[AlexandrY 3]

А какое ваше мнение об этой плате?

 

Какие проблемы при разъемах на противоположных краях, расскажите пожалуйста.

Плата как плата, работать будет.

А нет так сделаете тюнинг и все равно будет работать.

Производитель плат исправит сам нахлесты шелкографии и мелкие щели в меди, это конечно мелочи.

 

Более интересен ваш подход к управлению питанием.

Есть какие нибудь аргументы ставить параллельно в питание резистор 100 Ом, да еще на затвор ключа вешать 1 мкФ конденсатор из-за чего питание будет медленно нарастать (а процессоры не любят такого)?

И диод зенера проигнорировали. А он там неспроста рекомендован я подозреваю.

 

Кстати, SIMCOM несколько раз в мануале повторяет, что земля питания заводится только на 36 и 37.

У вас же все GND пины объеденены общей землей да еще и RF земля туда же.

Опять получите гудение в наушниках. :laughing:

 

Да, еще это кольцо переходных вокруг антенного пина, оно же создает почти коаксиал, и он явно не согласован на 50 Ом.

А с разъемами просто - нельзя ставить процессор на пути наводок. А все наводки идут с разъемов.

[turnon 1]

Есть какие нибудь аргументы ставить параллельно в питание резистор 100 Ом, да еще на затвор ключа вешать 1 мкФ конденсатор из-за чего питание будет медленно нарастать (а процессоры не любят такого)?

Резистор 100 Ом для разряда конденсаторов при снятии питания. Подключается только при снятии питания.

А конденсатор на затворе - чтобы не было провалов при резком отерытии полевика и начале заряда конденсаторов за полевиком (2 по 220 uF).

Это долго обсуждалось здесь и схема именно оттуда.

 

И диод зенера проигнорировали. А он там неспроста рекомендован я подозреваю.

На самой плате главной есть SMAJ5.0, нужен еще и стабилитрон на плате SIM800C? Не понимаю для чего именно стабилитрон, а не TVS-диод.

 

Кстати, SIMCOM несколько раз в мануале повторяет, что земля питания заводится только на 36 и 37.

У вас же все GND пины объеденены общей землей да еще и RF земля туда же.

Опять получите гудение в наушниках. :laughing:

А остальная земля куда посоединяться должна? На точку земли конденсаторов?

А как же рекомендации про полигон под SIM800C? Как должен полигон под SIM800С соединяться с землянными пинами SIM800C?

[AlexandrY 3]

Это долго обсуждалось и схема именно оттуда.

Да, чуднО. Там только народ не учел ESR конденсаторов, и то что оно зависит от частоты.

Спокойно ставьте большой конденсатор до ключа. И сможете тогда убрать кучку лишнего.

На самой плате главной есть SMAJ5.0, нужен еще и стабилитрон на плате SIM800C? Не понимаю для чего именно стабилитрон, а не TVS-диод.

Потому что они не от статики защищаются, а возможно от своих собственных бустеров в модуле. Короче я б поставил, как рекомендуют. Китайцы лишнего не пририсуют.

А остальная земля куда посоединяться должна? На точку земли конденсаторов?

А как же рекомендации про полигон под SIM800C? Как должен полигон под SIM800С соединяться с землянными пинами SIM800C?

А где та рекомендация с полигоном? Что-то не нашел.

Оно конечно надо знать топологию платы самого модуля.

Но логично предположить, что в модуле отделены аналоговая и цифровая земли, а вы тут берете и брутально их снаружи коротите.

[turnon 1]

Потому что они не от статики защищаются, а возможно от своих собственных бустеров в модуле. Короче я б поставил, как рекомендуют. Китайцы лишнего не пририсуют.

А, во как. Поставлю.

Но логично предположить, что в модуле отделены аналоговая и цифровая земли, а вы тут берете и брутально их снаружи коротите.

Так а где же соединять? Как не на земле конденсаторов.

[Aner 4]

Резистор 100 Ом для разряда конденсаторов при снятии питания. Подключается только при снятии питания.

А конденсатор на затворе - чтобы не было провалов при резком отерытии полевика и начале заряда конденсаторов за полевиком (2 по 220 uF).

Это долго обсуждалось здесь и схема именно оттуда.

Такой полевк VT2 там избыточен. К тому же посмотрите на его огромную емкость затвора. Такой большой емкости С1 там не нужен, к тому же увеличивает затворную емкость VT3.

Вы на симуляторе хоть прогоните эту вашу конструкцию.

Изменено 5 июля, 2016 пользователем Herz
Избыточное цитирование

[turnon 1]

А где та рекомендация с полигоном? Что-то не нашел.

Оно конечно надо знать топологию платы самого модуля.

Но логично предположить, что в модуле отделены аналоговая и цифровая земли, а вы тут берете и брутально их снаружи коротите.

Из sim900_an_reference design guide:

"The layout of GROUND is very important. A whole ground layer is the best for module performance if it is possible."

Думаю в SIM800C ситуация не поменялась.

Такой полевк VT2 там избыточен.

