[AML 0]

если возможно смоделируйте, что получится?

Не сообразил сразу. :( Неплохо бы еще цепь коммутации первичных обмоток управляющего трансформатора знать.

[shtopor 0]

если возможно смоделируйте, что получится?

Не сообразил сразу. :( Неплохо бы еще цепь коммутации первичных обмоток управляющего трансформатора знать.

пожалста

8,11 ноги tl494 к базам Q1, Q2

свободный вывод R7 к токовой защите.

С1,С3,С4 электролиты.

к "+" С4 диод с катода силового выпрямителя .

R5,R6 измерены в схеме без извлечения (цветовые колца потемнели и не читаются).

[shtopor 0]

.... 2x9 вторичная отвод для связи с силовым тр-ром 2 витка ....

Отношение коллекторного тока к базовому во включенном состоянии 9:2=4.5. Базовый ток в таком случае 12А/4.5=2.7А. Считаем, что конденсатор заряжается до амплитудного значения... Может, конечно что-то упущено, но первое впечатление ...

Надо приводить в порядок базовую цепь. Конденсатор при максимальном токе должен заряжаться вольт до ~4..6. Полное напряжение на базовой обмотке не должно превышать Uб=Uкэ.max*(9/37), Uкэ.max- для транзисторов управления (могут пробиться). Не уверен, но "чересчур резкие" попытки менять базовую цепь могут привести паразитным переходным процессам на закрытом переходе и сквозным токам. :huh:

про ток базы если можено поподробнее, что то я не совсем включаюсь.

то есть ток базы в моем случае определяется током коллектора и отношением витков вторичной обмотки промежуточного трансформатора и "обмотки связи" так? а напряжение соответственно напряжением питания дежурного режима и отножением витков первичной и вторичной обмотки промежуточного трансформатора? я все правильно понял?

транзисторы управления С945 если память не изменяет до 100в

"черезчур резких" попытокменять цепи управления небыло:) разве что сопротевления в базе ключей менялись от 4.7 до 4.3 ом . сооствено потому и спрашиваю пара транзисторов=200 рублей.

[rod 0]

про ток базы если можено поподробнее, что то я не совсем включаюсь....

Задача цепи управления - поддерживать силовой транзистор в приоткрытом состоянии. Энергии для этого "много не требуется". "В приоткрытом состоянии" базовая цепь достаточно низкоомна, поэтому "довольно точно" происходит взаимная компенсация потоков от выходного и базового тока. Таким образом автоматически поддерживается соотношение Ik/Ib, не позволяя транзитору зайти в глубокое насыщение во всем диапазоне рабочих токов. ( Много кавычек из-за попытки упрощенного описания. )

Если увеличивать сопротивление базовой цепи, заданное соотношение Ik/Ib все равно будет стремиться выполняться, однако с меньшей точностью. Часть энергии будет уходить на перемагничивание. На больших токах это должно быть меньше заметно (?). Во всяком случае, пока "сердечника хватает", Ib=k*Ik за вычетом "расходов" на доп. перемагничивание. Выключение силового транзистора происходит при закорачивании обмотки управления ( включаются оба транзистора, принимая на себя выходной ток, Iвых*2/39 на время выключения выходного транзистора ). D5 устраняет шунтирующее влияние цепи питания управления ( когда на управляющей обмотке напряжение превышает питание 12В ). D6 - в цепи защиты, кажется должен идти на компаратор. Сигнал в этой цепи через параметры базовой цепи и трансик характеризует выходной ток.

 

Вроде пока все..

[shtopor 0]

про ток базы если можено поподробнее, что то я не совсем включаюсь....

Задача цепи управления - поддерживать силовой транзистор в приоткрытом состоянии. Энергии для этого "много не требуется". "В приоткрытом состоянии" базовая цепь достаточно низкоомна, поэтому "довольно точно" происходит взаимная компенсация потоков от выходного и базового тока. Таким образом автоматически поддерживается соотношение Ik/Ib, не позволяя транзитору зайти в глубокое насыщение во всем диапазоне рабочих токов. ( Много кавычек из-за попытки упрощенного описания. )

Если увеличивать сопротивление базовой цепи, заданное соотношение Ik/Ib все равно будет стремиться выполняться, однако с меньшей точностью. Часть энергии будет уходить на перемагничивание. На больших токах это должно быть меньше заметно (?). Во всяком случае, пока "сердечника хватает", Ib=k*Ik за вычетом "расходов" на доп. перемагничивание. Выключение силового транзистора происходит при закорачивании обмотки управления ( включаются оба транзистора, принимая на себя выходной ток, Iвых*2/39 на время выключения выходного транзистора ). D5 устраняет шунтирующее влияние цепи питания управления ( когда на управляющей обмотке напряжение превышает питание 12В ). D6 - в цепи защиты, кажется должен идти на компаратор. Сигнал в этой цепи через параметры базовой цепи и трансик характеризует выходной ток.

