[Shutest 0]

Привет. Это моя первая работа. Нужно настроить аттенюатор на тонкопленочных резисторах на -5 дБ и КСВ приближенное к 1. Диапазон сопративлнний резисторов 50-100 Ом. Площадь больших резисторов (R1 и R3) 1,5 мм. Материал электрического слоя "Поликор ВК-100-1, толщина 0.25мм. Важно-я могу менять размеры резисторов, и диапазон 50-100 Ом. Построил в схеме, все работает, на топологии такое не выходит. Почему, я не знаю.

[K0nstantin 5]

А я смотрю, Вам в этой теме уже ответили:
Возможно, будет ёмкость между резисторами - малый зазор между вертикальными резисторами вызывает вопросы, а нужен ли он настолько малый. 

Но главное - там на схеме у вас ИДЕЛЬАНЫЕ резисторы. Т.е. просто резистор, у которого один параметр - сопротивление. Всё. На зависимость поведения аттенюатора от частоты он не влияет.
А в реальной ЕМ-топологии у вас резисторы имеют некую ширину и длину. И чем длиннее тело резистора, тем больше индуктивность.

Подставьте в схему плёночные резисторы TFR или как-то так, не помню. Там тоже есть параметры длина, ширина, Ом/кв. Уже не получите горизонтальную линию.
Далее играетесь этими параметрами для получения желаемого результата. Вот зазор в Схематике особо не смоделируете.

В шапках подфорумов вынесены такие большие разделы по СВЧ-программам, а пользователи что-то в последнее время начали создавать маленькие темы...

[Shutest 0]

1 час назад, K0nstantin сказал:

А я смотрю, Вам в этой теме уже ответили:
Возможно, будет ёмкость между резисторами - малый зазор между вертикальными резисторами вызывает вопросы, а нужен ли он настолько малый. 

Но главное - там на схеме у вас ИДЕЛЬАНЫЕ резисторы. Т.е. просто резистор, у которого один параметр - сопротивление. Всё. На зависимость поведения аттенюатора от частоты он не влияет.
А в реальной ЕМ-топологии у вас резисторы имеют некую ширину и длину. И чем длиннее тело резистора, тем больше индуктивность.

Подставьте в схему плёночные резисторы TFR или как-то так, не помню. Там тоже есть параметры длина, ширина, Ом/кв. Уже не получите горизонтальную линию.
Далее играетесь этими параметрами для получения желаемого результата. Вот зазор в Схематике особо не смоделируете.

В шапках подфорумов вынесены такие большие разделы по СВЧ-программам, а пользователи что-то в последнее время начали создавать маленькие темы...

Зазор настолько маленький, потому что ширина полоска 0.23мм, мне нужно медже ними встроить резистор. Поэтому зазор в любом случае будет минимален, думаю проблема в этом. Как я понял вы предлагаете поменять зазор и поиграться с размерами резисторов?

1 час назад, K0nstantin сказал:

А я смотрю, Вам в этой теме уже ответили:
Возможно, будет ёмкость между резисторами - малый зазор между вертикальными резисторами вызывает вопросы, а нужен ли он настолько малый. 

Но главное - там на схеме у вас ИДЕЛЬАНЫЕ резисторы. Т.е. просто резистор, у которого один параметр - сопротивление. Всё. На зависимость поведения аттенюатора от частоты он не влияет.
А в реальной ЕМ-топологии у вас резисторы имеют некую ширину и длину. И чем длиннее тело резистора, тем больше индуктивность.

Подставьте в схему плёночные резисторы TFR или как-то так, не помню. Там тоже есть параметры длина, ширина, Ом/кв. Уже не получите горизонтальную линию.
Далее играетесь этими параметрами для получения желаемого результата. Вот зазор в Схематике особо не смоделируете.

В шапках подфорумов вынесены такие большие разделы по СВЧ-программам, а пользователи что-то в последнее время начали создавать маленькие темы...

И ещё вопрос. Какую роль играет параметр grid по Х и У? Я его меняю и графин меояьеться ,хотя это всего лишь деление клетки. Писали, что если его поставить большим, то размываются габариты резисторов. Программа не может посчитать нормально или вроде того.

[K0nstantin 5]

32 минуты назад, Shutest сказал:

Зазор настолько маленький, потому что ширина полоска 0.23мм, мне нужно медже ними встроить резистор. Поэтому зазор в любом случае будет минимален, думаю проблема в этом. Как я понял вы предлагаете поменять зазор и поиграться с размерами резисторов?

И ещё вопрос. Какую роль играет параметр grid по Х и У? Я его меняю и графин меояьеться ,хотя это всего лишь деление клетки. Писали, что если его поставить большим, то размываются габариты резисторов. Программа не может посчитать нормально или вроде того.

