[xvr 12]

максимальное значение 700mV? это как?

Это так. БЭ представляет собой диод (упрощенно)

а это наверное напряжение насыщения.

Угу

а напряжение пробоя?

Вам надо не нарпяжение смотреть (диод все таки), а максимальный ток. Это в таблице Limiting value - I BM (peak base current) - 100mA (импульс не длиннее 1mS)

 

Выбираете базовый резистор, что бы ток не привышал ~50mA. Еще на вход поставьте TVS, что бы защитить от статики (ну и как то напряжение ограничить)

 

 

[jenya7 0]

Это так. БЭ представляет собой диод (упрощенно)

Угу

Вам надо не нарпяжение смотреть (диод все таки), а максимальный ток. Это в таблице Limiting value - I BM (peak base current) - 100mA (импульс не длиннее 1mS)

 

Выбираете базовый резистор, что бы ток не привышал ~50mA. Еще на вход поставьте TVS, что бы защитить от статики (ну и как то напряжение ограничить)

спасибо. а конденсатор на базе для фильтрации - он не помешает открыванию-закрыванию транзистора?

[xvr 12]

а конденсатор на базе для фильтрации - он не помешает открыванию-закрыванию транзистора?

Если у вас конденсатор в пределах нескольких нанофарад, и энкодер крутится не со скоростью 1М оборотов в секунду, то не помешает :)

Посчитайте постоянную времени заряда конденсатора через базовый резистор током от энкодера. Возьмите худший вариант. Убедитесь, что она много меньше чем период импульсов от энкодера.

 

 

[jenya7 0]

Если у вас конденсатор в пределах нескольких нанофарад, и энкодер крутится не со скоростью 1М оборотов в секунду, то не помешает :)

Посчитайте постоянную времени заряда конденсатора через базовый резистор током от энкодера. Возьмите худший вариант. Убедитесь, что она много меньше чем период импульсов от энкодера.

спасибо.