[IMaxI 0]

Не пинайте сильно вопрос наверно довольно глупый, но в сфере того, что в той литературе которую я смотрел сие явление не объяснялось решил написать тут :).

В общем вот: Когда транзистор находится в активной области эмиттерный пн переход открыт коллекторный закрыт соответственно когда происходит инжекция носителей заряда из эмиттера в базу только часть носителей (из за очень небольшого размера базы) уходит через базу составляя тем самым базовый ток, а остальные носителе дрейфуют в коллектор где подхватываются напряжением коллектор эмиттер. В режиме же насыщения оба перехода открыты.

Вопрос что происходит в момент перехода транзистора из активной области в режим насыщения и почему открывается коллекторный переход ведь внешние напряжение коллектор эмиттер остается для него запирающим.

[=AK= 17]

почему открывается коллекторный переход ведь внешние напряжение коллектор эмиттер остается для него запирающим.

Типично в режиме насыщения напряжение на коллекторе падает до величины, меньшей, чем напряжение на базе. Соответственно, напряжение коллектор-база формально говоря становится отпирающим.

 

В режиме же насыщения оба перехода открыты.

Необязательно, сильно зависит от определения, что такое "режим насыщения". Кроме того, высоковольтные транзисторы входят в насыщение при напряжениях на коллекторе в несколько вольт. Возьмите КТ605, например.

[IMaxI 0]

 

 

Не совсем понятно как напряжение на базе транзистора может упасть меньше чем напряжение на коллекторе. Как видно на фотографии в точке А (если рассматриваем нпн транзистор) всегда будет отрицательный потенциал так как там избыток электронов по отношению к + питания (+ имеет избыток вакантных мест (дырок)) и соответственно даже в случае если сопротивление коллектора будет очень мало на нем всегда будет с одной стороны - с другой +. Или я что-то недопонимаю :).

 

П.С. Извиняюсь за корявые художества :)

Изменено 25 октября, 2012 пользователем IMaxI

[=AK= 17]

Мегабайт памяти на корявый рисунок? Пожалейте форум, сервер не резиновый! Неужто так трудно было редактором перевести в черно-белое изображение, или хотя бы число пикселов уменьшить?

 

Не совсем понятно как напряжение на базе транзистора может упасть меньше чем напряжение на коллекторе. Как видно на фотографии в точке А (если рассматриваем нпн транзистор) всегда будет отрицательный потенциал

Если npn транзистор, то для смещения база-эмиттерного перехода в прямом направлении напряжение база-эмиттер должно быть положительным. Если на эмиттере ноль вольт, то на базе будет плюс, для кремниевого транзистора +0.6...+0.8 В. При этом ток втекает в базу и вытекает из эмиттера.

 

Соответственно, на коллекторе тоже плюс относительно эмиттера. В рабочем режиме - несколько вольт. При этом ток втекает в коллектор и тоже вытекает из эмиттера. Ток эмиттера есть сумма токов базы и коллектора.

 

При увеличении тока, который вдувается в базу, напряжение на базе слегка растет, а напряжение на коллекторе сильно падает. В какой-то напряжения коллектора и базы могут сравняться, а затем напряжение на коллекторе может продолжать уменьшаться и станет меньше, чем напряжение на базе. Эмиттер как пылесос всасывает в себя все токи.

 

Для многих транзисторов в режиме глубокого насыщения напряжение коллектор-эмиттер падает до долей вольта, иногда до нескольких десятков милливольт. А на базе у него при этом +0.7...+0.8 В, т.е. намного больше.

 

И старайтесь не заморачиваться напряжениями. Биполярный транзистор - это токовый прибор, поэтому качественная картинка описывается токами, а напряжения потом выводятся из токов. А о "сопротивлении коллектора" лучше вам пока вообще не рассуждать, это не такое уж простое понятие.

[IMaxI 0]

Если npn транзистор, то для смещения база-эмиттерного перехода в прямом направлении напряжение база-эмиттер должно быть положительным. Если на эмиттере ноль вольт, то на базе будет плюс, для кремниевого транзистора +0.6...+0.8 В. При этом ток втекает в базу и вытекает из эмиттера.

 

Соответственно, на коллекторе тоже плюс относительно эмиттера. В рабочем режиме - несколько вольт. При этом ток втекает в коллектор и тоже вытекает из эмиттера. Ток эмиттера есть сумма токов базы и коллектора.

 

Вы правильно написали напряжение на базе относительно эмиттера будет положительным то есть открывающем эмиттерный пн переход, а напряжение на коллекторе относительно базы получается то же положительным то есть запирающим коллекторный пн переход.

 

При увеличении тока, который вдувается в базу, напряжение на базе слегка растет, а напряжение на коллекторе сильно падает. В какой-то напряжения коллектора и базы могут сравняться, а затем напряжение на коллекторе может продолжать уменьшаться и станет меньше, чем напряжение на базе. Эмиттер как пылесос всасывает в себя все токи.

 

Для многих транзисторов в режиме глубокого насыщения напряжение коллектор-эмиттер падает до долей вольта, иногда до нескольких десятков милливольт. А на базе у него при этом +0.7...+0.8 В, т.е. намного больше.

То есть вы хотите сказать что в какой то момент ”избыток” электронов в коллекторе создаст потенциал ниже потенциала базы на 06…08В (чтобы сместить коллекторный пн переход в прямом направлении ) ?

И старайтесь не заморачиваться напряжениями. Биполярный транзистор - это токовый прибор, поэтому качественная картинка описывается токами, а напряжения потом выводятся из токов. А о "сопротивлении коллектора" лучше вам пока вообще не рассуждать, это не такое уж простое понятие.

Ну здесь я посмею с вами не согласится как не заморачиваться то интересно же :).

П.С. вроде понял благодарствую :) и еще раз извиняюсь за глупый вопрос и место на сервере под фотку (щя удалю если возможно)

Изменено 25 октября, 2012 пользователем IMaxI