[ASDFG123 0]

Балун какотсюда ?

 

тоже очень интересует тема, у меня ничерта не получилось.

 

heavysci по графику выбираете исходя из частоты, если 2 ггц то 3.74.

[Bogdan95 0]

Здравствуйте, коллеги. Скажите, может кто интересовался данным моментом, учитывает ли ADS при расчётах параметров устройства влияние контактных площадок пассивных компонентов? Работаю на высоких частотах и при моделировании footprint перекрывает МПЛ.

[heavysci 0]

Добрый день. Вопрос к гуру. При симуляции МШУ (экспорт ЭМ модели в схематик и подключение компонентов Мурата и S-параметров транзистора) расчетные графики выше по частоте чем экспериментальные на ~200 МГц. Частота 2 ГГц. Проблема наблюдается и в MWO. S21 совпадает по абсолютному значению, но расчетное значение смещено вверх по частоте. MaxGain совпадает по частоте, но больше по абсолютному значению на ~3 дБ. В дизайнах на 8 ГГц и 3 ГГц та же проблема. Вариация эпсилон не даёт столь ощутимого сдвига по частоте. Грешили на вариацию толщины диэлектрика при пресовании, но на производстве п/п сказали что базовый материал не меняет толщину при пресовании. Увеличение металлизации после металлизации отверстий также сказывается не значительно. Возможно у кого то была схожая проблема. Диэлектрик Ro4350b 10mil. Эпсилон в дизайне 3.48.

 

Проблема решена. FEM дал полную (+-10 МГц) сходимость с реальным устройством по частоте , в отличии от MOMuW. Ошибка по уровню усиления максимум 0.4 дБ, по уровню КСВН вх/вых 0.5. Коэффициент шума не сошелся на 0.4 дБ (ни со Spice моделью, ни с S-параметрами). Возможно проблема в измерении NF, расчетный 0.4 дБ, получили 0.89 дБ. Измеряли на ZVL13 с ГШ NC346A фирмы Noisecom. Может кто-нибудь направить в соответствующую ветку форума по измерениям NF<1 дБ, сдается мне здесь есть на что напороться. В расчете не учтен переход SMA-печатная плата, и многослойность платы(не стал заморачиваться в силу неопытности задания портов). Может в этом беда.

Хотя народ в AN11499 от NXP получает расчетно 1.5 дБ, а в реале около 1.8 и довольны, даже аппноут сделали.

 

Внесите пожалуйста ясность.

 

Отдельное спасибо ASDFG123

 

Здравствуйте, коллеги. Скажите, может кто интересовался данным моментом, учитывает ли ADS при расчётах параметров устройства влияние контактных площадок пассивных компонентов? Работаю на высоких частотах и при моделировании footprint перекрывает МПЛ.

Если считаете в Layout, то учтет, в Schematic придется самому учитывать.

[demonis 0]

Балун какотсюда ?

 

тоже очень интересует тема, у меня ничерта не получилось.

 

Да, балун как на палетах NXP

 

[Pir0texnik 0]

Здравствуйте, коллеги. Скажите, может кто интересовался данным моментом, учитывает ли ADS при расчётах параметров устройства влияние контактных площадок пассивных компонентов? Работаю на высоких частотах и при моделировании footprint перекрывает МПЛ.

надо смотреть на лейаут модели, если там есть контактные площадки, то эта информация уже учтена естественным образом(но надо вот только так его и использовать, если ваша топология налезает на этот футпринт, то это потенциальный источник ошибки), если нет, то нет, надо просто знать где там референсные плоскости у "голой" модели (тут уже с падами можно играться как угодно).

А если скажем полосок проходит под деталью, то никакие эффекты связанные с взаимодействием детали и полоска под ней учтены не будут.

[heavysci 0]

... надо просто знать где там референсные плоскости у "голой" модели ...

Вот что есть по Murata http://kambing.ui.ac.id/onnopurbo/orari-di...tool/parame.pdf . Для конденсаторов почему то только shunt mode. В пункте 3 сказано, что пады сдээмбедены. Не знаю насколько применимо к остальным моделям.

Вопрос: как для таких моделей (без падов) задавать порты (калибровку) в лейауте? SMD или NONE?

[Pir0texnik 0]

Вот что есть по Murata http://kambing.ui.ac.id/onnopurbo/orari-di...tool/parame.pdf . Для конденсаторов почему то только shunt mode. В пункте 3 сказано, что пады сдээмбедены. Не знаю насколько применимо к остальным моделям.

Вопрос: как для таких моделей (без падов) задавать порты (калибровку) в лейауте? SMD или NONE?

Да я вот как-то и не знаю... В библиотеке мураты (с сайта мураты) у элементов есть лейауты, так вот точки подключения у них стоят на концах падах, не внутри где-то, а вот там... странно это.

Почему шунт мод - не знаю, его бывает делают для больших катушек, которые в принципе так и будут использоваться - шунтом на землю. Может ут тоже, для больших емкостей?

В библиотеке, кстати, у них все нормально, можно включать как угодно.

