[IlCF 0]

Аваев, Наумов, Фролкин - Основы микроэлектроники. 1991. Стр. 67, гл. 3.7. "Диодное включение транзистора".

 

Ну и вот какая-то информация по теме. Правда, откуда автор брал приведенные там данные, я не знаю.

[GetSmart 0]

Аваев, Наумов, Фролкин - Основы микроэлектроники. 1991. Стр. 67, гл. 3.7. "Диодное включение транзистора".

Смотрел перед зачатием темы. Там обсуждаемая информация не прояснена. И акцент на интегральных (микросхемных) решениях.

 

У меня почему-то стр, и год совпадают, но три автора другие.

Изменено 21 октября, 2016 пользователем GetSmart

[Herz 6]

Модератор! Какое слово и когда запретили?

Прошу внятного ответа. Когда решили чёрное не называть чёрным?

 

Отмодерированная версия потеряла часть смысла. Пока восстановлю помягче

Ответил в Личку, чтобы не повторять здесь непристойностей. Не забывайте о Правилах.

И надеюсь, что не "пока", а и впредь Вы сможете выражать смыслы прилично. Получается ведь?

[GetSmart 0]

соответственно предельный ток будет ограничиваться максимальным током базы, который для маломощных транзисторов даже не приводится.

Там, где не приводится, его можно определить как Iкmax/h21эmin. Iкmax импульсный или постоянный - тоже, видимо, повлияет на импульсный ток базы или постоянный. С указанной скважностью/длительностью.

 

Без зымыкания БЭ диод будет и более быстрый.

 

Тема инверсного режима биполярного транзистора была достойной ХХ. Жаль, что её там нет.

Нюансы, которые полезно знать. И где спрятаны грабли.

 

Herz, криминала у меня не было. Выглядит всё как ложное срабатывание.

Изменено 23 октября, 2016 пользователем GetSmart

[Alexashka 0]

Там, где не приводится, его можно определить как Iкmax/h21эmin.

И получите копейки. Лучше всё же использовать те, для которых указывается, например BC847/846. У второго кстати Iбmax=Iкmax, правда дают только импульсный, но хоть чтото.

 

Без зымыкания БЭ диод будет и более быстрый.

Это да, но емкость коллекторного перехода обычно гораздо меньше (чем эмиттерного), плюс в инверсном включении ток базы будет в разы больше (если не на порядок), а значит рассасывание в базе тоже будет происходить быстрее .

Но...всё зависит от конкретной задачи.

[krux 8]

все эквивалентные схемы (модели) БПТ, взять хоть тех же Гуммеля и Пуна строились исходя из того, что транзистор может быть применен в схемах ОЭ ОК ОБ.

поскольку специфические варианты включения типа диодного при построении модели не рассматривались, то и применять эти модели в таких случаях - некорректно.

 

 

[GetSmart 0]

Дополню, иначе непонятно относительно чего

Это да, но емкость коллекторного перехода обычно гораздо меньше (чем эмиттерного), плюс в инверсном включении ток базы будет в разы больше (если не на порядок), а значит рассасывание в базе тоже будет происходить быстрее .

быстрее диода с замкнутым КБ. А не диода со свободным Э. (так предполагаю) А в книжке "Основы микроэлектроники. 1991" говорится, что самый быстрый диод из перехода БЭ с неподключённым К. Но физику там не проясняют. Диод с замкнутыми КЭ там назван самым медленным. Ясной картины из той информации не складывается. И её там очень мало. Есть опасения, что болтающийся пин за счёт утечек и ёмкостей может "гулять" и управлять.

(выше обновил!)

 

2 krux

Кажется участник SM когда-то писал, что симулятор вообще не обязан знать что такое ОЭ, ОК и ОБ. Ну а с моделями мне было любопытно что туда закладывают, если производитель такие нестандартные характеристики сам (вероятно) не обмеряет и не документирует. В таких условиях разброс недокументированных характеристик в модель нужно закладывать с большим запасом.

Изменено 23 октября, 2016 пользователем GetSmart

[Alexashka 0]

быстрее диода с замкнутым КБ. А не диода со свободным Э. А в книжке "Основы микроэлектроники. 1991" говорится, что самый быстрый диод из перехода БЭ с неподключённым К.

Вот это кстати вопрос. Диод с КБ-Э (с замкнутым база-коллектор) по идее должен быть быстрее, т.к транзистор там в активном режиме по сути, и обладает минимальным прямым падением напряжения, а значит и избыточный заряд там меньше.

Про неподключенный К -может это както связано с эффектами подложки? Вы не могли бы привести скриншот из книги с объяснением что и как?

[GetSmart 0]

скрин из книги "Основы микроэлектроники. 1991"

[Alexashka 0]

скрин из книги "Основы микроэлектроники. 1991"

Скачал эту книгу (Аваев, Наумов, Фролкин 1991) но там совсем другой текст, хотя картинка с транзисторами та же.

Посмотрел еще одну книгу "Электроника", Шишкин А.Г, Шишкин Г.Г., Москва 2009. Вот выдержки из нее:

 

Подытоживая можно сказать, что лучшее по быстродействию - это включение БК-Э.

Б-Э имеет в 5 раз хуже время восстановления, но не требует создания дополнительной коллекторной области и занимает меньше площадь в кристалле, поэтому также часто используется в качестве диода в микросхемотехнике.

 

Более высоковольтный диод получается при использовании включений БЭ-К и Б-К. И что интересно время восстановления у БК-Э (50 нс) меньше, чем у Б-К (75 нс) и совпадает с временем восстановления низковольтного Б-Э. :)

[GetSmart 0]

Эта таблица если достоверна, то актуальна для микросхемных транзисторов из-за общей подложки всех элементов микросхемы. А у меня изначально встал вопрос, если сделать диод из транзистора в sot23, то как его включить. Не знаю, доверять ли картинкам, которые утверждают, что у активного режима транзистора (БК-Э) время восстановления быстрее, чем у просто базового перехода (Б-Э). Это должно быть при одинаковых условиях теста (токах). А чуть раньше я встал на граблю активации инверсного режима там, где я его не ждал. Точнее не заметил.

Изменено 23 октября, 2016 пользователем GetSmart

[Alexashka 0]

В дискретном транзисторе подложкой является коллектор, поэтому на представленных картинках просто убираете емкость Скп. В остальном всё то же самое, имхо.

 

По поводу соединения/несоединения базы с коллектором я думаю, что если коллектор не соединен с базой, то это не означает что он не влияет на текущие процессы. Т.к. его потенциал всё равно будет меняться вместе с потенциалом базы, то в этом случае он будет просто бесполезной нагрузкой, а вот будучи подключенным он наоборот будет помогать более быстрому оттоку заряда из базы.