[armtech 0]

Just now, artemkad said:

Это как? С не вашего блока выходит отдельный выход массы к которому подключены все реле?

Масса же на всех 10 выходах общая, я ее коммутирую через транзистор.
 

Вот нарыл в тырнете похожую схему.
В моем варианте имеется два отличия:
1. Между ногой МК и Q1 будет добавлен резистор R2 10K (?)
2. BSS138K будет заменен на AO3416

Только с МК +3.3В

[artemkad 179]

8 минут назад, armtech сказал:

Масса же на всех 10 выходах общая, я ее коммутирую через транзистор.

Т.е с чужого блока выходят 10  выходов  разрывающих массу релюшек?

[Plain 393]

11 минут назад, armtech сказал:

Масса же на всех 10 выходах общая, я ее коммутирую через транзистор.

Т.е. ещё специальный 11-й транзистор, в дополние к 10-ти уже имеющимся, для выключения всех 10-ти выходов одним сигналом? Здесь Вам каждый первый скажет, что STM32 способен справиться без него.

Edited November 13, 2025 by Plain

[EdgeAligned 148]

9 часов назад, armtech сказал:

Вопрос - будет ли хорошей идеей использовать n-канальный мосфет типа AO3416?

Вполне. Только запас по напряжению Vds небольшой, а релюхи любят выбрасывать импульсы. Можно было бы посмотреть 30 В Vds.

И кстати, сверхнизкого Rdson не нужно. Релюха - вещь не шибко требовательная к напряжению. В даташитах указаны напряжение срабатывания и напряжение удержания, и они ниже 12 В. Да и ток обмотки обычно невысокий, десятки миллиампер.

[armtech 0]

3 minutes ago, EdgeAligned said:

Вполне. Только запас по напряжению Vds небольшой, а релюхи любят выбрасывать импульсы. Можно было бы посмотреть 30 В Vds.

И кстати, сверхнизкого Rdson не нужно. Релюха - вещь не шибко требовательная к напряжению. В даташитах указаны напряжение срабатывания и напряжение удержания, и они ниже 12 В. Да и ток обмотки обычно невысокий, десятки миллиампер.

Вообще это типовая схема включения. 
Номиналы резисторов тут ближе к реалиям.
Насчет транзистора вы правы, можно и с запасом поставить, благо их как грязи.

[MAJOR_KA65 15]

Если рядом в смысле ЭМС никто не гадит и некому гадить, то для каждого реле отстоящего на 1 метр от ключа напрашивается своя витая пара с диодом, расположенным на минимальном расстоянии от катушки реле. Обвел красным. 

[EdgeAligned 148]

13 минут назад, armtech сказал:

Номиналы резисторов тут ближе к реалиям.

. Резистор на 100 кОм можно уменьшить до 15-25 кЛм

[armtech 0]

8 minutes ago, MAJOR_KA65 said:

Если рядом в смысле ЭМС никто не гадит и некому гадить, то для каждого реле отстоящего на 1 метр от ключа напрашивается своя витая пара с диодом, расположенным на минимальном расстоянии от катушки реле. Обвел красным. 

Так оно и есть, защитный диод прямо к ногам релюшек подпаян.
Провод скручен.

Касаемо МК, он на той же земле сидит что и транзистор и реле.
Не смотря на то что релюшки сигнальные и слабые, да и на расстоянии находятся.
Не требуется ли кроме блокирующего кондера 0.1 мФ и электролита 100-300 мФ по питанию еще как-то защитить от реолюшек или это лишнее?

И еще вопрос к спецам, для общего развития, будет ли практическая разница в работе моей схемы между месфетом, биполярным транзистором и сборкой Дарлингтона?

[haker_fox 162]

43 minutes ago, armtech said:

Вообще это типовая схема включения. 

Вы б свою нарисовали. А то на чужом скрине 24 В.

1 hour ago, armtech said:

Вот нарыл в тырнете похожую схему.

