ArizonaWeird
-
Постов
33 -
Зарегистрирован
-
Посещение
Сообщения, опубликованные ArizonaWeird
-
-
... а мы говорили об IR и IRGP20B60, и там нигде не сказано, что процедура тестирования на КЗ будет неизменна. Именно в ДШ на старые транзюки писали про 10мкс а сейчас не пишут. Почему? Зогадко:)
Описанная процедура - стандартная для АТТЕСТАЦИИ прибора.
То что некоторые производители не указывают ее в даташит, не значит, что они ее не делают.
-
Уважаемый коллега, не подскажите ли, свинцовые трусы какой массы нужно использовать в подобных опытах?
В производстве обычно используется фартук из освинцованной резины.
-
Если не трудно - где об этом написано? Чтоб уже окончательно сомнения развеять...
Можно почитать здесь (АВВ замахнулась на Т=200 С)
http://library.abb.com/global/scot/scot256...s_copyright.pdf
-
Но германиевые на такие токи то не делают, если и вообще с них хоть что-то сейчас делаю (я о выпрямительных диодах).
Ток - это всего лишь вопрос активной площади.
Прямое падение напряжения определяется материалом , т.е. шириной запрещенной зоны.
-
Таких диодов пока в природе не бывает.
Германиевые диоды дают 0.3-0.4 В падения.
Но утечки велики и температурные характеристики никакие...
-
Я с ними не работал, сначала смутило отсутствие внятного параметра "short circuit time", но, судя по картинке, не страшно. В тех же 10мкс должно работать как часы. Только 10мкс - это полное время, включающее срабатывание защиты и возможное "мягкое " выключение.
Все силовые приборы испытываются на КЗ при 70% макс. напряжения, 15 В на затворе, температура 125 С, в течении 10 мкс.
-
С лета 2008 - никаких обновлений...
Весна началась, пора думать о выездных сессиях :)
-
Для уменьшения горячих токов утечки еще используется сильнолегированный N-буфер со стороны анода, глубиной до 25 мкм
-
Пример расчета с плавающим P-well
-
Я уже как то привык, что 2й слой - поликремний :)
Мой стандарт:
layeralias 1 FOX
layeralias 2 POLY
layeralias 3 P+
layeralias 4 N+
layeralias 5 CONTACT
layeralias 6 Metal
layeralias 7 Passiv.
-
В ранних версиях LAYOUT http://sourceforge.net/projects/layout/
был DRC (весьма плохой)
Как только продукт стал коммерческим DRC стал требовать лицензию.
-
Design Rules Checker - Freeware есть у кого?
Для топологии в формате GDSII
-
В редакторе топологии LAYED есть алиасы - названия слоев, но при перекодировке в GDSII эта информация теряется.
-
Здравствуйте, уважаемые участники форума!
Не ответит ли кто-нибудь на следующие мои вопросы:
1) Можно ли в Диосе проводить двустороннее легирование (например, и сверху, и снизу)? И как это запрограммировать в lig.com?
В DIOS нет возможности сделать имплантацию с обратной стороны.
Беда небольшая, моделируется верхняя часть, а потом в .CMD добавляются аналитические профили, структура еще раз прогоняется через MESH и можно считать в DESSIS
-
Да, считал плавающие диффузионные области, потенциал фиксировался сверху через Field Oxide, никаких проблем.
-
Выход из строя происходит из за термо-электрической нестабильности чипа.
Т.е. все процессы идут внутри чипа. Снаружи модуля это не отражается.
-
Напряжение до 24в (в бортовой сети возможны выбросы до 50) и это ток кристала при 25градусах. Ток корпуса будет как у IRF2804S-7P в районе 170А. Да и цена нифига не гуманная. IRF2804S-7P реально за 200р найти.
Цены на IXYS посмотрел... Очень уж они не гуманные... Модуль на 500А порядка 230баков. Почти 8тыр. На 4 IRF2804S получается 680ампер и 800руп не считая затрат на извращения с радиатором, клемами, драйвером.
Неправильный подход.
На россыпухе - сгорит при первом же КЗ.
В модулях чипы подобраны по параметрам, посажены на одну DCB.
Кроме того, испытаны на КЗ, при 0.7*Vmax, Т=125 С, время 10 мкс.
Высокая цена - из за необходимости подбирать чипы по параметрам.
-
Действительно Rds(on) - относится к полевикам... :07:
Наиболее низкое оно у CoolMOS и Trench.
-
Обмен опытом по моделированию силовых систем на VHDL
В данной ветке про VHDL ни одного поста не нашел.
Занимается кто нибудь?
-
Опубликовано · Изменено пользователем ArizonaWeird · Пожаловаться
Объявите, пожалуйста, дозу.Доза (гамма-кванты) сильно зависит от легирования N-drift и пострадиационного отжига.
Можно танцевать в обе стороны от 1Е5 Gy.
-
Нужны специальные диоды.
"Горячий" ток утечки можно уменьшить облучением диода.
Нужно обращать внимание в спецификации на ток утечки при 125С, они могут отличатся на порядок для одинакового номинала тока.
-
Дак если модуль сделан из четырех транзисторов то 16ватт не будет... Там 100А максимум на транзистор. Причем в особо редких случаях и не более 10 секунд. Термодатчик там будет однозначно, тут без вариантов - мне пожар на борту не нужен.
IXYS MOSFET модули честно говоря в интернет-магазинах не нашел. С доставанием видимо проблема будет. По цене тоже вопросы.
Кстати этот гелеобразный теплопроводящий состав реально где-нибуть найти-купить ?
На/в Украине IXYS поставляет РЕКОН
http://www.rekon.kiev.ua/price_search.php?...p;criteria=Ixys
В РФ - АРГУСОФТ
-
Опубликовано · Изменено пользователем ArizonaWeird · Пожаловаться
Цены на IXYS очень даже разумные, если брать у дистрибьютора в Германии, к примеру... :) По срокам, да, иногда недель 8 выходит, но это по новым приборам в основном. Про указанный транзистор ничего сказать не могу, к сожалению.На/в Украине IXYS поставляет РЕКОН
http://www.rekon.kiev.ua/price_search.php?...p;criteria=Ixys
В РФ - АРГУСОФТ
-
преимущества инверторов на IGBT
http://www.elsit.ru/index.php?cur_folder=1...;pubs_year=2008
С уважением, Олег.
Энергопотребление WiFi микросхем
в Wireless/Optic
Опубликовано · Пожаловаться
Atheros ROCm AR6002 – микросхема Wi-Fi с очень малым потреблением для мобильных устройств.
В качестве примера, иллюстрирующего свойства нового продукта, производитель приводит такой расчет: работая в приложении VoIP, AR6002 потребуется 100 часов, чтобы израсходовать заряд обычной батареи сотового телефона (3,7 В, 800 мА•ч). Еще один пример: одного заряда указанной батареи AR6002 хватит для закачки 200 Гбайт данных.
http://www.vernex.ru/news/atheros_rocm_ar6002__mikrosxem