Hunveibin 0 25 августа, 2021 Опубликовано 25 августа, 2021 (изменено) · Жалоба Прошу помочь разобраться с работой FMC модуля МК STM32F407VE. Необходимо подключить внешнюю память ОЗУ; так как в данном МК шина адреса и данных объединена, для обращения к внешней памяти адрес необходимо демультипликсировать, для чего используется сигнал nADV (nL). Сигнал должен поступать на внешние защелки. Предполагается использовать ОЗУ типа IS61LV25616AL или аналогичную по структуре. Даташит на нее: https://datasheet.lcsc.com/lcsc/1809192221_ISSI-Integrated-Silicon-Solution-IS61LV25616AL-10TL_C16001.pdf Собственно, вопросы такие: 1) В Reference Manual (RM0090) для данного режима временные диаграммы приведены вроде как только для обращения к NOR FLASH. Можно предполагать, что в целом они будут такие же и для PSRAM (RM0090, см. стр. 1547). Однако, не очень понятно, по какому фронту следует защелкивать линию адреса. Предполагаю, что все же по нарастающему – именно за время между спадающим и нарастающим фронтом nADV (nL) сигнала – ADDSET – должны завершиться переходные процессы, а затем FMC модуль считает данные (для режима чтения). Верно ли это, и, соответственно, подойдет ли в качестве защелки микросхема 74HC574 (2 шт.). https://assets.nexperia.com/documents/data-sheet/74HC_HCT574.pdf Смущает, что она довольно медленная: время задержки между входом и выходом может составлять более 200 нсек при напряжении питания 2 В, и 45 нсек при питании 4,5 В. Хотя моя схема будет работать от питания 3,3 В, задержка все равно останется достаточно большой. Может, следует посмотреть что получше? 2) Поскольку шина данных 16-битная, обращение к данным размерностью в 32 бита будет разбито на две этапа (RM0090, см. стр. 1533). Интересует, какие это имеет последствия, кроме увеличения времени доступа к данным по сравнению с временем доступа к данным во внутренней памяти. Также, верно ли, что желательно не делать обращений к внешней памяти из прерываний, а в крайнем случае – использовать инструкцию __DSB()? 3) В мультиплексированном режиме, а также при побайтном обращении линия данных или ее часть находится небольшое время в высокоомном состоянии. Следует ли на всякий случай применять подтяжки к земле/питанию? Изменено 25 августа, 2021 пользователем Hunveibin Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться