howlet 0 18 августа, 2010 Опубликовано 18 августа, 2010 · Жалоба Здравствуйте. Помогите, пожалуйста, может у кого есть литература или методики по проведению старения полупроводниковых приборов, полупроводников, металлов. Буду рад любой ссылке. Заранее благодарен :) Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
V_G 8 18 августа, 2010 Опубликовано 18 августа, 2010 · Жалоба Полупроводник в составе п/п прибора искусственно состарить нереально. Более того, в начале эры полупроводников их считали вечными, и это во многом верно. Скорее всего, старятся девайсы с постоянной высокой нагрузкой (типа полупроводниковых лазеров, мощных сверхъярких светодиодов, возможно, высоковольтных устройств). Остальные отказывают не от старения, а от нарушений режимов эксплуатации, действия ионизирующего излучения и космических частиц и от проявления скрытых дефектов, внесенных на этапе изготовления. Так что испытания должны быть направлены не на старение, а на проявление скрытых дефектов. По этому поводу есть научные статьи и диссертации, но никак не нормативные документы. Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
howlet 0 18 августа, 2010 Опубликовано 18 августа, 2010 · Жалоба спасибо за экскурс в историю. искусственное старение создается с целью определить как долго будет работать полупроводник и при каких условиях. этот термин часто встречается в статьях. у нас есть импортная методика искусственного старения. хочется естественно получить побольше информации об этом. если есть ссылки на статьи это тоже будет здорово. еще вроде термин термоудара тоже относиться к искусственному старению. Искусственное старение стабилизирует параметры прибора. Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
dlwest 0 18 августа, 2010 Опубликовано 18 августа, 2010 · Жалоба >Искусственное старение стабилизирует параметры прибора. Иначе говоря, выводит характеристику интенсивности отказов (у буржуев FIT bathtub curve) на плоский участок, определяемый в основном случайными отказами. Достигается технологическим прогоном оборудования. Насчет параметров прогона могу сказать, что FIT разных типов компонентов имеют разные формализованные зависимости от режимов работы, определяемых в основном током, температурой, напряжением и частотой, а отсюда можно вывести методику прогона. При расчетах я пользовался справочником "Надежность ЭРИ", издаваемым, если не ошибаюсь, 22 ЦНИИИ МО. В качестве теории неплоха книга "Practical Reliability of Electronic Equipment and Products", E.R.Hnatek. Полупроводники стареют от температуры, радиации, etc. Распайка кристалла стареет от термоциклирования. Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
i-mir 0 18 августа, 2010 Опубликовано 18 августа, 2010 · Жалоба Возможно ответ на ваш вопрос содержится в Device Reliability Failure Models - модели расчета надежности полупроводников в ускоренных режимах. Описание методики прилагаю (англ): DRF_models.pdf Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
howlet 0 18 августа, 2010 Опубликовано 18 августа, 2010 · Жалоба Спасибо, сейчас посмотрим Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться