Jump to content
    

Search the Community

Showing results for tags 'sic mosfet'.

  • Search By Tags

    Type tags separated by commas.
  • Search By Author

Content Type


Forums

  • Сайт и форум
    • Новости и обсуждения сайта и форума
    • Другие известные форумы и сайты по электронике
    • В помощь начинающему
    • International Forum
    • Образование в области электроники
    • Обучающие видео-материалы и обмен опытом
  • Cистемный уровень проектирования
    • Вопросы системного уровня проектирования
    • Математика и Физика
    • Операционные системы
    • Документация
    • Системы CAD/CAM/CAE/PLM
    • Разработка цифровых, аналоговых, аналого-цифровых ИС
    • Электробезопасность и ЭМС
    • Управление проектами
    • Neural networks and machine learning (NN/ML)
  • Программируемая логика ПЛИС (FPGA,CPLD, PLD)
    • Среды разработки - обсуждаем САПРы
    • Работаем с ПЛИС, области применения, выбор
    • Языки проектирования на ПЛИС (FPGA)
    • Системы на ПЛИС - System on a Programmable Chip (SoPC)
    • Methods and tools for FPGA/ASIC verification
  • Цифровая обработка сигналов - ЦОС (DSP)
    • Сигнальные процессоры и их программирование - DSP
    • Алгоритмы ЦОС (DSP)
  • Микроконтроллеры (MCU)
    • Cредства разработки для МК
    • ARM
    • RISC-V
    • AVR
    • MSP430
    • Все остальные микроконтроллеры
    • Отладочные платы
  • Печатные платы (PCB)
    • Разрабатываем ПП в САПР - PCB development
    • Работаем с трассировкой
    • Изготовление ПП - PCB manufacturing
  • Сборка РЭУ
    • Пайка и монтаж
    • Корпуса
    • Вопросы надежности и испытаний
  • Аналоговая и цифровая техника, прикладная электроника
    • Вопросы аналоговой техники
    • Цифровые схемы, высокоскоростные ЦС
    • RF & Microwave Design
    • Метрология, датчики, измерительная техника
    • АВТО электроника
    • Умный дом
    • 3D печать
    • Робототехника
    • Repair and debug
  • Силовая электроника - Power Electronics
    • Силовая Преобразовательная Техника
    • Обратная Связь, Стабилизация, Регулирование, Компенсация
    • Первичные и Вторичные Химические Источники Питания
    • Высоковольтные Устройства - High-Voltage
    • Электрические машины, Электропривод и Управление
    • Индукционный Нагрев - Induction Heating
    • Системы Охлаждения, Тепловой Расчет – Cooling Systems
    • Моделирование и Анализ Силовых Устройств – Power Supply Simulation
    • Компоненты Силовой Электроники - Parts for Power Supply Design
  • Интерфейсы
    • Форумы по интерфейсам
  • Поставщики компонентов для электроники
    • Поставщики всего остального
    • Компоненты
  • Майнеры криптовалют и их разработка, BitCoin, LightCoin, Dash, Zcash, Эфир
    • Обсуждение Майнеров, их поставки и производства
  • Дополнительные разделы - Additional sections
    • Встречи и поздравления
    • Ищу работу
    • Предлагаю работу
    • Куплю
    • Продам
    • Объявления пользователей
    • Общение заказчиков и потребителей электронных разработок

Find results in...

Find results that contain...


Date Created

  • Start

    End


Last Updated

  • Start

    End


Filter by number of...