Почему избыточен? Если поставить просто резистор 100 Ом без полевика, будет излишнее потребление в энергосберегающих режимах.

К тому же посмотрите на его огромную емкость затвора. Такой большой емкости С1 там не нужен, к тому же увеличивает затворную емкость VT3.

Вы на симуляторе хоть прогоните эту вашу конструкцию.

Прогонял, достигается как раз нужный эффект - менее резкое открывание VT2.

[Aner 4]

Поменялась, по другому там.

[turnon 1]

Спокойно ставьте большой конденсатор до ключа. И сможете тогда убрать кучку лишнего.

Это вариант, но в этом случае не получится конденсатор расположить максимально близко к выводам VBAT. Да и зачем увеличивать ESR конденсатора на величину сопротивления канала полевика.

 

[Aner 4]

...

 

Прогонял, достигается как раз нужный эффект - менее резкое открывание VT2.

А может там нужно резкое открывание VT2? Как с ESR ?

[turnon 1]

Поменялась, по другому там.

А как именно по другому? В даташите тоже говорится:

"There are 10 GND pads in the module; these pads could enhance the GND performances. On the upper layer of these pads, do not trace any signal if possible."

Я это понимаю что тоже сверху надо единый полигон GND. Это не так?

А может там нужено резкое открывание VT2? Как с ESR ?

Так от резкого открывания как раз и надо избавиться.

Как с ESR какого компонента?

[Aner 4]

Я это понимаю что тоже сверху надо единый полигон GND. Это не так?

Это так, но там по другому пути идут токи в отличие от SIM900 и это меняет подход к разводки земли. То что вы стрелками указали в SIM900; в SIM800 такого нет, и питание и симкарта на других пинах.

 

Скорость нарастания напряжения питания должна быть достаточно высокой, ее не нужно тормозить, для этого и С ставят с низким ESR.

И если эмулированли вашу конструкцию корректно с нагрузками то покажите графики.

Изменено 5 июля, 2016 пользователем Herz
Избыточное цитирование

[turnon 1]

Это так, но там по другому пути идут токи в отличие от SIM900 и это меняет подход к разводки земли. То что вы стрелками указали в SIM900; в SIM800 такого нет, и питание и симкарта на других пинах.

Так что, не должно быть единого полигона под модулем?

Скорость нарастания напряжения питания должна быть достаточно высокой, ее не нужно тормозить, для этого и С ставят с низким ESR.

И если эмулированли вашу конструкцию корректно с нагрузками то покажите графики.

Вот с конденсатором, ток не привысил 2.4А:

Вот без конденсатора, в пике при включении ток заряда конденсатора до 15А:

То что вы стрелками указали в SIM900; в SIM800 такого нет, и питание и симкарта на других пинах.

Где, какими стрелками?

[AlexandrY 3]

Из sim900_an_reference design guide:

"The layout of GROUND is very important. A whole ground layer is the best for module performance if it is possible."

 

Думаю в SIM800C ситуация не поменялась.

Опять надо думать почему разработчики так рекомендуют.

 

Я считаю, что это рекомендация опять из-за опасений прохода сквозных наводок через модуль.

Они перестраховываются и заставляют делать еще одни плэйн земли под модулем чтобы шунтировать возможные внешние наводки с разъемов.

Соответственно им будет меньше рекламаций на сбои при любом исполнении остальной трассировки плат с модулем.

 

Но это же решение приводит и к негодному качеству акустического канала.

Но разработчиков модуля это уже меньше волнует, они спокойно сошлются на ваши кривые руки.

[turnon 1]

Но это же решение приводит и к негодному качеству акустического канала.

Так а как же все таки должны соединяться земля mic и sim с остальной? В какой точке?

 

У меня сложилось впечатление, что никто не делал еще ни одной реальной платы с SIM800C. Теоретические высказываания все логичные, но практических нет.

[AlexandrY 3]

Вот с конденсатором, ток не привысил 2.4А:

Вот без конденсатора, в пике при включении ток заряда конденсатора до 15А:

Это не совсем корректные симуляции.

Во первых у вас еще стоит дроссель, во вторых у вас там целая пачка конденсаторов у модуля с разными характеристиками, резонансами и проч. Не учтена реакция самого модуля на изменение питания.

В третьих вы не можете просимулировать (не хватит мощи симулятра) полную картину во временном масштабе от миллисекунд до наносекунд ( а процессоры нынче реагируют на гличи в единицы наносекунд).

Так а как же все таки должны соединяться земля mic и sim с остальной? В какой точке?

Они ж соеденены у них на модуле!

Зачем еще раз соединять?

Теоретические высказываания все логичные, но практических нет.

Ну что вам сказать.

Я всю жизнь делал сплошные полигоны под GSM модулями и всегда получал отвратный звук.

Мы ставим решения с GSM от европейских брендов имеющих опыт в десятки лет и у них тоже отвратный звук.

Может хоть вы сделаете наоборот и обрадуете нас потрясающими результатами.

 

Это же сложнейший компромисс.

И зависит от ваших собственных приоритетов.