Jump to content
    

Search the Community

Showing results for tags 'coolsic'.

  • Search By Tags

    Type tags separated by commas.
  • Search By Author

Content Type


Forums

  • Сайт и форум
    • Новости и обсуждения сайта и форума
    • Другие известные форумы и сайты по электронике
    • В помощь начинающему
    • International Forum
    • Образование в области электроники
    • Обучающие видео-материалы и обмен опытом
  • Cистемный уровень проектирования
    • Вопросы системного уровня проектирования
    • Математика и Физика
    • Операционные системы
    • Документация
    • Системы CAD/CAM/CAE/PLM
    • Разработка цифровых, аналоговых, аналого-цифровых ИС
    • Электробезопасность и ЭМС
    • Управление проектами
    • Neural networks and machine learning (NN/ML)
  • Программируемая логика ПЛИС (FPGA,CPLD, PLD)
    • Среды разработки - обсуждаем САПРы
    • Работаем с ПЛИС, области применения, выбор
    • Языки проектирования на ПЛИС (FPGA)
    • Системы на ПЛИС - System on a Programmable Chip (SoPC)
    • Methods and tools for FPGA/ASIC verification
  • Цифровая обработка сигналов - ЦОС (DSP)
    • Сигнальные процессоры и их программирование - DSP
    • Алгоритмы ЦОС (DSP)
  • Микроконтроллеры (MCU)
    • Cредства разработки для МК
    • ARM
    • RISC-V
    • AVR
    • MSP430
    • Все остальные микроконтроллеры
    • Отладочные платы
  • Печатные платы (PCB)
    • Разрабатываем ПП в САПР - PCB development
    • Работаем с трассировкой
    • Изготовление ПП - PCB manufacturing
  • Сборка РЭУ
    • Пайка и монтаж
    • Корпуса
    • Вопросы надежности и испытаний
  • Аналоговая и цифровая техника, прикладная электроника
    • Вопросы аналоговой техники
    • Цифровые схемы, высокоскоростные ЦС
    • RF & Microwave Design
    • Метрология, датчики, измерительная техника
    • АВТО электроника
    • Умный дом
    • 3D печать
    • Робототехника
    • Repair and debug
  • Силовая электроника - Power Electronics
    • Силовая Преобразовательная Техника
    • Обратная Связь, Стабилизация, Регулирование, Компенсация
    • Первичные и Вторичные Химические Источники Питания
    • Высоковольтные Устройства - High-Voltage
    • Электрические машины, Электропривод и Управление
    • Индукционный Нагрев - Induction Heating
    • Системы Охлаждения, Тепловой Расчет – Cooling Systems
    • Моделирование и Анализ Силовых Устройств – Power Supply Simulation
    • Компоненты Силовой Электроники - Parts for Power Supply Design
  • Интерфейсы
    • Форумы по интерфейсам
  • Поставщики компонентов для электроники
    • Поставщики всего остального
    • Компоненты
  • Майнеры криптовалют и их разработка, BitCoin, LightCoin, Dash, Zcash, Эфир
    • Обсуждение Майнеров, их поставки и производства
  • Дополнительные разделы - Additional sections
    • Встречи и поздравления
    • Ищу работу
    • Предлагаю работу
    • Куплю
    • Продам
    • Объявления пользователей
    • Общение заказчиков и потребителей электронных разработок

Find results in...

Find results that contain...


Date Created

  • Start

    End


Last Updated

  • Start

    End


Filter by number of...