X и Y грубо говоря степень точности расчётов. Чем больше, тем грубее расчёт. Ещё в доп. настройках Солвера ("решателя", EMSight у Вас похоже, не сильно важно пока) тоже есть параметры, отвечающие за размеры разбиений элементов и прочие точности решений.

Вы наверное имеет ввиду не ширину 0,23мм, а длину? Ну попробуйте в Схематике добавить микрополосковые линии:

в схеме сейчас у вас просто резисторы. В реальной жизни между резисторами есть хороший проводник, у вас в топологии это микрополосковые линии, медь, судя по всему. В СВЧ диапазоне это уже нужно учитывать, это не постоянный ток. В Схематике добавьте элементы MCLIN, например. Поиграйтесь длинами MCLIN, которые между вертикальными резисторами. При достаточно длинных полосках, уже зазор между резисторными плечами можно не учитывать. Ну и про TFR не забудьте добавить (достаточно по 1шт. нужной длины в каждое из плеч, а то на схеме у вас куча последовательных).

И Смотрите: у Вас от портов 1 и 2 идут стрелки де-эмбидинга. Идут не до САМЫХ резисторов, т.е. кроме резисторов в модель включена ещё и некоторая длина полосков (опять же индуктивность). Вот она же тоже может вносить неравномерность амплитуды затухания в интересующем вас диапазоне. 

В реальной жизни заранее оговаривают некоторую неравномерность интересующего параметрами в интересующем диапазоне. Абсолютно ровного не получится.

[Shutest 0]

3 минуты назад, K0nstantin сказал:

X и Y грубо говоря степень точности расчётов. Чем больше, тем грубее расчёт. Ещё в доп. настройках Солвера ("решателя", EMSight у Вас похоже, не сильно важно пока) тоже есть параметры, отвечающие за размеры разбиений элементов и прочие точности решений.

Вы наверное имеет ввиду не ширину 0,23мм, а длину? Ну попробуйте в Схематике добавить микрополосковые линии:

в схеме сейчас у вас просто резисторы. В реальной жизни между резисторами есть хороший проводник, у вас в топологии это микрополосковые линии, медь, судя по всему. В СВЧ диапазоне это уже нужно учитывать, это не постоянный ток. В Схематике добавьте элементы MCLIN, например. Поиграйтесь длинами MCLIN, которые между вертикальными резисторами. При достаточно длинных полосках, уже зазор между резисторными плечами можно не учитывать. Ну и про TFR не забудьте добавить (достаточно по 1шт. нужной длины в каждое из плеч, а то на схеме у вас куча последовательных).

И Смотрите: у Вас от портов 1 и 2 идут стрелки де-эмбидинга. Идут не до САМЫХ резисторов, т.е. кроме резисторов в модель включена ещё и некоторая длина полосков (опять же индуктивность). Вот она же тоже может вносить неравномерность амплитуды затухания в интересующем вас диапазоне. 

Спасибо большое. Сейчас попробую.

 

[khach 43]

Разверните плечи резисторов под углом по принципу radial stub- сразу куча паразитов уйдет. Самое правильное-вообще пылить   полусектора radial stub с несколкими виасами по дуге земляной окружности.  Но в широкой части сектора резистивный слой начинает вносить мало сопротивления и стаб становится большой в размерах. Можно там сделать сетчатую структуру для большего удельного сопротивления.

[K0nstantin 5]

3 часа назад, khach сказал:

Разверните плечи резисторов под углом по принципу radial stub- сразу куча паразитов уйдет. Самое правильное-вообще пылить   полусектора radial stub с несколкими виасами по дуге земляной окружности.  Но в широкой части сектора резистивный слой начинает вносить мало сопротивления и стаб становится большой в размерах. Можно там сделать сетчатую структуру для большего удельного сопротивления.

Человек же написал, что только учится )))) А Вы его сразу закидываете понятиями) Всё постепенно.

Shutest, как вам сказали (и в прошлой теме тоже), чтобы увеличить зазор, но сохранив при этом длину центрального последовательного резистора, поверните плечи под углом 45град друг от друга. Вы там отказались, ссылаясь на то, что вам нужна именно Н-буква. Если это пожелание преподавателя, извините, если ошибаюсь, то они иногда бывают идеалистами. По сути у вас сохраняется Н-вид, просто будет Х-конфигурация, но схемотехнически это то же самое. Можно сказать, что если Т-тип аттенюатора поставить верх ногами, то это уже не будет Т-типом ))))
Ещё слышал случай, что преподаватель учил студентов, что если КСВН>1.0000000000...., то устройство работаь не будет! :D

[Shutest 0]

11 часов назад, K0nstantin сказал:

Человек же написал, что только учится )))) А Вы его сразу закидываете понятиями) Всё постепенно.

