koluna 0 25 апреля, 2010 Опубликовано 25 апреля, 2010 · Жалоба Здравствуйте! Стоит задача спроектировать ПП. ПП содержит МП AT91SAM9XE и две SDRAM MT48LC16M16A2. Плата четырёхслойная (внутренние слои - питание и общая цепь). Желательна работа с памятью на максимальной частоте. После прочтения TN-46-14 и просмотра конференции остались некоторые вопросы, в решении которых прошу мне помочь разобраться :) 1. Termination. Если на шинах не менее 4 микросхем памяти и длина шин менее 2 дюймов, то Микрон рекомендует использовать последовательное завершение (Rs = 51...70 Ом). А если менее 4, то завершение вообще не требуется? Как я понял из текста далее, длина шин более 2 дюймов вообще не рекомендуется? Для двунаправленных линий терминаторы ставятся в середине шины, для однонаправленных линий - со стороны МП? А если МП и память находятся весьма близко, допустим, в радиусе 3 см, то как располагать терминаторы? 2. Линии шины данных желательно располагать на отдельном слое (отдельно от линий шины адреса и управляющей шины)? 3. Допуски на длину. Линии данных в пределах одного байта +/- 50 мил. Линии данных разных байтов +/- 500 мил. Разница между линиями данных и синхросигнала +/- 500 мил. Разница между линиями адреса, управляющими линиями и линиями синхросигнала +/- 400 мил. Если несколько линий синхросигнала (несколько микросхем памяти), разница их длин +/- 20 мил. Чем обусловлен такой разброс (50 и 500 мил) между двумя первыми подпунктами? 4. Правильно ли я понял, что помимо развязывающих керамических, Микрон рекомендует ещё и по одному развязывающему танталовому электролиту на каждую микросхему памяти и располагать его где-то там в углу микросхемы на плате? Если да, то как его трассировать? Просто поставить рядом с микросхемой и с помощью виасов подключить к слоям питания и общей цепи? 5. Какую топологию выбрать для трассировки памяти? Звезда или шина? Благодарю заранее. Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
koluna 0 25 апреля, 2010 Опубликовано 25 апреля, 2010 · Жалоба Частично по п. 1, 3: http://electronix.ru/forum/index.php?showt...ost&p=52558 По п. 5: http://electronix.ru/forum/index.php?showt...ost&p=52563 Последовательное подключение (шина)? Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
koluna 0 26 апреля, 2010 Опубликовано 26 апреля, 2010 · Жалоба Неужели никто не сможет мне помочь? :( Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
Uree 1 26 апреля, 2010 Опубликовано 26 апреля, 2010 · Жалоба Может. Просто подобные вещи уже неоднократно обсуждались, с аргументами, работающими примерами, моделированием и т.п. Поищите. Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
koluna 0 26 апреля, 2010 Опубликовано 26 апреля, 2010 · Жалоба Может. Просто подобные вещи уже неоднократно обсуждались, с аргументами, работающими примерами, моделированием и т.п. Поищите. Я нашёл несколько тем, но в них ответы не на все мои вопросы... Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
Uree 1 26 апреля, 2010 Опубликовано 26 апреля, 2010 · Жалоба 1. Termination. Если на шинах не менее 4 микросхем памяти и длина шин менее 2 дюймов, то Микрон рекомендует использовать последовательное завершение (Rs = 51...70 Ом). А если менее 4, то завершение вообще не требуется? Как я понял из текста далее, длина шин более 2 дюймов вообще не рекомендуется? Для двунаправленных линий терминаторы ставятся в середине шины, для однонаправленных линий - со стороны МП? А если МП и память находятся весьма близко, допустим, в радиусе 3 см, то как располагать терминаторы? Что-то не увидел я там 51-70 Ом терминаторов, увидел только последовательные резисторы такого номинала. И их рекомендуют ставить в середину двунаправленной линии или как можно ближе к источнику в однонаправленной. Далее, если у Вас 2 и меньше чипов в системе памяти и длина трасс ЦПУ-СДРАМ меньше 2 дюймов, то промоделировав линии связи можно отказаться от терминаторов вообще. Если терминаторы ставить, то рекомендованный номинал 22-27 Ома, максимум 56, опять же по результатам моделирования. Установка терминаторов посередине линии, равно как и со стороны проца не практикуется. Обычно на линии данных терминаторы вешаются максимально близко к пину СДРАМа. Адреса делаются как правило Т-вида и терминаторы ставятся близко к точке разветвления сигналов. Ну и последовательные резисторы там везде рекомендуется ставить. А лучше всего конечно все это промоделить. 2. Линии шины данных желательно располагать на отдельном слое (отдельно от линий шины адреса и управляющей шины)? Совершенно не обязательно. Просто между разными группами сигналов желательно соблюдать соответствующие зазоры. 