AlexandrY 3 4 июля, 2016 Опубликовано 4 июля, 2016 · Жалоба А какое ваше мнение об этой плате? Какие проблемы при разъемах на противоположных краях, расскажите пожалуйста. Плата как плата, работать будет. А нет так сделаете тюнинг и все равно будет работать. Производитель плат исправит сам нахлесты шелкографии и мелкие щели в меди, это конечно мелочи. Более интересен ваш подход к управлению питанием. Есть какие нибудь аргументы ставить параллельно в питание резистор 100 Ом, да еще на затвор ключа вешать 1 мкФ конденсатор из-за чего питание будет медленно нарастать (а процессоры не любят такого)? И диод зенера проигнорировали. А он там неспроста рекомендован я подозреваю. Кстати, SIMCOM несколько раз в мануале повторяет, что земля питания заводится только на 36 и 37. У вас же все GND пины объеденены общей землей да еще и RF земля туда же. Опять получите гудение в наушниках. :laughing: Да, еще это кольцо переходных вокруг антенного пина, оно же создает почти коаксиал, и он явно не согласован на 50 Ом. А с разъемами просто - нельзя ставить процессор на пути наводок. А все наводки идут с разъемов. Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
turnon 1 4 июля, 2016 Опубликовано 4 июля, 2016 · Жалоба Есть какие нибудь аргументы ставить параллельно в питание резистор 100 Ом, да еще на затвор ключа вешать 1 мкФ конденсатор из-за чего питание будет медленно нарастать (а процессоры не любят такого)? Резистор 100 Ом для разряда конденсаторов при снятии питания. Подключается только при снятии питания. А конденсатор на затворе - чтобы не было провалов при резком отерытии полевика и начале заряда конденсаторов за полевиком (2 по 220 uF). Это долго обсуждалось здесь и схема именно оттуда. И диод зенера проигнорировали. А он там неспроста рекомендован я подозреваю. На самой плате главной есть SMAJ5.0, нужен еще и стабилитрон на плате SIM800C? Не понимаю для чего именно стабилитрон, а не TVS-диод. Кстати, SIMCOM несколько раз в мануале повторяет, что земля питания заводится только на 36 и 37. У вас же все GND пины объеденены общей землей да еще и RF земля туда же. Опять получите гудение в наушниках. :laughing: А остальная земля куда посоединяться должна? На точку земли конденсаторов? А как же рекомендации про полигон под SIM800C? Как должен полигон под SIM800С соединяться с землянными пинами SIM800C? Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
AlexandrY 3 4 июля, 2016 Опубликовано 4 июля, 2016 · Жалоба Это долго обсуждалось и схема именно оттуда. Да, чуднО. Там только народ не учел ESR конденсаторов, и то что оно зависит от частоты. Спокойно ставьте большой конденсатор до ключа. И сможете тогда убрать кучку лишнего. На самой плате главной есть SMAJ5.0, нужен еще и стабилитрон на плате SIM800C? Не понимаю для чего именно стабилитрон, а не TVS-диод. Потому что они не от статики защищаются, а возможно от своих собственных бустеров в модуле. Короче я б поставил, как рекомендуют. Китайцы лишнего не пририсуют. А остальная земля куда посоединяться должна? На точку земли конденсаторов? А как же рекомендации про полигон под SIM800C? Как должен полигон под SIM800С соединяться с землянными пинами SIM800C? А где та рекомендация с полигоном? Что-то не нашел. Оно конечно надо знать топологию платы самого модуля. Но логично предположить, что в модуле отделены аналоговая и цифровая земли, а вы тут берете и брутально их снаружи коротите. Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
turnon 1 5 июля, 2016 Опубликовано 5 июля, 2016 · Жалоба Потому что они не от статики защищаются, а возможно от своих собственных бустеров в модуле. Короче я б поставил, как рекомендуют. Китайцы лишнего не пририсуют. А, во как. Поставлю. Но логично предположить, что в модуле отделены аналоговая и цифровая земли, а вы тут берете и брутально их снаружи коротите. Так а где же соединять? Как не на земле конденсаторов. Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
Aner 4 5 июля, 2016 Опубликовано 5 июля, 2016 (изменено) · Жалоба Резистор 100 Ом для разряда конденсаторов при снятии питания. Подключается только при снятии питания. А конденсатор на затворе - чтобы не было провалов при резком отерытии полевика и начале заряда конденсаторов за полевиком (2 по 220 uF). Это долго обсуждалось здесь и схема именно оттуда. Такой полевк VT2 там избыточен. К тому же посмотрите на его огромную емкость затвора. Такой большой емкости С1 там не нужен, к тому же увеличивает затворную емкость VT3. Вы на симуляторе хоть прогоните эту вашу конструкцию. Изменено 5 июля, 2016 пользователем Herz Избыточное цитирование Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
turnon 1 5 июля, 2016 Опубликовано 5 июля, 2016 · Жалоба А где та рекомендация с полигоном? Что-то не нашел. Оно конечно надо знать топологию платы самого модуля. Но логично предположить, что в модуле отделены аналоговая и цифровая земли, а вы тут берете и брутально их снаружи коротите. Из sim900_an_reference design guide: "The layout of GROUND is very important. A whole ground layer is the best for module performance if it is possible." Думаю в SIM800C ситуация не поменялась. Такой полевк VT2 там избыточен. Почему избыточен? Если поставить просто резистор 100 Ом без полевика, будет излишнее потребление в энергосберегающих режимах. К тому же посмотрите на его огромную емкость затвора. Такой большой емкости С1 там не нужен, к тому же увеличивает затворную емкость VT3. Вы на симуляторе хоть прогоните эту вашу конструкцию. Прогонял, достигается как раз нужный эффект - менее резкое открывание VT2. Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