Лексика не инженерная. А гопническая. Нарисуйте свою схему, это займёт 20 минут, если рисовать от руки на клетчатой бумаге. Сразу масса вопросов прояснится. Но если не можете, попросите ChatGPT это сделать, он как раз придуман для удовлетворения потребностей ленивых.

18 minutes ago, armtech said:

будет ли практическая разница в работе моей схемы между месфетом, биполярным транзистором и сборкой Дарлингтона?

Читайте книги. Хотя бы ХиХ.

Кто же без реальной схемы и допусков знает, что у вас там будет. На MOSFET будет падение напряжения, равное произведению тока обмотки на Rdson. На биполярном транзисторе в режиме насыщения около 0.2 - 0.4 В. На дарлингтоне - то же самое. На Шиклаи - то же самое.

24 minutes ago, armtech said:

Не требуется ли кроме блокирующего кондера 0.1 мФ и электролита 100-300 мФ по питанию еще как-то защитить от реолюшек или это лишнее?

Знаете, как разработка реального устройства выглядит? Не смотря на изобилие знаний, который конечно же нужны, строится эскзиный макет прибора. Затем проводятся его испытания: на ЭМС, на надёжность, на работоспособность и т.д. и т.п. Не смотря на то, что в нашем коллективе, например, работают специалисты с ВО, и они стараются всё предусмотреть, промоделирвоать, всё равно иногда при испытании обнаруживаются какие-либо неучтённые эффекты. Вам, скорее всего, придётся поступить точно также: собрать макет и провести испытания.

[Priest_89 29]

25 minutes ago, haker_fox said:

На дарлингтоне - то же самое. На Шиклаи - то же самое

Не то же самое. Там к Uкэ насыщения входного транзистора добавляется Uбэ выходного, поэтому общее падение будет около 0,9-1 Вольт.

[haker_fox 162]

9 minutes ago, Priest_89 said:

Там к Uкэ насыщения входного транзистора добавляется Uбэ выходного, поэтому общее падение будет около 0,9-1 Вольт

Открыл свои умные книги, действительно, Вы правы!

[Plain 393]

2 часа назад, armtech сказал:

Не требуется ли кроме

В неразборном едином устройстве — не требуется.

10 выходов МК закорачивают базы BC817-40, которые подтянуты к +12 В резисторами 10 кОм, коллекторы к минусам реле, с плюсов реле — делители 10 кОм / 4,7 кОм на 10 входов МК.

Edited November 13, 2025 by Plain

[EdgeAligned 148]

Кстати, на той "типовой" схеме загадочное обозначение реле и его контактов, не пофеншую. И так же загадка с двумя последовательными реле. Предположу, что второе (правое) - это контактор (пускатель). Тогда для первого (левого) напряжение обмотки можно выбирать меньшим, на 5 В например. Либо, если требуется изоляция, можно через оптрон. Ну, в общем, схема - типовая для ардуинщиклв, не шибко то умудрённых аппаратной частью.

[haker_fox 162]

11 minutes ago, EdgeAligned said:

Ну, в общем, схема - типовая для ардуинщиклв, не шибко то умудрённых аппаратной частью.

Знаете, меня уже начинают бесить подобные авторы тем) Хотя, казалось бы, не нравится - проходи мимо. Но меня реально бесит: ни схему нарисовать (они считают, что она типовая, не осознавая своего заблуждения), ни указать параметры питающего напряжения, температуры эксплуатации и т.д. и т.п. Зато задают абстрактные вопросы, не имеющие ответов в данных обстоятельствах: как сделать хорошо (и, наверное, дешевле), чтобы быстрее продать и получить свои 100 т.р. за поделку...

[vladec 29]

1 час назад, armtech сказал:

И еще вопрос к спецам, для общего развития, будет ли практическая разница в работе моей схемы между месфетом, биполярным транзистором и сборкой Дарлингтона?

Представляется, лучше полевой транзистор с резистором на землю с затвора, биполярный же n-p-n с последовательным резистором в базе может приводить к ложным срабатываниям при включении питания, когда контроллер еще не проинициализирован и на его контактах только PullUp-ы.