Компания Infineon представила новую линейку MOSFET 1200 В, изготовленных по технологии CoolSiC.
Транзисторы доступны в корпусе D2PAK-7L (TO263-7) в широком диапазоне значений RDS(on) (от 30 до 350 мОм).
В новых MOSFET используется технология соединения кристалла .XT, которая помогает рассеивать на 30% больше
тепла через соединение «чип-корпус» по сравнению с традиционными решениями.
Подробнее >>