[jcxz 184]

Пишу очередную систему хранения на SPI-flash с выравниванием износа. В связи с чем есть некие сомнения.

В мануале на flash есть вполне типичные данные: Cycling Endurance: Program/Erase cycles per main Flash array sectors (minimum)

Всегда считал, что ресурс флеши считается в выполнившихся операциях стирания. Т.е. - количестве переводов каждого бита из нестёртого состояния в стёртое. И операции записи особой роли не играют. И если скажем сектор стирания состоит из 256КБ и писать в него за раз только по одному биту, то после 256*1024*8 таких записей (по одной в каждый бит каждого байта сектора) и последующего стирания всего сектора, его ресурс уменьшится на 1.

Но почему в мануалах на флеши везде упорно пишут именно о "Program/Erase cycles", а не просто "erase"???   Может операции записи тоже нужно как-то учитывать? И каждая операция записи для одного бита уменьшает ресурс всего байта? И если страницу скажем писать на за один приём, а за 2, то её ресурс также уменьшится на 2?

 

PS: Имеется в виду обычная флешь данных, а не флешь МК.

[aaarrr 63]

1 hour ago, jcxz said:

Но почему в мануалах на флеши везде упорно пишут именно о "Program/Erase cycles", а не просто "erase"???

Возможно, чтобы обозначить условие. А случай стирание-неоднократная запись никак не специфицируют.

У NAND, например, это число ограничено, и нередко дозаписи не допускаются вообще.

[jcxz 184]

43 минуты назад, aaarrr сказал:

У NAND, например, это число ограничено, и нередко дозаписи не допускаются вообще.

Я не уверен на счёт типа своей памяти. В мануале конкретного указания нет, но встречаются слова "NOR", а вот слово "NAND" - не встречается. И стёртое состояние у неё - все '1'.

Наверное NOR. Дозаписи нормально работают. Чип: S25FL512S.