Aner 4 5 июля, 2016 Опубликовано 5 июля, 2016 · Жалоба Поменялась, по другому там. Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
turnon 1 5 июля, 2016 Опубликовано 5 июля, 2016 · Жалоба Спокойно ставьте большой конденсатор до ключа. И сможете тогда убрать кучку лишнего. Это вариант, но в этом случае не получится конденсатор расположить максимально близко к выводам VBAT. Да и зачем увеличивать ESR конденсатора на величину сопротивления канала полевика. Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
Aner 4 5 июля, 2016 Опубликовано 5 июля, 2016 · Жалоба ... Прогонял, достигается как раз нужный эффект - менее резкое открывание VT2. А может там нужно резкое открывание VT2? Как с ESR ? Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
turnon 1 5 июля, 2016 Опубликовано 5 июля, 2016 · Жалоба Поменялась, по другому там. А как именно по другому? В даташите тоже говорится: "There are 10 GND pads in the module; these pads could enhance the GND performances. On the upper layer of these pads, do not trace any signal if possible." Я это понимаю что тоже сверху надо единый полигон GND. Это не так? А может там нужено резкое открывание VT2? Как с ESR ? Так от резкого открывания как раз и надо избавиться. Как с ESR какого компонента? Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
Aner 4 5 июля, 2016 Опубликовано 5 июля, 2016 (изменено) · Жалоба Я это понимаю что тоже сверху надо единый полигон GND. Это не так? Это так, но там по другому пути идут токи в отличие от SIM900 и это меняет подход к разводки земли. То что вы стрелками указали в SIM900; в SIM800 такого нет, и питание и симкарта на других пинах. Скорость нарастания напряжения питания должна быть достаточно высокой, ее не нужно тормозить, для этого и С ставят с низким ESR. И если эмулированли вашу конструкцию корректно с нагрузками то покажите графики. Изменено 5 июля, 2016 пользователем Herz Избыточное цитирование Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
turnon 1 5 июля, 2016 Опубликовано 5 июля, 2016 · Жалоба Это так, но там по другому пути идут токи в отличие от SIM900 и это меняет подход к разводки земли. То что вы стрелками указали в SIM900; в SIM800 такого нет, и питание и симкарта на других пинах. Так что, не должно быть единого полигона под модулем? Скорость нарастания напряжения питания должна быть достаточно высокой, ее не нужно тормозить, для этого и С ставят с низким ESR. И если эмулированли вашу конструкцию корректно с нагрузками то покажите графики. Вот с конденсатором, ток не привысил 2.4А: Вот без конденсатора, в пике при включении ток заряда конденсатора до 15А: То что вы стрелками указали в SIM900; в SIM800 такого нет, и питание и симкарта на других пинах. Где, какими стрелками? Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
AlexandrY 3 5 июля, 2016 Опубликовано 5 июля, 2016 · Жалоба Из sim900_an_reference design guide: "The layout of GROUND is very important. A whole ground layer is the best for module performance if it is possible." Думаю в SIM800C ситуация не поменялась. Опять надо думать почему разработчики так рекомендуют. Я считаю, что это рекомендация опять из-за опасений прохода сквозных наводок через модуль. Они перестраховываются и заставляют делать еще одни плэйн земли под модулем чтобы шунтировать возможные внешние наводки с разъемов. Соответственно им будет меньше рекламаций на сбои при любом исполнении остальной трассировки плат с модулем. Но это же решение приводит и к негодному качеству акустического канала. Но разработчиков модуля это уже меньше волнует, они спокойно сошлются на ваши кривые руки. Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
turnon 1 5 июля, 2016 Опубликовано 5 июля, 2016 · Жалоба Но это же решение приводит и к негодному качеству акустического канала. Так а как же все таки должны соединяться земля mic и sim с остальной? В какой точке? У меня сложилось впечатление, что никто не делал еще ни одной реальной платы с SIM800C. Теоретические высказываания все логичные, но практических нет. Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
AlexandrY 3 5 июля, 2016 Опубликовано 5 июля, 2016 · Жалоба Вот с конденсатором, ток не привысил 2.4А: Вот без конденсатора, в пике при включении ток заряда конденсатора до 15А: Это не совсем корректные симуляции. Во первых у вас еще стоит дроссель, во вторых у вас там целая пачка конденсаторов у модуля с разными характеристиками, резонансами и проч. Не учтена реакция самого модуля на изменение питания. В третьих вы не можете просимулировать (не хватит мощи симулятра) полную картину во временном масштабе от миллисекунд до наносекунд ( а процессоры нынче реагируют на гличи в единицы наносекунд). Так а как же все таки должны соединяться земля mic и sim с остальной? В какой точке? Они ж соеденены у них на модуле! Зачем еще раз соединять? Теоретические высказываания все логичные, но практических нет. Ну что вам сказать. Я всю жизнь делал сплошные полигоны под GSM модулями и всегда получал отвратный звук. Мы ставим решения с GSM от европейских брендов имеющих опыт в десятки лет и у них тоже отвратный звук. Может хоть вы сделаете наоборот и обрадуете нас потрясающими результатами. Это же сложнейший компромисс. И зависит от ваших собственных приоритетов. Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться