Как управлять SiС-транзистором?

Ответить

15 июля, 2020

Преимущества карбид-кремниевых транзисторов (SiC MOSFET) – высокий КПД, повышенная, по сравнению с биполярными

транзисторами с изолированным затвором (IGBT), частота переключения, экономия места на печатной плате.

Для управления SiC MOSFET используются специализированные драйверы: как изолированные от транзистора, так и неизолированные.

Выбор драйвера и расчет оптимального режима его работы играет ключевую роль в эффективной работе всего устройства на базе SiC MOSFET.

Присоединяйтесь к обсуждению

Вы можете написать сейчас и зарегистрироваться позже. Если у вас есть аккаунт, авторизуйтесь, чтобы опубликовать от имени своего аккаунта.

Ответить в этой теме...

× Вставлено с форматированием. Вставить как обычный текст

Разрешено использовать не более 75 эмодзи.

× Ваша ссылка была автоматически встроена. Отображать как обычную ссылку

× Ваш предыдущий контент был восстановлен. Очистить редактор

× Вы не можете вставлять изображения напрямую. Загружайте или вставляйте изображения по ссылке.