ikm 3 16 марта, 2020 Опубликовано 16 марта, 2020 · Жалоба 15 минут назад, yurik82 сказал: MHT1006N в классе усиления А = 21..23% (из фундаментального лимита 25%), на 4 Ватта выхлопа - 15 ватт тепла может всё таки изменить класс усиления, какой запас мощности не возьми - все равно отвести надо те же 15 ватт тепла Я приводил характеристики для MHT1008N, он отличается от того, что у ТС. На сайте производителя они оба указаны как транзисторы класса АВ. Может сможете мне подсказать (для самообразования), как включить один транзистор в каскад усиления по классу А или В, просто мне до этого казалось, что это заложено в самой структуре транзистора. Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
yurik82 23 16 марта, 2020 Опубликовано 16 марта, 2020 (изменено) · Жалоба 37 минут назад, ikm сказал: просто мне до этого казалось, что это заложено в самой структуре транзистора. MHT1006N декларируется как оптимизированный для получения хороших характеристик вообще в Class C Цитата это заложено в самой структуре транзистора это заложено в выборе смещения базы http://rfic.eecs.berkeley.edu/ee242/pdf/Module_6_2_PA_Classes.pdf 41 минуту назад, ppram5 сказал: Менять режим крайне не желательно... Цитата а вот при 4х - уже печка, за полчаса работы он прогревает фрезерованный алюминиевый корпус к которому прикручен до 45 градусов Тогда непонятно что вы хотите от транзистора. Class A выдет до 25% на резистивную нагрузку (до 50% на согласованную индуктивную нагрузку) Прогрев до 45 градусов корпуса - связан с тем, что выбрав Class A, вы согласились на рассеиваниее не менее 15 Ватт тепла. А корпус Ваш такой поток тепла способен рассеять лишь прогревшись до +45С. Марка транзистора в этом уравнении вообще не фигурирует Изменено 16 марта, 2020 пользователем yurik82 Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
ppram5 0 16 марта, 2020 Опубликовано 16 марта, 2020 · Жалоба Само пе себе выделение тепла это нормально, вопрос с эффективным отводом тепла от транзистора. Корпус в дальнейшем будет иметь активное охлаждение (там кроме УМ еще много всего будет). Марка транзисторы как раз важна - важен корпус. Данный транзистор отдает тепло только через плату, вот я и рассчитывал на какие то другие варианты. Использование MHT1008N вместо MHT1006N уже позволит улучшить тепло-отведение. Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
ikm 3 16 марта, 2020 Опубликовано 16 марта, 2020 · Жалоба 36 минут назад, yurik82 сказал: это заложено в выборе смещения базы Спасибо почитаю. Просто никогда для своих приложений не задавался таким вопросом. Всегда смотрел на кривую КПД в зависимости от смещения затвора выбирая максимум. 8 минут назад, ppram5 сказал: на какие то другие варианты Другие варианты это Qorvo и Cree у них есть много вариантов. Кстати как вариант, это вырез в плате под землей транзистора и там будет выступ от медного основания. К нему припаять пузо транзистора и затвор и сток к печатной плате. можно сделать, этот медный пяточек поменьше, так чтобы часть пуза была припаяна к нему, а часть к земле печатной платы. Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
ppram5 0 16 марта, 2020 Опубликовано 16 марта, 2020 · Жалоба 1 час назад, yurik82 сказал: http://rfic.eecs.berkeley.edu/ee242/pdf/Module_6_2_PA_Classes.pdf Хороший файлик. Применительно к схеме включения HMT1008N1 - теоретический кпд - 50% (стр. 9 и 10 документа), на практике будет 30-40. Почему вы считаете, что "из фундаментального лимита 25%"? Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
yurik82 23 16 марта, 2020 Опубликовано 16 марта, 2020 · Жалоба 48 минут назад, ppram5 сказал: Само пе себе выделение тепла это нормально, вопрос с эффективным отводом тепла от транзистора. так как "фрезерованный алюминиевый корпус" нагревается до +45С - значит с теплоотводом всё хорошо. но вас не устраивает именно этот показатель (температура корпуса), какая при этом температура транзистора - вы не измеряли. 5 минут назад, ppram5 сказал: Почему вы считаете, что "из фундаментального лимита 25%"? 1 час назад, yurik82 сказал: Class A выдет до 25% на резистивную нагрузку (до 50% на согласованную индуктивную нагрузку) Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
yurik82 23 16 марта, 2020 Опубликовано 16 марта, 2020 · Жалоба 1 час назад, ikm сказал: никогда для своих приложений не задавался таким вопросом. Всегда смотрел на кривую КПД в зависимости от смещения затвора выбирая максимум. значит смотрели в контексте только какого-то класса, В (АВ) обычно делают push-pull (на одном транзисторе теоретически тоже можно, но такие искажения от только одного полупериода на выходе мало где можно использовать). С используют для немодулированного сигнала (телеграф, СВЧ печи, пилот, постановщик помех) 56-57% из даташита MHT1008N - это Class C В классе С смещение на затвор выбирается чтобы транзистор был полностью закрыт, в классе А ток покоя близкий к номинальному Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться