[adnega 11]

Не, не так, светодиод подключен к выходу GPIO Raspberry, это кромпьютер с linux, для отправки ИК команд использую программу lirc, чего она там модулирует я не в курсе.

С помощью этого ИК светодиода я управляю телевизором.

lirc Вы обучали с ИК-пульта телевизора?

Возможно есть смысл увеличить ток светодиода, как рекомендовали выше (R2=33 Ом).

[aivs 0]

Да, lirc с пульта обучал. Сейчас R2 у меня не установлен, предполагаю это чревато быстрым выходом из строя светодиода.

А почему в характеристиках светодиода написано максимальный ток 20мА при 1.5В, а вы рекомендуете повысить ток? Это приемлемо?

[=AK= 12]

А почему в характеристиках светодиода написано максимальный ток 20мА при 1.5В, а вы рекомендуете повысить ток? Это приемлемо?

 

3. ИК LED Напряжение = 1.3В, Макс. ток = 20мА = 0.02А (точные характеристики не известны, LED достал из пульта)

 

Откуда откуда вы взяли, что "макс. ток 20 мА", если "точные характеристики неизвестны"? К гадалке ходили?

[adnega 11]

А почему в характеристиках светодиода написано максимальный ток 20мА при 1.5В, а вы рекомендуете повысить ток? Это приемлемо?

Для светодиодов обычно говорят "максимальный продолжительный ток 20мА" или "импульсный максимальный ток при 1/10 заполнения 60мА".

Цифры привел лишь для примера.

Даже если вы повысите ток в несколько раз (но ограничить его все-таки нужно), ну после 10 000 ИК-команд телевизору упадет

дальность передачи в два раза - просто замените диод.

[aivs 0]

Откуда откуда вы взяли, что "макс. ток 20 мА", если "точные характеристики неизвестны"? К гадалке ходили?

На просторах интернета L-53F3C (1.2В, 20мА)популярная замена в пульт ду, предполагаю, что мой светодиод в пульте со схожими характеристиками (http://www.voltmaster.ru/cgi-bin/qwery.pl?id=411413060&group=54396)

 

[=AK= 12]

На просторах интернета L-53F3C (1.2В, 20мА)популярная замена в пульт ду, предполагаю, что мой светодиод в пульте со схожими характеристиками (http://www.voltmaster.ru/cgi-bin/qwery.pl?id=411413060&group=54396)

 

А вы удосужьтесь открыть его даташит и прочитать раздел Absolute Maximum Ratings:

 

- Импульсный ток 1.2 А (при длительности 10 мкс и скважности 100)

- Постоянный ток 50 мА

- Рассеиваемая мощность 80 мВт

 

Вполне очевидно, что при токе 50 мА и падении 1.6 В на светодиоде рассеивается как раз 80 мВт, то есть именно мощность является основным лимитирующим фактором, а не ток как таковой - токи он большие держит, пока не перегреется. Значит, при скважности 2 макс. допустимый ток будет 100 мА, при скважности 3 - соответственно 150 мА, и т.п.

 

А 20 мА - это параметр никаким боком не предельно допустимый, а всего лишь типичная точка на ВАХ: при 20 мА падение напряжения на диоде типично 1.2В, и не более 1.6В.

 

 

[aivs 0]

Я смотрел даташит, но мало разбираюсь в характеристиках светодиода, поэтому и обратил внимание на то что знаю.

Тогда если я хочу мощный сигнал через светодиод, я должен пускать ток 50мА, т.к. это кратковременная операция, то LED быстро не сгорит.

R1 = (3.3-1.6)/0.05 = 34 Ом

Сейчас у меня этот резистор вообще не установлен, и за неделю еще не сгорел.

 

А вот про R2 я запутался. Мне всего то нужно на максимум открыть транзистор, все равно через коллектор-эмиттер ток больше 50мА не побежит, поэтому если предположить что усиление у транзистора 20,

то ток быза может быть 50мА/20 = 2.5мА

соответственно резистор R2 = (3.3 - 0.9)/0.0025 = 960 Ом

 

Правильно я понял, что не имеет смысл на базу подавать ток больше 2.5мА, транзистор все равно на максимум откроется?

Или все же лучше на базу подать максимально большой безопасный ток 10мА (max = 16мA) ?

Изменено 19 сентября, 2013 пользователем aivs

[Егоров 0]

поэтому если предположить что усиление у транзистора 20,

то ток быза может быть 50мА/20 = 2.5мА

соответственно резистор R2 = (3.3 - 0.9)/0.0025 = 960 Ом

 

Правильно я понял, что не имеет смысл на базу подавать ток больше 2.5мА, транзистор все равно на максимум откроется?

Или все же лучше на базу подать максимально большой безопасный ток 10мА (max = 16мA) ?

Все, что слишком - нехорошо.

Увеличение базового тока приведет к более глубокому насыщению транзистора. Падение на участке коллектор-эмиттер немного снизится, но быстродействие тоже и заметно.

Еще, питать базу током, сравнимым с нагрузкой просто неэкономично. А если бы игрушка в порты могла выдать 1А - все в базу погнали бы?

Район 510-1000 Ом, по-видимому, оптимум.

[aivs 0]

Сейчас установлен R1=1кОМ, R2=0оМ, на дальности 5 метров сигнал отлично добивает, дальше не смог измерить, комната закончилась.

Позже поставлю R2=33оМ, отпишу о дальности.

Главное, что с R1=1кОм я застраховал порт GPIO от выжигания.

 

[=AK= 12]

Главное, что с R1=1кОм я застраховал порт GPIO от выжигания.

Порт сжечь вы не cможете. Малая величина R1 ведет к повышенному уровню помех, проц будет сбоить, это все.

 

R2 на практике больше транзистору нужен, чем светодиоду. Потому что без него транзистор не может войти в насыщение и греется. А при наличии R2 не транзистор будет греться, а резистор. И к тому же при наличии R2 ток коллектора и ток светодиода будет достаточно точно известны, а не так как у вас сейчас, х.з. какой ток.

 

Tранзистор с усилением 20 - по нынешним временам фиговатый. Сейчас нет никаких проблем найти поставить нормальный транзистор с минимальным усилением 100 или 200, тот же ВС547, например.

[Abell 0]

Не, не так, светодиод подключен к выходу GPIO Raspberry, это кромпьютер с linux, для отправки ИК команд использую программу lirc, чего она там модулирует я не в курсе.

С помощью этого ИК светодиода я управляю телевизором.

Я дико извиняюсь, может чего-то не понял, но если у Вас чисто практический интерес, стоит ли так углубляться в частности? Может, проще будет взять любой дешевый пульт ДУ и выдернуть из него все для Вас необходимое? Светодиод и ключ с обвязкой, имею в виду.

[aivs 0]

Я дико извиняюсь, может чего-то не понял, но если у Вас чисто практический интерес, стоит ли так углубляться в частности? Может, проще будет взять любой дешевый пульт ДУ и выдернуть из него все для Вас необходимое? Светодиод и ключ с обвязкой, имею в виду.

Хочу понимать, как работает.

 

Tранзистор с усилением 20 - по нынешним временам фиговатый. Сейчас нет никаких проблем найти поставить нормальный транзистор с минимальным усилением 100 или 200, тот же ВС547, например.

 

Так у меня транзистор BC547B, по DS усиление 200~400.

На первой странице мне сказали, что при моих условиях усиление порядка 20 раз.

Изначально я считал с усилением 200, и тогда резистор в базе:

R1 = (3.3-0.9)/ (0.05/200) =9600 ом, я ставил резистор на 15ком и радиус действия снижался до 10 сантиметров.

Изменено 20 сентября, 2013 пользователем aivs

[Abell 0]

Хочу понимать, как работает.

Ну в принципе понятно... Вам нужен ключевой каскад, поэтому расчет будем вести от нагрузки. Ток светодиода будет определяться только гасящим сопротивлением R2. Напряжение на светодиоде примерно 1.2в, правильно? Транзистор работает в ключевом режиме в определенном диапазоне коллекторного тока. Возьмем к примеру максимум, 100мА. Напряжение коллектор-эмиттер в этом случае от 0.2 до 0.6в, возьмем максимум. Итого, 3.3в - 1.2в - 0.6в = 1.5в, значит R2 = 1.5в / 0.02А = 15 Ом.

При таком коллекторном токе коэффициент hFE примерно 120. Таким образом, в базе нужен ток 0.02А / 120 = 0.16мА. Но, транзистор работает не в режиме усиления, а в ключевом, значит он должен полностью открываться при минимальном уровне на базе, а каскад перед ним должен быть скоростным при работе на токовую нагрузку. Допустим, что Ваш GPIO действительно обеспечивает 16мА на выходе, и при это достаточно скоростной, так и будем использовать эти возможности.

Напряжение база-эмиттер при токе коллектора 100мА составляет 0.9в. Максимальный импульсный ток базы аж 200мА, то есть спалить этот транзистор смешными 16мА с выхода GPIO не получится :) Возьмем оттуда 10мА. Тогда R1 = ( 3.3в - 0.9в ) / 0.01А = 240 Ом. Все хорошо, но ключевой транзистор еще и быстро закрывать надо, так что придется усложнить и вместо R1 поставить цепочку такого вида, как во вложении:

Но - мы не знаем что за каскад на выходе GPIO, вот засада :( А вдруг там такой же каскад с общим эмиттером и резистором в нагрузке? Тогда R1 вообще не нужен и даже вреден. А если двухтактный выход? Тогда только дополнительные элементы, чтоб закрывать транзистор. Упс, поздно заметил, что забыл добавить конденсатор, который прикладывает к базе обратное напряжение для закрытия, ну уж извиняюсь, не буду исправлять, времени мало :laughing:

Значит, все зря? Ну, тогда можно пойти другим путем, считать что выход GPIO обеспечивает достаточно большую скорость нарастания и спада, не будем нагружать его током, а нагрузим, например, затвором полевика, а вот с его стока уже возьмем все, что нам нужно для ключевого каскада. Вряд ли такое усложнение будет оправдано, но тоже можно. Как-то так :laughing:

[aivs 0]

Ну в принципе понятно... Вам нужен ключевой каскад, поэтому расчет будем вести от нагрузки. Ток светодиода будет определяться только гасящим сопротивлением R2. Напряжение на светодиоде примерно 1.2в, правильно? Транзистор работает в ключевом режиме в определенном диапазоне коллекторного тока. Возьмем к примеру максимум, 100мА. Напряжение коллектор-эмиттер в этом случае от 0.2 до 0.6в, возьмем максимум. Итого, 3.3в - 1.2в - 0.6в = 1.5в, значит R2 = 1.5в / 0.02А = 15 Ом.

При таком коллекторном токе коэффициент hFE примерно 120.

 

А как так посчитать какое усиление при определенном коллекторном токе?

 

По второй части с конденсатором, думаю усложнять не нужно.

[Abell 0]

А как так посчитать какое усиление при определенном коллекторном токе?

 

По второй части с конденсатором, думаю усложнять не нужно.

В даташите график есть, зависимость hFE от тока коллектора.

А и не надо его считать... Коллекторный ток ограничен R2, больше 100мА не будет, если светодиод не пробьет. А при 100мА коэффициент hFE около 120, точнее полный даташит смотреть надо, со всеми графиками. А если и будет - так у транзистора предельный ток 100мА, сгорит и все :) А усиление в ключевом режиме вещь второстепенная и ненужная, главное в насыщение загнать, а потом быстро-быстро закрыть :)

Изменено 20 сентября, 2013 пользователем Abell