Search the Community
Showing results for tags 'статья'.
-
Обобщив богатый опыт и ноу-хау в сфере силовой электроники, компания Infineon представляет CoolSiC™ MOSFET - революционную технологию, позволяющую кардинально улучшить параметры устройств. По сравнению с традиционными ключами на базе кремния, такими как IGBT и MOSFET, карбид-кремниевые (SiC) полевые транзисторы обладают существенными преимуществами. Приборы CoolSiC™ выпускаются на напряжения 1700, 1200 и 650 В. Карбид-кремниевые транзисторы сочетают в себе отличные характеристики, надёжность и простоту использования в разработках. Мы сделали подборку статей о технологии CoolSiC™, которая поможет вам вывести КПД и надёжность ваших устройств силовой электроники на высочайший уровень! Читать статьи >>
-
Драйверы затвора являются связующим звеном между двумя частями любого импульсного преобразователя электрической энергии: схемой управления и силовой частью. В общем случае эту задачу можно решить с помощью схем на основе дискретных компонентов, однако использование специализированных микросхем позволяет не только снизить затраты времени на разработку, но и упростить схему, уменьшить размеры печатной платы, а также сократить общий список компонентов преобразователя. Немаловажным фактором при выборе готового решения является наличие интегрированной изоляции с гарантированной электрической прочностью, что особенно важно для высоконадежных приложений. В широкой линейке интегральных драйверов затвора, выпускаемой компанией Infineon для транзисторов верхнего и нижнего плечей силовых преобразователей, имеются изделия с различными параметрами и со всеми типами разделения входных и выходных цепей: без изоляции, с изоляцией p-n-переходом, с изоляцией диэлектриком и с изоляцией посредством трансформаторов. Читать статью >>