 

Вроде пока все..

спасибо объяснение на пальцах вам вполне удалось :a14:

однако вопрос о практических изменениях связанных с заменой силовых ключей на более мощные остается открытым. что следует менять и в каком направлении? как проконтролировать "удачность" изменений?

[rod 0]

... как проконтролировать "удачность" изменений?

Дать "точечный рецепт" задтрудняюсь. Из общих соображений: для начала восстановить работоспособность. Часто вылетают элементы базовых цепей (следует тщательно порверить все, вплоть до конденсаторов - приходилось сталкиваться с потерей емкости). На малых-средних нагрузках посмотреть ( если Вы еще не сделали это ) сигналы в базовой цепи относительно эмиттера.

Критерием "удачности" будет надежное окрывание силовых транзисторов, отсутствие превышения Uбэ.max, отсутствие "сквозняка", достаточно малая амплитуда паразитных выбросов на базе закрытого транзистора при коммутации "соседа". Мертвое время при необходимости можно увеличить. Конденсаторы в базовых цепях видимо следуте взять "покрепче". Такое впечатление, что хлипковаты они для таких импульсных токов ( можно как минимум поставить парочку в параллель ). R1..R4 надо уменьшать, D1,D2 взять помощнее. R1,R2 определяют обратное напряжение на базе, R3,R4 демпфируют паразитные колебания при коммутации. 2SC945 может оказаться слабоват ( 100ма ). Его "замена" должна надежно закорачивать обмотку управления при макс. нагрузке.

Успехов. :mellow:

[shtopor 0]

[quote name='shtopor' post='103107' date='Apr 10 2006, 17:21'Критерием "удачности" будет надежное окрывание силовых транзисторов, отсутствие превышения Uбэ.max, отсутствие "сквозняка", достаточно малая амплитуда паразитных выбросов на базе закрытого транзистора при коммутации "соседа". Мертвое время при необходимости можно увеличить. Конденсаторы в базовых цепях видимо следуте взять "покрепче". Такое впечатление, что хлипковаты они для таких импульсных токов ( можно как минимум поставить парочку в параллель ). R1..R4 надо уменьшать, D1,D2 взять помощнее. R1,R2 определяют обратное напряжение на базе, R3,R4 демпфируют паразитные колебания при коммутации. 2SC945 может оказаться слабоват ( 100ма ). Его "замена" должна надежно закорачивать обмотку управления при макс. нагрузке.

Успехов. :mellow:

спасибо сегодня привезут транзисторы и помолясь.... во имя альта, контрола и дела и всемогущего ресета - Аминь.

[shtopor 0]

собственно я опять с вопросами.

заменил ключи на воттакие 2SC3996_SANYO.pdf

уменьшил сопративления в базах до 3.9 ом

с нагрузкой 10.5А 18V все хорошо все умеренно теплое.

увеличил нагрузку до 16А ключи начали активно разогреваться.

заменил емкости с 1мкф на 2.2 какихлибо изменений не заметил.

как заставить транзисторы греться не так активно?

[DS 0]

Явно базового тока не хватает - транзисторы начинают на линейный режим выходить. Вы видимо уже выходите за ту предельную мощность, на которую рассчитан блок питания. Уже наверное проще новый посчитать и построить, чем этот мучить.

Надо, наверное, резисторы, ограничивающие ток через базовый трансформатор, уменьшать. Но что-нибудь еще может нагнуться - например мелкие транзисторы.

Изменено 15 апреля, 2006 пользователем DS_

[rod 0]

как заставить транзисторы греться не так активно?

