[Гость SUPPORT7/6]

Здравствуйте!

 

Всегда подавал питание на VBAT SIM900 через контакты реле (для случая если зависнет то отрубить - разомкнув нормально замкнутые контакты)

Но сейчас потребовалась схема включения через транзистор. Я выбрал P-канальный мосфет с классической схемой включения в разрыв между +4.2В и VBAT.

 

Транзистор P-канальный MOSFET AO3401

(вот тут даташит).

 

Транзистор всеми параметрами подходит (в том числе и очень низким Rds), но перед SIM900 должен быть большой электролит "как можно ближе" да и еще с LOW ESR. Дак вот вопрос в том что я где- то читал здесь что из-за большого первоначального зарядного тока может пробить в принципе MOSFET даже с взятый с большим запасом по току стока. Да и если останется на истоке потенциал, а на стоке резко упадет ниже выходного, то пробьет внутренний диод и/или скорее всего тоже выведет MOSFET из строя

Как эту проблему Вы решаете? если можно хотя бы один пример

Изменено 3 июля, 2012 пользователем SUPPORT7/6

[Basilij 0]

Здесь же, где-то предлагали полевик открывать не сразу, а ШИМом, подзаряжая Конденсатор.

[Гость SUPPORT7/6]

Да ШИМом видел. Я некорректно описал проблему - хотел бы резисторами, диодами и т.п. обойтись - т.е. обвесом

[dinam 1]

В чём причина выбора этого полевика? Может применить что-то более популярное, типа IRLML6401TRPBF?

Использовать ШИМ для заряда конденсатора от источника напряжения надо очень аккуратно.

Если источник выдержит, то может просто полевик взять помощнее?

[тау 23]

Как эту проблему Вы решаете? если можно хотя бы один пример

как-то вот так , примерно.

[Гость SUPPORT7/6]

В чём причина выбора этого полевика?

 

То что доступно у меня. Есть еще IRF4905. Посмотрю то, что Вы предлагаете. Спасибо

 

как-то вот так , примерно.

 

Хм... Очень интересно. Большое спасибо. Надо обдумать этот вариант

[vitalinea 0]

В USB устройствах для ограничения inrush тока обычно используют p-mosfet c RC схемой. Вот пример от FTDI (страница 7):

http://www.ftdichip.com/Support/Documents/...or_FTDI_ICs.pdf

[artemkad 53]

Дак вот вопрос в том что я где- то читал здесь что из-за большого первоначального зарядного тока может пробить в принципе MOSFET даже с взятый с большим запасом по току стока. Да и если останется на истоке потенциал, а на стоке резко упадет ниже выходного, то пробьет внутренний диод и/или скорее всего тоже выведет MOSFET из строя

 

Вы не "где- то читайте" а сами считайте. Тогда и вопросов станет меньше.

К примеру у Вас в доке транзистор держит 27А импульсный ток. У Вас найдется в схеме источник (стабилизатор) который такой ток сможет обеспечить? ;)

[pau62 0]

Вы не "где- то читайте" а сами считайте. Тогда и вопросов станет меньше.

К примеру у Вас в доке транзистор держит 27А импульсный ток. У Вас найдется в схеме источник (стабилизатор) который такой ток сможет обеспечить? ;)

Жирная литиевая батарейка при заряде "пустого" жирного конденсатора с низким сопротивлением легко обеспечит такой ток.

 

[Гость SUPPORT7/6]

К примеру у Вас в доке транзистор держит 27А импульсный ток. У Вас найдется в схеме источник (стабилизатор) который такой ток сможет обеспечить? ;)

 

Я и считаю что стоит 2200 мкФ конденсатор low ESR если у него 0,1 Ом эта ESR то 4,2В/0,1 Ом то получается 42А в первый момент сможет скушать или выдать. Не так уже весело, не правдо ли ;) Или я не так считаю?

Изменено 4 июля, 2012 пользователем SUPPORT7/6

[pau62 0]

Но на самом деле вполне достаточно 6401. Без всяких тормозных конденсаторов.

Особенно если не ставить слишком больших конденсаторов по питанию модуля. они как-бы не слишком нужны при питании от батареи.

Микрофарад 200 тантала и хорош. А если слабый БП , то 2200 ставить со стороны БП.

Изменено 4 июля, 2012 пользователем pau62

[Aner 3]

Нет, не так считаете. У производителя Low ESR конд. есть значения параметра тока для каждого типа. И емкость там вторичное значение имеет. Например есть 330uFx10V и Esr 0,017 Ом. Но ток не более 4000 mA Rms (для 100кГц). Это Extra Low ESR, зато работает этот конд. много лучше чем 2200 мкФ low ESR 0,1 Ом.

[pau62 0]

Этот ток для продолжительных режимов важен, если при подключении батарейки он будет превышен - никакой беды не будет.

[artemkad 53]

Или я не так считаю?

Добавь сопротивление самого ключа(0,06 Ом при 4,5В управления) и сопротивление источника.

4,2/0,16=26,25А даже при нулевом сопротивлении источника(а это да-алеко не так) и при мгновенном переключении транзистора(без подзаряда на переходном процессе)

[xemul 0]

А ещё дорога, н-р, шириной 1 мм на 35 мкм меди даст ~ 6 мОм на 10 мм.