Joined

  • Start

    End


Group


AIM


MSN


Сайт


ICQ


Yahoo


Jabber


Skype


Город


Код проверки


skype


Facebook


Vkontakte


LinkedIn


Twitter


G+


Одноклассники

Found 0 results

  1. Обобщив богатый опыт и ноу-хау в сфере силовой электроники, компания Infineon представляет CoolSiC™ MOSFET - революционную технологию, позволяющую кардинально улучшить параметры устройств. По сравнению с традиционными ключами на базе кремния, такими как IGBT и MOSFET, карбид-кремниевые (SiC) полевые транзисторы обладают существенными преимуществами. Приборы CoolSiC™ выпускаются на напряжения 1700, 1200 и 650 В. Карбид-кремниевые транзисторы сочетают в себе отличные характеристики, надёжность и простоту использования в разработках. Мы сделали подборку статей о технологии CoolSiC™, которая поможет вам вывести КПД и надёжность ваших устройств силовой электроники на высочайший уровень! Читать статьи >>
  2. Новинка от компании Infineon — гибридные силовые модули EasyPACK, основанные на TRENCHSTOP 5 CoolSiC IGBT. Использование преимуществ технологий TRENCHSTOP и CoolSiC в одном IGBT является прекрасным выбором для перехода от традиционных IGBT на основе кремния. Расширить возможности транзистора с одновременным снижением потерь на переключение и увеличением частоты работы IGBT позволяет встроенный SiC-диод Шоттки. Подробнее >>
  3. Компания Infineon представила новую линейку MOSFET 1200 В, изготовленных по технологии CoolSiC. Транзисторы доступны в корпусе D2PAK-7L (TO263-7) в широком диапазоне значений RDS(on) (от 30 до 350 мОм). В новых MOSFET используется технология соединения кристалла .XT, которая помогает рассеивать на 30% больше тепла через соединение «чип-корпус» по сравнению с традиционными решениями. Подробнее >>
  4. Компания Infineon представила новые гибридные IGBT-транзисторы на 650 В, которые сочетают в себе преимущества технологий TRENCHSTOP и CoolSiC. Использование SiC-диода Шоттки позволяет значительно расширить возможности IGBT и снизить уровень энергии, необходимой для включения транзистора (Eon), а также уменьшить потери на переключение. Подробнее >>
  5. Помимо стабильности основных технических характеристик карбид-кремниевых транзисторов линейки CoolSiC, компания Infineon довела до значений, соответствующих кремниевым аналогам, такие параметры, как устойчивость к временной деградации кристаллов и воздействию космического излучения. В процессе исследований были применены уникальные комплексные тесты, который могут в ближайшем будущем стать промышленным стандартом для испытаний SiC-приборов. Но прежде чем принять решение об их использовании, разработчик должен получить ответы на многие вопросы, а самое главное – быть уверенным в надежной работе своих преобразователей на протяжении всего срока эксплуатации. Эта статья посвящена вопросам устойчивости к временной деградации кристаллов и воздействию космического излучения. Кроме того, будут рассмотрены методы тестирования, которые применяет компания Infineon. Читать статью >>
  6. За несколько лет кропотливых исследований и совершенствования технологии компания Infineon смогла довести показатели надежности и стабильности параметров высоковольтных и быстродействующих карбид-кремниевых транзисторов линейки CoolSiC практически до уровня их кремниевых собратьев. Читать статью >>
  7. Компания Infineon представила новые MOSFET-модули на основе карбида кремния напряжением 1200 В семейства CoolSiC. Транзисторы CoolSiC – отличное решение для систем средней и высокой мощности, которое упрощает конструкцию приложения, уменьшая его размеры и стоимость. Благодаря использованию технологии Trench и внушительной толщине оксидного слоя затвора, транзисторы CoolSiC обеспечивают высочайшую надежность и эффективность. В конструкцию также интегрирован быстрый SiC антипараллельный диод с высоким уровнем стабильности и низким дрейфом. Подробнее >>
  8. Компания Infineon представила новую линейку транзисторов на основе карбида кремния (SiC), входящих в семейство CoolSiC. Новые MOSFET имеют рабочее напряжение 1700 В и оптимизированы для работы во вспомогательных источниках питания. Подробнее >>
  9. Новинка от Infineon: следуя тенденциям сокращения габаритов высоковольтных устройств, компания выпустила на рынок новые 1200 В диоды Шоттки пятого поколения (Gen 5), выполненные по технологии CoolSiC в корпусе D2PAK (TO-263-2). Средний ток диодов — от 2 до 20 А. Они прекрасно подходят для использования в связке с super-junction MOSFET или IGBT. Область применения: импульсные выпрямители, источники питания, ККМ. Использование диодов поколения G5 позволяет повысить КПД системы относительно такой же системы на кремниевых диодах на величину до 1%. Подробнее >>
  10. Компания Infineon представила новые высоковольтные MOSFET 650 В серии CoolSiC, выполненные по технологии Trench. Для разработчиков новые транзисторы – это уникальная комбинация производительности, надежности и эффективности, а также малая зависимость сопротивления открытого канала Rds(on) от температуры по сравнению с обычными кремниевыми MOSFET. Подробнее >>
