Гибридные IGBT - сила Si и SiC в одном корпусе!

Ответить

19 января, 2021

Компания Infineon представила новые гибридные IGBT-транзисторы на 650 В,

которые сочетают в себе преимущества технологий TRENCHSTOP и CoolSiC.

Использование SiC-диода Шоттки позволяет значительно расширить возможности IGBT

и снизить уровень энергии, необходимой для включения транзистора (Eon), а также уменьшить потери на переключение.

Присоединяйтесь к обсуждению

Вы можете написать сейчас и зарегистрироваться позже. Если у вас есть аккаунт, авторизуйтесь, чтобы опубликовать от имени своего аккаунта.

Ответить в этой теме...

× Вставлено с форматированием. Вставить как обычный текст

Разрешено использовать не более 75 эмодзи.

× Ваша ссылка была автоматически встроена. Отображать как обычную ссылку

× Ваш предыдущий контент был восстановлен. Очистить редактор

× Вы не можете вставлять изображения напрямую. Загружайте или вставляйте изображения по ссылке.