Joined

  • Start

    End


Group


AIM


MSN


Сайт


ICQ


Yahoo


Jabber


Skype


Город


Код проверки


skype


Facebook


Vkontakte


LinkedIn


Twitter


G+


Одноклассники


Title

Found 0 results

  1. Компания AMG Power расширила ассортимент продукции SiC MOSFET модулем A2G300N1700ME3. Подробнее
  2. AMG Power выпустила обновленную версию SiC MOSFET поколения Gen2 1700 В 25 мОм 100 А в корпусе TO-247-4 с управляющим напряжением -5/+18 В – A2G100N1700MT4. Подробнее
  3. Компания AMG Power расширила семейство SiC МОП-транзисторов 12 класса нового поколения Gen3 с управляющим напряжением -5/+15 В и напряжением сток-исток 1200 В. Подробнее
  4. Компания Global Power Technology выпустила SiC МОП-транзистор 1200 В 80 мОм 42,9 А в корпусе TO-247-4 – G1M080120N. Подробнее
  5. AMG Power выпустила семейство SiC MOSFET транзисторы нового поколения Gen3 1700 В с управляющим напряжением -5/+15 В. Подробнее
  6. AMG Power анонсировала SiC MOSFET транзистор нового поколения Gen3 1700 В 750 мОм 5 А в корпусе TO-263-7 с управляющим напряжением -5/+15 В – AMG5N1700MT7. Подробнее
  7. SiC МОП-транзисторы от AMG Power 650 В – 1700 В в корпусах для объемного и поверхностного монтажа, а также, чипы в некорпусированном виде. Подробнее
  8. Компания Yangjie анонсировала выпуск SiC МОП транзисторов собственной разработки с напряжением пробоя 1200 В и сопротивлением открытого канала 80 мОм. Подробнее
  9. Применение полупроводниковых приборов на основе карбида кремния (SiC) производства Wolfspeed в высокочастотном резонансном LLC‑преобразователе позволяет уменьшить на 50% массогабаритные показатели преобразователя и снизить на 30% потери мощности в магнитных компонентах. Максимальный КПД преобразователя с выходом 400 В/16 А на частоте 500 кГц при этом достигает 98,5%. В cтатье приведены практические рекомендации по проектированию высокочастотного преобразователя, связанные с компоновкой печатной платы, выбором материала магнитопровода и воздушного зазора, характеристиками обмоточного провода и т.д., а также результаты испытаний. Читать статью >>
  10. Компания Wolfspeed выпустила референс-дизайн мостового резонансного LLC преобразователя 20 кВт на основе SiC-МОП транзисторов 1000 В 65 мОм – CRD-20DD09P-2. Подробнее
  11. Драйверы силовых транзисторов чувствительны к наводкам и помехам, поэтому при трассировке печатных проводников, соединяющих эти узлы с остальными элементами схемы, следует придерживаться нескольких правил, игнорирование которых может привести к нестабильной работе преобразователя независимо от его мощности. Особое внимание следует уделять микросхемам, управляющим карбид-кремниевыми приборами, поскольку из-за более высоких скоростей изменения напряжений и токов уровень наводок в этих схемах обычно намного выше, чем в системах на традиционной кремниевой основе. В статье приведены советы и рекомендации по проектированию печатных плат преобразователей на основе карбид-кремниевых транзисторов (не только производства Wolfspeed), позволяющие избежать наиболее распространенных ошибок и уменьшить вероятность отказа оборудования как в процессе разработки, так и во время его практической эксплуатации. Читать статью >>
  12. Современные информационные технологии, такие как облачные хранилища данных или виртуальные интернет-магазины, давно стали частью нашей жизни, а их наличие и бесперебойная работа теперь являются обязательными условиями для успешной реализации коммерческих проектов любого уровня. Однако круглосуточная поддержка подобных сервисов приводит к ощутимому росту энергопотребления, а это в свою очередь заставляет принимать дополнительные меры по повышению эффективности использования электроэнергии, потребляемой для этих целей. В число таких мер входит увеличение КПД и коэффициента мощности устройств, обеспечивающих питание информационного оборудования. Построение источников бесперебойного питания с двойным преобразованием, широко используемых в современных хранилищах данных, на базе карбид-кремниевых MOSFETs производства Wolfspeed позволяет уменьшить мощность потерь в них до 40%, а также значительно снизить занимаемый ими объем и стоимость комплектующих. Читать статью >>