 

про порты.. В начале был порт None и применялся он для наших целей много лет, но была у него видимо паразитная индуктивность и емкость, и сказал агилент тогда, что не хорошо, да будет SMD... Подозреваю толк от него будет на высоких частотах, но нормально он ставится только между одинаковых выступов или в разрыве, иначе ругается и сбрасывается в none.

[Faton_11 0]

Добрый день!

Была импортирована спайс модель, но при запуске симуляции возникает ошибка:

 

Error detected by hpeesofsim during netlist parsing.

ADS-syntax parser error in '<ADS netlist>', line 43:

syntax error

 

подскажите, пожалуйста, как можно исправить эту проблему

[Pir0texnik 0]

В 43 строке ошибка, но узнать, что в этой строке может только кисайт, т.к. читаемый исходник ael интерпритирован в нечитаемый aef, который разогнуть обратно в читаемое состояние могут только они.

Кстати, ну посмотрите глазами чего там в том спайсе, это же текстовый файл.

[demonis 0]

При моделировании LDMOS транзистора LSSP расчет не проходит, пока не поднять смещение с 1.6 В до, например, 1.61 или 1.63 В. И так в зависимости от номиналов элементов схемы согласования. Очень мешает оптимизации. Кто-то встречался с такой ситуацией? Как ее можно побороть?

[ASDFG123 0]

При моделировании LDMOS транзистора LSSP расчет не проходит, пока не поднять смещение с 1.6 В до, например, 1.61 или 1.63 В. И так в зависимости от номиналов элементов схемы согласования. Очень мешает оптимизации. Кто-то встречался с такой ситуацией? Как ее можно побороть?

А как отсюда пробовали ? Поэтапно сначала просто от модели узнавая ток и напр. смещения.

 

У меня есть у самого вопрос, как промоделировать диодный детектор чтобы узнать какое напряжение будет на выходе ? Модель диода HSMS-282K. Смысл такой что бы узнать одновременно какое согласование будет у детектора при реальном сигнале который будет открывать диод, а также пост.напряжение которое будет на выходе ?

Может у кого есть ссылки на статьи или готовый шаблон ?

[heavysci 0]

Добрый день. Вопрос к опытным ADSовцам. Использую компонент MixerIMT2. Создал интермодуляционную таблицу, подсунул,с огрехами но работает. Встала задача задать коэффициенты отражения на входах смесителя не в одной частотной точке, а в диапазоне. Создал mdif файл с комплексными коэффициентами отражения вида:

BEGIN DATA_S_TERM

% port_freq(real) port_S(complex)

1.0000000000E7 5.86555070693E-2 -6.7912234553

.

.

.

END

 

Поставил DAC компонент, указал ему путь к файлу, в свойствах смесителя в графе SP11 установил FileBased, указал там DAC1 и переменную "port_S". Жмякаю шестеренку, и....

"Error detected by hpeesofsim in device 'MIX1.SDD7P1' during circuit set up"

"Improper frequency dependence in SDD parameters"

 

Собирал по такой схеме порт с частотно зависимым импедансом (как в начале темы) все работало. В чем косяк?

 

Вот здесь пишут по этой ошибке: One or more of the implicit relationships depends on freq or omega. Frequency dependence is not allowed. Гугл говорит что сие означает, что частотная зависимость не допускается( Кто нибудь может что нибудь сказать/опровергнуть?

[demonis 0]

А как отсюда пробовали ? Поэтапно сначала просто от модели узнавая ток и напр. смещения.

 

У меня есть у самого вопрос, как промоделировать диодный детектор чтобы узнать какое напряжение будет на выходе ? Модель диода HSMS-282K. Смысл такой что бы узнать одновременно какое согласование будет у детектора при реальном сигнале который будет открывать диод, а также пост.напряжение которое будет на выходе ?

Может у кого есть ссылки на статьи или готовый шаблон ?

 

У меня основная проблема как раз в применении команды LSSP - чтобы просчитала на всех частотах, то изменяю и напряжение на затворе и входную мощность в небольших пределах и параметры солвера.

 

А вам команда LSSP не подойдет? Она как раз показывает согласование и тут же можете обычным HB посмотреть, какое у вас значение напряжения на выходе.

[qsr 0]

А кто может подсказать, если я импортирую из гербера переходные отверстия, я могу их потом в проекте каком использовать именно как via? А то я создал подложку, добавил via между слоями, поставил этой via в соответствие импортированный слой(?) а он мне говорит, что металлизация для этой via будет проигнорирована в процессе моделирования. И потом в layout цепи далее этих "via" не формируются.

Непонятно, почему он в слой какой-то via импортировал а не создал ПО для нее?

[heavysci 0]

А кто может подсказать, если я импортирую из гербера переходные отверстия, я могу их потом в проекте каком использовать именно как via? А то я создал подложку, добавил via между слоями, поставил этой via в соответствие импортированный слой(?) а он мне говорит, что металлизация для этой via будет проигнорирована в процессе моделирования. И потом в layout цепи далее этих "via" не формируются.

Непонятно, почему он в слой какой-то via импортировал а не создал ПО для нее?

Возможно поможет переместить все виа с этого слоя на какой нибудь стандартный слой, типа hole.