[Zuse 0]

Всем привет.

Есть устройство с мостом на IGBT. Дело дошло до регулировки и, поскольку ожидания и реальность несколько разошлись, решил перечитать теорию и наткнулся на непонятные противоречия.

Есть статья, на которую я опирался и в которой просто и доходчиво объясняются процессы, протекающие в IGBT-транзисторах при включении/выключении:

https://www.power-electronics.info/drv-mosfet-igbt.html

Вот диаграммы токов и напряжений для процесса выключения:

Из диаграмм видно, что нарастание напряжения коллектор-эмиттер от нуля до напряжения питания накладывается на плато Миллера.

Теперь обратимся к описанию транзистора RGCL60TS60D 

https://www.es.co.th/Schemetic/PDF/RGCL60TS60D.PDF

в котором имеется график заряда затвора:

Взглянем теперь на графики зависимости  Trise и Tfall, а также потерь от тока коллектора и сопротивления затвора: 

 

Видно, что сопротивление затвора не оказывает на Tfall и потери существенного влияния, а это идет вразрез с диаграммами из статьи, где изменение напряжения коллектор-эмиттер от нуля до напряжения питания накладывается на плато Миллера и стало быть Trise и Tfall должны быть связаны с зарядом плато и должны зависеть от сопротивления затвора. 

И к чему вообще в DS приведен график заряда затора, если производитель утверждает, что сопротивления затвора не оказывает на динамику существенного влияния? 

Изменено 5 октября, 2022 пользователем Zuse