Желательно определить, с чем бороться. Скорее всего, растут статические потери ( маловероятно, но может и сквозняк ). Можно попробовать измерить Uкэ в насыщении. Это позволит как выяснить причину, так и оценить эффективность будущих мер. Т.к. напрямую измерить невозможно из-за большой амплитуды, надо обрезать лишнее. Простейший способ ( полной уверенности нет, но вроде должно получиться ): резистор с последовательной цепочкой маломощных диодов (стабилитрон не желательно - емкость и напряжение большие ) в качестве стабилитнона между К-Э + пробник с малой емкостью. Если взять резистор в районе 3кОм ( ток через диоды 100 ма имп. ) постоянная времени 3к*(15пФ+n*Cd)=... xxx нс, вроде должно быть видно. Удастся измерить - дальше будет ясно куда двигаться :unsure: . И посмотрите напряжение на базе ( могу ошибиться, но там все должно "зашкаливать" ).

[shtopor 0]

а что уважаемый ALL скажет поповоду такого вот включения транзисторов.

с поправкой на подбор пар транзисторов?

по поводу того, что я преодолел порог источника полностью не согласен.

этот же источник выдавал 300W и грелся при этом сравнительно не сильно.

вопрос замены ключей стал после того как я попросил от него ~450W

при этом стояли ключи С3024 12А и несколько больше h2

сейчас стоят С3996 у них ток коллектора 15А но при этом меньше h2

[AML 0]

Из справочных данных следует, что уже при токе 12 А минимальное значение h составляет 4. В то время как коэффициент трансформации тока управляющего трансформатора - 4,5. Транзистор вполне может выходить из насыщения. У штатного варианта источника этого не происходило, потому что транзисторы имели большее значение h.

Поэтому один из критерий выбора транзистора для этой схемы - при максимальном рабочем токе h должно быть больше 5.

 

Думаю, что изменения соотношений резисторов в цепи управления малоэффективны. Нужно либо применять транзисторы с большим h, либо уменьшать коэффициент трансформации тока (к примеру, домотав еще один виток в токовую обмотку. Тогда коэф. трансформации должен стать не 4.5, а 3, увеличится базовый ток и транзистор не будет выходить их насыщения)

 

p/s/ С моделированием схемы управления с ходу не получилось, а разбираться с заморочками пока нет времени.

[shtopor 0]

Простейший способ ( полной уверенности нет, но вроде должно получиться ): резистор с последовательной цепочкой маломощных диодов (стабилитрон не желательно - емкость и напряжение большие ) в качестве стабилитнона между К-Э + пробник с малой емкостью. Если взять резистор в районе 3кОм ( ток через диоды 100 ма имп. ) постоянная времени 3к*(15пФ+n*Cd)=... xxx нс, вроде должно быть видно. Удастся измерить - дальше будет ясно куда двигаться :unsure: . И посмотрите напряжение на базе ( могу ошибиться, но там все должно "зашкаливать" ).

меня пугает "Полной уверенности нет" , дальше не понятно.. :(

что значит напряжение в базе должно "зашкаливать"?

ориггинальные транзисторы с2625 Iб 3А Uбэ 7в, сейчас С3996 Iб 3А Uбэ 6в отличия не глобальные.

я специалььно в предидущих постах вешал pdf что бы знающие люди сказали где я просмотрел и что изменить.

поповоду сквозняков, ток коллектора с паузами не меньше 2 мкс полный периуд 16мкс.

 

 

 

 

Из справочных данных следует, что уже при токе 12 А минимальное значение h составляет 4. В то время как коэффициент трансформации тока управляющего трансформатора - 4,5. Транзистор вполне может выходить из насыщения. У штатного варианта источника этого не происходило, потому что транзисторы имели большее значение h.

Поэтому один из критерий выбора транзистора для этой схемы - при максимальном рабочем токе h должно быть больше 5.

 

p/s/ С моделированием схемы управления с ходу не получилось, а разбираться с заморочками пока нет времени.

может в промежуточный трансформатор виток домотать/снять?

[AML 0]

Ну вот, пока я дополнение к ответу писал, ты и сам сообразил :)

[DS 0]

R5 и R6 надо, наверное, в любом случае уменьшить. Они ограничивают мощность в цепи базы, а раз ее надо увеличивать, витками не поможешь.

Можно к L3 виток добавить, но это может быть чревато изменением режима силовой цепи. Параллельное включение биполярных транзисторов h не увеличит.

Вообще, биполярные транзисторы параллелятся существенно хуже, чем полевые, т.к. если один оказывается горячее другого, то у него растет h, и соответственно, ток еще увеличивается, пока он не сгорит. У полевика ток при нагреве уменьшается. Поэтому если можно обойтись без запараллеливания, лучше ставить один транзистор.

Изменено 15 апреля, 2006 пользователем DS_