Перейти к содержанию
    

Сделать диод из биполярного транзистора

Аваев, Наумов, Фролкин - Основы микроэлектроники. 1991. Стр. 67, гл. 3.7. "Диодное включение транзистора".

 

Ну и вот какая-то информация по теме. Правда, откуда автор брал приведенные там данные, я не знаю.

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

Аваев, Наумов, Фролкин - Основы микроэлектроники. 1991. Стр. 67, гл. 3.7. "Диодное включение транзистора".

Смотрел перед зачатием темы. Там обсуждаемая информация не прояснена. И акцент на интегральных (микросхемных) решениях.

 

У меня почему-то стр, и год совпадают, но три автора другие.

Изменено пользователем GetSmart

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

Модератор! Какое слово и когда запретили?

Прошу внятного ответа. Когда решили чёрное не называть чёрным?

 

Отмодерированная версия потеряла часть смысла. Пока восстановлю помягче

Ответил в Личку, чтобы не повторять здесь непристойностей. Не забывайте о Правилах.

И надеюсь, что не "пока", а и впредь Вы сможете выражать смыслы прилично. Получается ведь?

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

соответственно предельный ток будет ограничиваться максимальным током базы, который для маломощных транзисторов даже не приводится.

Там, где не приводится, его можно определить как Iкmax/h21эmin. Iкmax импульсный или постоянный - тоже, видимо, повлияет на импульсный ток базы или постоянный. С указанной скважностью/длительностью.

 

Без зымыкания БЭ диод будет и более быстрый.

 

Тема инверсного режима биполярного транзистора была достойной ХХ. Жаль, что её там нет.

Нюансы, которые полезно знать. И где спрятаны грабли.

 

Herz, криминала у меня не было. Выглядит всё как ложное срабатывание.

Изменено пользователем GetSmart

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

Там, где не приводится, его можно определить как Iкmax/h21эmin.
И получите копейки. Лучше всё же использовать те, для которых указывается, например BC847/846. У второго кстати Iбmax=Iкmax, правда дают только импульсный, но хоть чтото.

 

Без зымыкания БЭ диод будет и более быстрый.
Это да, но емкость коллекторного перехода обычно гораздо меньше (чем эмиттерного), плюс в инверсном включении ток базы будет в разы больше (если не на порядок), а значит рассасывание в базе тоже будет происходить быстрее .

Но...всё зависит от конкретной задачи.

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

все эквивалентные схемы (модели) БПТ, взять хоть тех же Гуммеля и Пуна строились исходя из того, что транзистор может быть применен в схемах ОЭ ОК ОБ.

поскольку специфические варианты включения типа диодного при построении модели не рассматривались, то и применять эти модели в таких случаях - некорректно.

 

 

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

Дополню, иначе непонятно относительно чего

Это да, но емкость коллекторного перехода обычно гораздо меньше (чем эмиттерного), плюс в инверсном включении ток базы будет в разы больше (если не на порядок), а значит рассасывание в базе тоже будет происходить быстрее .
быстрее диода с замкнутым КБ. А не диода со свободным Э. (так предполагаю) А в книжке "Основы микроэлектроники. 1991" говорится, что самый быстрый диод из перехода БЭ с неподключённым К. Но физику там не проясняют. Диод с замкнутыми КЭ там назван самым медленным. Ясной картины из той информации не складывается. И её там очень мало. Есть опасения, что болтающийся пин за счёт утечек и ёмкостей может "гулять" и управлять.

(выше обновил!)

 

2 krux

Кажется участник SM когда-то писал, что симулятор вообще не обязан знать что такое ОЭ, ОК и ОБ. Ну а с моделями мне было любопытно что туда закладывают, если производитель такие нестандартные характеристики сам (вероятно) не обмеряет и не документирует. В таких условиях разброс недокументированных характеристик в модель нужно закладывать с большим запасом.

Изменено пользователем GetSmart

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

быстрее диода с замкнутым КБ. А не диода со свободным Э. А в книжке "Основы микроэлектроники. 1991" говорится, что самый быстрый диод из перехода БЭ с неподключённым К.

Вот это кстати вопрос. Диод с КБ-Э (с замкнутым база-коллектор) по идее должен быть быстрее, т.к транзистор там в активном режиме по сути, и обладает минимальным прямым падением напряжения, а значит и избыточный заряд там меньше.

Про неподключенный К -может это както связано с эффектами подложки? Вы не могли бы привести скриншот из книги с объяснением что и как?

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

скрин из книги "Основы микроэлектроники. 1991"

Скачал эту книгу (Аваев, Наумов, Фролкин 1991) но там совсем другой текст, хотя картинка с транзисторами та же.

Посмотрел еще одну книгу "Электроника", Шишкин А.Г, Шишкин Г.Г., Москва 2009. Вот выдержки из нее:

post-4576-1477238029_thumb.pngpost-4576-1477238025_thumb.png

 

Подытоживая можно сказать, что лучшее по быстродействию - это включение БК-Э.

Б-Э имеет в 5 раз хуже время восстановления, но не требует создания дополнительной коллекторной области и занимает меньше площадь в кристалле, поэтому также часто используется в качестве диода в микросхемотехнике.

 

Более высоковольтный диод получается при использовании включений БЭ-К и Б-К. И что интересно время восстановления у БК-Э (50 нс) меньше, чем у Б-К (75 нс) и совпадает с временем восстановления низковольтного Б-Э. :)

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

Эта таблица если достоверна, то актуальна для микросхемных транзисторов из-за общей подложки всех элементов микросхемы. А у меня изначально встал вопрос, если сделать диод из транзистора в sot23, то как его включить. Не знаю, доверять ли картинкам, которые утверждают, что у активного режима транзистора (БК-Э) время восстановления быстрее, чем у просто базового перехода (Б-Э). Это должно быть при одинаковых условиях теста (токах). А чуть раньше я встал на граблю активации инверсного режима там, где я его не ждал. Точнее не заметил.

Изменено пользователем GetSmart

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

В дискретном транзисторе подложкой является коллектор, поэтому на представленных картинках просто убираете емкость Скп. В остальном всё то же самое, имхо.

 

По поводу соединения/несоединения базы с коллектором я думаю, что если коллектор не соединен с базой, то это не означает что он не влияет на текущие процессы. Т.к. его потенциал всё равно будет меняться вместе с потенциалом базы, то в этом случае он будет просто бесполезной нагрузкой, а вот будучи подключенным он наоборот будет помогать более быстрому оттоку заряда из базы.

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

Присоединяйтесь к обсуждению

Вы можете написать сейчас и зарегистрироваться позже. Если у вас есть аккаунт, авторизуйтесь, чтобы опубликовать от имени своего аккаунта.

Гость
К сожалению, ваш контент содержит запрещённые слова. Пожалуйста, отредактируйте контент, чтобы удалить выделенные ниже слова.
Ответить в этой теме...

×   Вставлено с форматированием.   Вставить как обычный текст

  Разрешено использовать не более 75 эмодзи.

×   Ваша ссылка была автоматически встроена.   Отображать как обычную ссылку

×   Ваш предыдущий контент был восстановлен.   Очистить редактор

×   Вы не можете вставлять изображения напрямую. Загружайте или вставляйте изображения по ссылке.

×
×
  • Создать...