Shutest, как вам сказали (и в прошлой теме тоже), чтобы увеличить зазор, но сохранив при этом длину центрального последовательного резистора, поверните плечи под углом 45град друг от друга. Вы там отказались, ссылаясь на то, что вам нужна именно Н-буква. Если это пожелание преподавателя, извините, если ошибаюсь, то они иногда бывают идеалистами. По сути у вас сохраняется Н-вид, просто будет Х-конфигурация, но схемотехнически это то же самое. Можно сказать, что если Т-тип аттенюатора поставить верх ногами, то это уже не будет Т-типом ))))
Ещё слышал случай, что преподаватель учил студентов, что если КСВН>1.0000000000...., то устройство работаь не будет! :D

Как я понял, нужно сами резисторы поворачивать, а не полоски где порты?

[K0nstantin 5]

Ну сейчас у вас паразитная ёмкость между близкорасположенными резисторами. Не знаю, большая ли, критичная ли, но лучше таких моментов избегать. На рисунке эта ёмкость при повороте станет меньше, но увеличиться ёмкость между резистор-входнойполосок. Пробуйте, не обязательно под 45градусов. Можно раздвинуть резисторы, но тогда увеличиться неравномерность S21, но можно подобрать длину-ширину полосков на интересующий диапазон частот.

[Shutest 0]

13 минут назад, K0nstantin сказал:

Ну сейчас у вас паразитная ёмкость между близкорасположенными резисторами. Не знаю, большая ли, критичная ли, но лучше таких моментов избегать. На рисунке эта ёмкость при повороте станет меньше, но увеличиться ёмкость между резистор-входнойполосок. Пробуйте, не обязательно под 45градусов. Можно раздвинуть резисторы, но тогда увеличиться неравномерность S21, но можно подобрать длину-ширину полосков на интересующий диапазон частот.

Так понял. Спасибо большое. Огромное даже. 

[Shutest 0]

15.01.2021 в 09:08, Shutest сказал:

Так понял. Спасибо большое. Огромное даже. 

А вот ещё вопрос. Мне сказали что вот центральный резистор мелкий, и если поставить GridX и GridY больше чем его размеры, то он не входит в параметры расчета. Цетирую "Размазывается и программа его не видит или искажает" это так?

[Shutest 0]

15.01.2021 в 08:54, K0nstantin сказал:

Ну сейчас у вас паразитная ёмкость между близкорасположенными резисторами. Не знаю, большая ли, критичная ли, но лучше таких моментов избегать. На рисунке эта ёмкость при повороте станет меньше, но увеличиться ёмкость между резистор-входнойполосок. Пробуйте, не обязательно под 45градусов. Можно раздвинуть резисторы, но тогда увеличиться неравномерность S21, но можно подобрать длину-ширину полосков на интересующий диапазон частот.

А вот ещё вопрос. Мне сказали что вот центральный резистор мелкий, и если поставить GridX и GridY больше чем его размеры, то он не входит в параметры расчета. Цетирую "Размазывается и программа его не видит или искажает" это так?

[K0nstantin 5]

11 минут назад, Shutest сказал:

А вот ещё вопрос. Мне сказали что вот центральный резистор мелкий, и если поставить GridX и GridY больше чем его размеры, то он не входит в параметры расчета. Цетирую "Размазывается и программа его не видит или искажает" это так?

Не знаю. Точность то падает, как я писал выше. Но что же он тогда считает?

- Проверьте сами: нарисуйте просто сам мелкий разистор и два порта к нему. Моделируйте. Увеличивайте сетку до тех пор, пока не увидите существенной разницы. Можете потом рассказать результаты, интересно.

Мне и так кажется маловатым этот резистор для реального производства, т.к. допуск воспроизведения рисунка может гулять. И если большие резисторы увеличатся скажем на 0,1 мкм и это будет составлять скажем 2%, то эти же 0,1 мкм на малом дадут разброс допустим 20-30% от номинала. Да и рассеиваемая мощность у маленького меньше. Для обучения может и сойдёт, но обычно там тоже считают такие параметры.

[Shutest 0]

21 минуту назад, K0nstantin сказал:

Не знаю. Точность то падает, как я писал выше. Но что же он тогда считает?

- Проверьте сами: нарисуйте просто сам мелкий разистор и два порта к нему. Моделируйте. Увеличивайте сетку до тех пор, пока не увидите существенной разницы. Можете потом рассказать результаты, интересно.

Мне и так кажется маловатым этот резистор для реального производства, т.к. допуск воспроизведения рисунка может гулять. И если большие резисторы увеличатся скажем на 0,1 мкм и это будет составлять скажем 2%, то эти же 0,1 мкм на малом дадут разброс допустим 20-30% от номинала. Да и рассеиваемая мощность у маленького меньше. Для обучения может и сойдёт, но обычно там тоже считают такие параметры.

Вышло вот такое.пеовыц график GridX и GridY 0.025, второй 0.05

[K0nstantin 5]

Ну вот, сами видите. Поставьте ту сетку, при которой изменения для вас станут несущественны.