Компания Yangjie анонсировала выпуск SiC МОП транзисторов собственной разработки с напряжением пробоя 1200 В и сопротивлением открытого канала 80 мОм.
Подробнее
Компания Wolfspeed (A Cree Company) выпустила SiC силовой модуль 1200 В 530 А на чипах третьего поколения SiC MOSFET в корпусе 62 мм - CAB530M12BM3.
Подробнее