  11. Источники питания на базе традиционных кремниевых силовых транзисторов не всегда способны отвечать современным требованиям по эффективности. Новые карбид-кремниевые (SiC) и нитрид-галлиевые (GaN) транзисторы позволяют преодолевать ограничения, свойственные Si-ключам. В статье рассмотрены особенности силовых ключей CoolSiC, CoolGaN, CoolMOS производства компании Infineon на примере построения DC/DC-ступеней однофазных источников питания с высоким КПД. Читать статью >>
  12. Важнейшими элементами силовых цепей являются полевые транзисторы. Представляем обзор трех семейств полевых транзисторов производства компании Infineon: кремниевых полевых транзисторов CoolMOS, карбид-кремниевых транзисторов CoolSiC и галлий-нитридных транзисторов CoolGaN. Читать статью >>
  13. Силовая электроника стоит на пороге революционных изменений. Решения и силовые компоненты, которые последние десять лет считались эталоном, сегодня постепенно уходят на второй план, уступая пальму первенства компонентам из новых материалов c большой шириной запрещённой зоны. Компания Infineon занимает уникальную позицию на рынке силовых компонентов, предлагая разработчикам одновременно кремневые полевые транзисторы последнего поколения (CoolMOS), галлий-нитридные (CoolGaN) и карбид-кремниевые транзисторы (CoolSiC). Предлагаем вашему вниманию подборку полезных материалов по данной теме >>
  14. В настоящее время правительства разных стран прилагают серьезные усилия, направленные на сокращение выбросов углерода. Использование электрического транспорта помогает решить эту проблему, что приводит к постоянному росту интереса к электромобилям (Battery Electric Vehicles, BEV). Рынок электромобилей расширяется и предлагает все более богатый выбор моделей по все более привлекательным ценам. Тем не менее, ограниченная дальность передвижения такого транспорта по-прежнему вызывает опасения у потребителей. Ситуация усугубляется существующими проблемами подзарядки. Подзарядка припаркованного автомобиля в течение рабочего дня кажется идеальным решением, но отсутствие инфраструктуры приводит к тому, что многие владельцы электрокаров вынуждены выполнять зарядку аккумуляторов дома. Кроме того, потребители хотят, чтобы в длительных поездках, например, в путешествиях во время отпуска, зарядка занимала столько же времени, сколько занимает заправка обычных автомобилей с двигателями внутреннего сгорания (ДВС). Чтобы электромобиль стал по-настоящему распространенным, необходимы доступные средства быстрой зарядки его аккумулятора. В ассортименте Infineon уже сейчас имеется все необходимое для этого. При мощности 350 кВт время зарядки может быть уменьшено до 7 минут, что примерно соответствует времени, затрачиваемому для дозаправки обычного автомобиля с ДВС. Читать статью>>
  15. При разработке «быстрых» зарядных станций для зарядки аккумулятора электромобиля в пути идеально подойдут транзисторные SiC-модули Infineon, в том числе – из семейства CoolSiC™. Профильные организации по всему миру занимаются разработкой стандартов, определяющих характеристики зарядных устройств большой мощности (High Power Chargers, HPC), начиная от рабочего диапазона и последовательности зарядки, и заканчивая стандартами обмена данных и типами разъемов. В Европе и США над этими вопросами работают такие организации как CharIN и Combined Charging System (CCS). В других странах действуют другие ассоциации со своими стандартами, например, CHAdeMO в Японии и GB/T в Китае. Некоторые производители автомобилей также уделяют большое внимание разработке собственных решений для зарядных устройств. Компаниям, стремящимся выйти на этот рынок, для выполнения всех предъявляемых требований необходимо создавать зарядные устройства по модульному принципу. Рассмотрим вопрос построения быстрых зарядных устройств с большой выходной мощностью. Читать статью >>
  16. Один из важнейших технологических процессов в производстве литий-ионных аккумуляторов – электрохимическая формовка. Infineon предлагает новые компоненты для построения систем электропитания этого процесса. С повсеместным распространением смартфонов, планшетов, электронных игрушек, электроинструментов, персонального электрического транспорта и других устройств на электрической тяге неуклонно растет спрос на литий-ионные аккумуляторы. В связи с этим возникает потребность в наиболее эффективных технологиях производства аккумуляторных элементов, способных обеспечивать необходимую емкость при эксплуатации, а также полноценные заряд при накоплении энергии и разряд при использовании аккумуляторной батареи (АКБ). В технологическом процессе изготовления отдельных аккумуляторных элементов финальным и наиболее ответственным этапом является электрохимическая формовка или формирование электродных пластин. От успешности процесса формовки зависит эффективность в последующем заряда/разряда и срок службы АКБ. Этот длительный и энергоемкий производственный этап значительно увеличивает затраты на производство и стоимость выпускаемых батарей. Обеспечить высокую плотность энергии в аккумуляторах при зарядке и возврат энергии при разрядке позволяют современные системы формирования АКБ, для проектирования которых компания Infineon выпускает целый ряд диодов, транзисторов и микросхем. Рассмотрим рекомендации по использованию компонентов Infineon>>
×
×
  • Create New...