3. Допуски на длину... Забейте на эти допуски:) Я не понимаю на что они там так закладываются, но за пределы окна вылезти очень трудно. Реально нужно примерно выравнять длины внутри каждой группы данных(на самом деле они и так почти ровные получаются, в пределах сантиметра как правило разброс без доп. выравниваний). Потом не надо делать десятикратную разницу между разными байтами:), и дальше клок должен быть длиннее всех. 4. Правильно ли я понял, что помимо развязывающих керамических, Микрон рекомендует ещё и по одному развязывающему танталовому электролиту на каждую микросхему памяти и располагать его где-то там в углу микросхемы на плате? Если да, то как его трассировать? Просто поставить рядом с микросхемой и с помощью виасов подключить к слоям питания и общей цепи? Рекомендует. Но на самом деле хватает и обычного электролита на 100мк на каждый корпус. Главное чтобы питание было цельным плэйном и этот электролит на нем сидел. 5. Какую топологию выбрать для трассировки памяти? Звезда или шина? Для данных точка-точка, для адресов/управления Т-образную. ЗЫ Вот примерно такой случай трассировки: Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
koluna 0 27 апреля, 2010 Опубликовано 27 апреля, 2010 · Жалоба Ответ мой получился долгим и несколько сумбурным, возможно, трудным для восприятия. Так что извиняюсь, на всякий случай и рекомендую прочитать сообщение целиком перед тем, как ответите :) Что-то не увидел я там 51-70 Ом терминаторов, увидел только последовательные резисторы такого номинала. И их рекомендуют ставить в середину двунаправленной линии или как можно ближе к источнику в однонаправленной. Стр. 10 Series Termination, первый пункт с точкой. Я неправильно перевёл или в терминах запутался? По поводу положения резисторов понятно. Далее, если у Вас 2 и меньше чипов в системе памяти и длина трасс ЦПУ-СДРАМ меньше 2 дюймов, то промоделировав линии связи можно отказаться от терминаторов вообще. Если терминаторы ставить, то рекомендованный номинал 22-27 Ома, максимум 56, опять же по результатам моделирования. Этого в указанном мною документе нет ;) Буду благодарен за ссылки :) Вообще, документация от Микрона скупа :( А если больше 2 чипов? А если длина трасс больше 2 дюймов? А лучше всего конечно все это промоделить. Хорошая идея, только нет возможности пока :( В чём посоветуете промоделировать? Как быть с трассировкой? Из Оркада вытащить можно или надо рисовать в чём-то другом? Что-то я не понимаю, терминаторы и те самые последовательные резисторы - разные вещи? А почему тогда раздел называется "Termination"? Или под терминатором подразумевается всегда только параллельное подключение к диф. линии согласующего резистора для устранения неоднородности в линии (как в RS-485, например)? Совершенно не обязательно. Просто между разными группами сигналов желательно соблюдать соответствующие зазоры. По поводу зазоров понятно всё. Рекомендует. Но на самом деле хватает и обычного электролита на 100мк на каждый корпус. Главное чтобы питание было цельным плэйном и этот электролит на нем сидел. Где лучше располагать электролит (относительно пинов питания)? Питание и общая цепь - отдельные слои. Но не совсем цельные, конечно (разрываются виасами). Хотелось бы понять физику процессов. Электролит подключаем к слоям питания виасами. Непосредственного подключения к пинам памяти отдельными дорожками не требуется, как я понимаю? ЗЫ Вот примерно такой случай трассировки: Установка терминаторов посередине линии, равно как и со стороны проца не практикуется. Обычно на линии данных терминаторы вешаются максимально близко к пину СДРАМа. Адреса делаются как правило Т-вида и терминаторы ставятся близко к точке разветвления сигналов. Ну и последовательные резисторы там везде рекомендуется ставить. Большое спасибо за реальный пример! Какая память у Вас используется? Частота? Как я понимаю, на рисунке, справа у МС памяти пины данных. Соединение с процессором (ПЛИС) точка-точка. Последовательные резисторы (резисторные сборки) стоят приблизительно посередине, как рекомендовано. Слева у МС памяти (и между ними), пины адреса и управляющие. Т-образная топология. Последовательные резисторы (резисторные сборки) стоят рядом с процессором (ПЛИС), как рекомендовано. Теперь я понял что такое терминаторы :) Как я понимаю, терминаторы Вы используете (резистивные сборки и резисторы). Стоят они внизу и вверху на рисунке. Подключены к питанию или к общей цепи? Почему у Вас терминаторы на шине адреса расположены не у точки разветвления? ;) Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
koluna 0 4 мая, 2010 Опубликовано 4 мая, 2010 · Жалоба Вот что на данный момент получилось. Прошу ознакомиться и рецензировать :) http://electronix.ru/forum/index.php?showtopic=75934 Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться