Перейти к содержанию
    

Внешнее ОЗУ для STM32F407VE

Прошу помочь разобраться с работой FMC модуля МК STM32F407VE. Необходимо подключить внешнюю память ОЗУ; так как в данном МК шина адреса и данных объединена, для обращения к внешней памяти адрес необходимо демультипликсировать, для чего используется сигнал nADV (nL). Сигнал должен поступать на внешние защелки.
Предполагается использовать ОЗУ типа IS61LV25616AL или аналогичную по структуре. Даташит на нее: https://datasheet.lcsc.com/lcsc/1809192221_ISSI-Integrated-Silicon-Solution-IS61LV25616AL-10TL_C16001.pdf
    Собственно, вопросы такие:
1)    В Reference Manual (RM0090) для данного режима временные диаграммы приведены вроде как только для обращения к NOR FLASH. Можно предполагать, что в целом они будут такие же и для PSRAM (RM0090, см. стр. 1547). Однако, не очень понятно, по какому фронту следует защелкивать линию адреса.  Предполагаю, что все же по нарастающему – именно за время между спадающим и нарастающим фронтом nADV (nL) сигнала – ADDSET – должны завершиться переходные процессы, а затем FMC модуль считает данные (для режима чтения). Верно ли это, и, соответственно, подойдет ли в качестве защелки микросхема 74HC574 (2 шт.).

https://assets.nexperia.com/documents/data-sheet/74HC_HCT574.pdf

Смущает, что она довольно медленная: время задержки между входом и выходом может составлять более 200 нсек при напряжении питания 2 В, и 45 нсек при питании 4,5 В. Хотя моя схема будет работать от питания 3,3 В, задержка все равно останется достаточно большой. Может, следует посмотреть что получше?
2)    Поскольку шина данных 16-битная, обращение к данным размерностью в 32 бита будет разбито на две этапа (RM0090, см. стр. 1533). Интересует, какие это имеет последствия, кроме увеличения времени доступа к данным по сравнению с временем доступа к данным во внутренней памяти. Также, верно ли, что желательно не делать обращений к внешней памяти из прерываний, а в крайнем случае – использовать инструкцию __DSB()?
3)    В мультиплексированном режиме, а также при побайтном обращении линия данных или ее часть находится небольшое время в высокоомном состоянии. Следует ли на всякий случай  применять подтяжки к земле/питанию?

Изменено пользователем Hunveibin

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

Присоединяйтесь к обсуждению

Вы можете написать сейчас и зарегистрироваться позже. Если у вас есть аккаунт, авторизуйтесь, чтобы опубликовать от имени своего аккаунта.

Гость
К сожалению, ваш контент содержит запрещённые слова. Пожалуйста, отредактируйте контент, чтобы удалить выделенные ниже слова.
Ответить в этой теме...

×   Вставлено с форматированием.   Вставить как обычный текст

  Разрешено использовать не более 75 эмодзи.

×   Ваша ссылка была автоматически встроена.   Отображать как обычную ссылку

×   Ваш предыдущий контент был восстановлен.   Очистить редактор

×   Вы не можете вставлять изображения напрямую. Загружайте или вставляйте изображения по ссылке.

×
×
  • Создать...