  13. Для того чтобы новые устройства соответствовали потребностям и стандартам будущего, которые с каждым годом становятся все жестче, разработчикам электроники приходится внедрять передовые технологии уже сейчас. Понимая это, компания Wolfspeed усовершенствовала популярный симулятор SpeedFit, выпустив его новую версию, ориентированную, в первую очередь, на создание преобразователей электрической энергии на карбид-кремниевых компонентах. С помощью симулятора SpeedFit 2.0 можно не только выбрать карбид-кремниевые приборы, максимально подходящие для конкретного технического задания, но и выполнить моделирование основных электрических процессов, происходящих в силовой части устройства, а также рассчитать уровень динамических и статических потерь в силовых элементах. Подробнее >>
  14. Компания Wolfspeed (A Cree Company) предлагает референс-дизайн бортового двунаправленного зарядного устройства электромобилей 6,6 кВт на дискретных SiC MOSFET 650 В – CRD-06600FF065N-K. Подробнее
  15. Компания Wolfspeed (A Cree Company) выпустила отладочную плату для оценки динамических характеристик силовых SiC MOSFET модулей семейства WolfPack – KIT-CRD-CIL12N-FMA. Подробнее
  16. Компания Wolfspeed (A Cree Company) выпустила референс-дизайн 25 кВт преобразователя с активным выпрямителем (Active Front End) на основе SiC-МОП 1200 В силовых модулей WolfPack – CRD25AD12N-FMC. Подробнее
  17. Компания Wolfspeed (A Cree Company) выпустила SiC силовой модуль 1200 В 530 А на чипах третьего поколения SiC MOSFET в корпусе 62 мм - CAB530M12BM3. Подробнее
  18. Компания Wolfspeed (A Cree Company) выпустила семейство SiC MOSFET силовых модулей 12 класса Wolfpack FM3. Подробнее
  19. Компания Wolfspeed/CREE представила референс-дизайн трёхфазного инвертора мощностью 600 кВт на базе силовых полумостовых SiC MOSFET 1200 В 450 А модулей CAB450M12XM3 – CRD600DA12E-XM3. Подробнее...
  20. Компания Amantys Power Electronics приступила к разработке драйверов совместимых с силовыми SiC модулями ABB LinPak и Hitachi nHPD2. Подробнее...
  21. С тех пор как силовая электроника и преобразовательная техника окончательно утвердились в нашей жизни, эффективное использование электрической энергии превратилось из абстрактного лозунга в насущную необходимость. Требования к преобразователям постоянно растут, и разработчики всё чаще начинают отказываться от традиционных кремниевых компонентов. Компания Wolfspeed предлагает разработчикам стать частью новой истории и проверить самостоятельно все преимущества компонентов с широкой запрещённой зоной. Представляем вашему вниманию подборку материалов по SiC MOSFET, SiC-диодам и их применениям. Читать статьи >>
  22. Ключевыми особенностями высоковольтных SiC MOSFET Wolfspeed являются малое сопротивление канала в открытом состоянии и минимальное значение паразитных емкостей, что позволяет максимально снизить статические и динамические потери, и, соответственно, увеличить рабочую частоту преобразователей. Сфера использования преобразователей электрической энергии за последние несколько десятилетий значительно расширилась благодаря появлению солнечных и ветряных электростанций, электро- и гибридных автомобилей, промышленных систем для хранения энергии, интеллектуальных автоматизированных устройств, роботов и других приложений. Наибольшее распространение среди источников вторичного питания получили устройства на основе импульсных методов преобразования, обеспечивающие, по сравнению с преобразователями на основе других методов, наилучшее сочетание КПД, удельной мощности и стоимости. Читать статью >>
  23. Wolfspeed (силовое подразделение CREE) расширяет лидерство в сегменте дискретных SiC MOSFET на напряжение 650 В. В массовое производство поступили новые изделия с сопротивлениями 25, 40 и 120 мОм. Третье поколение SiC MOSFET (C3MTM) – это широкий выбор транзисторов по сопротивлению открытого канала (Rds(on)), а также наименьшее среди аналогов сопротивление канала в дискретном выводном корпусе. Подробнее >>
×
×
  • Create New...