

  Разрешено использовать не более 75 эмодзи.

×   Ваша ссылка была автоматически встроена.   Отображать как обычную ссылку

×   Ваш предыдущий контент был восстановлен.   Очистить редактор

×   Вы не можете вставлять изображения напрямую. Загружайте или вставляйте изображения по ссылке.

×
×
×
  • Создать...