ChristinaChadzynski 1 November 15 Posted November 15 (edited) · Report post 2 hours ago, haker_fox said: Я не понимаю, чего Вы от меня хотите? Было бы круто, если б Вы практическим примером или хотя бы в симуляторе показали "фундаментальную" необходимость подтяжки. Но здесь у нас не зал суда, доказывать свои слова никто никого не принуждает. 2 hours ago, haker_fox said: Подтяжка затвора или базы транзистора, работающего в ключевом режиме по крайней мере, к истоку или эмиттеру всегда была правилом хорошего тона. Да, как вот галстук. Хотя подвешенный затвор с базой путать не стоит. 2 hours ago, haker_fox said: Кажется, это доказывают транзисторы RET Их основное свойство - что на вход можно подавать +5..+12В. Ну т подтяжка - для универсальности и скорости, она ничего практически не стоит. 2 hours ago, haker_fox said: Я ничего не хочу доказывать или даже идти проверять на макете. Мудро. Edited November 15 by ChristinaChadzynski Share this post Link to post Share on other sites More sharing options...
haker_fox 92 November 15 Posted November 15 · Report post В принципе, объяснение этому резистору просто: в транзисторе может иметься и имеется утечка коллектор-база. При высоком h21э, например в паре Дарлингтона, возможно частичное открывание транзистора, что для ключа, конечно же нежелательно. Я до этого не сам дошёл, а нашёл объяснение. Поскольку неважно, какой транзистор германиевый или кремниевый - утечки есть везде, резистор от базы до эмиттера лишним не будет точно. А фактически - повысит надёжность схемы. Величины утечек в даташитах не приводятся, отсутствие резистора вынудит каждый транзистор, устанавливаемый в устройство, проверять самостоятельно, что неэффективно. Думаю, что это подойдёт в качестве доказательства, столь рьяно желаемого одним из участников темы. Небольшой расчёт. Чтобы открыть БТ, нужно напряжение на переходе около 0.65 В. Пусть мы используем резистор, запирающий транзистор, номиналом 100 кОм. Тогда ток утечки, необходимый для открывания транзистора, составит 6.5 мкА, что, скорее всего, очень много для полупроводника. Но снизив номинал резистора до 20 кОм, мы уже ставим условием ток утечки, необходимым для паразитного открытия, 32.5 мкА, чего точно не должно быть, по крайней мере в маломощных транзисторах. Share this post Link to post Share on other sites More sharing options...
makc 354 November 15 Posted November 15 · Report post Тема была почищена от оффтопика. Не забывайте про правила форума и не переходите на личности. 1 Share this post Link to post Share on other sites More sharing options...
ChristinaChadzynski 1 November 15 Posted November 15 · Report post Дарлингтон или полевик - это принципиально более чувствительные приборы, а речь шла об одиночном БТ. 18 minutes ago, haker_fox said: Поскольку неважно, какой транзистор германиевый или кремниевый Драматическая ошибка. В германии утечки на 3 порядка выше и открывают прибор даже без сигнала. 19 minutes ago, haker_fox said: резистор от базы до эмиттера лишним не будет точно Лишним не будет, но и обязательным - тоже. 16 minutes ago, haker_fox said: Я до этого не сам дошёл, а нашёл объяснение. Это прекрасно. Фундаментальные аксиомы - они такие. 20 minutes ago, haker_fox said: Величины утечек в даташитах не приводятся Буквально в каждом даташите. Share this post Link to post Share on other sites More sharing options...
haker_fox 92 November 15 Posted November 15 · Report post 4 minutes ago, ChristinaChadzynski said: а речь шла об одиночном БТ. Читайте внимательнее: 29 minutes ago, haker_fox said: При высоком h21э, например в паре Дарлингтона, Здесь я не ограничиваю сферу только парой. 5 minutes ago, ChristinaChadzynski said: но и обязательным - тоже. Не согласен. Это зависит от конкретных параметров транзистора: утечки, h21э и окружения транзистора на плате. 8 minutes ago, ChristinaChadzynski said: Буквально в каждом даташите. Открыл даташиты на: MMBT6520L 2N3904 BC847 2SC5994 Токов утечек коллектор-эмиттер не обнаружил. Буду признателен, если покажете "буквально в каждом даташите" это где? 11 minutes ago, ChristinaChadzynski said: Драматическая ошибка. В германии утечки на 3 порядка выше и открывают прибор даже без сигнала. Вы цитируете обрыки предложения, не читая до конца. Уже не в первый раз. 36 minutes ago, haker_fox said: Поскольку неважно, какой транзистор германиевый или кремниевый - утечки есть везде, резистор от базы до эмиттера лишним не будет точно. Я что написал? Что утечки есть в любом полупроводниковом приборе. Share this post Link to post Share on other sites More sharing options...
ChristinaChadzynski 1 November 15 Posted November 15 · Report post 5 minutes ago, haker_fox said: Читайте внимательнее: Я про тему, а не про Ваш пример. Здесь были и ПТ, например, подтягивание затвора никто не оспаривал. Контекст - обычный БТ. 6 minutes ago, haker_fox said: Не согласен. Это зависит от конкретных параметров транзистора: утечки, h21э и окружения транзистора на плате. Покажите это. Главный параметр таки - температура, но если на кристалле будет под 100° - то это уже спецслучай. 8 minutes ago, haker_fox said: Токов утечек коллектор-эмиттер не обнаружил. Буду признателен, если покажете "буквально в каждом даташите" это где? Не считаю нужным разжёвывать азбучные истины. 10 minutes ago, haker_fox said: Я что написал? Что утечки есть в любом полупроводниковом приборе. Делая вывод, что и там и там с ними нужно бороться, значимость их сравнимая. Share this post Link to post Share on other sites More sharing options...
quаrk 73 November 15 Posted November 15 · Report post 1 минуту назад, ChristinaChadzynski сказал: Делая вывод, что и там и там с ними нужно бороться, значимость их сравнимая. Бороться нужно только с тем, что мешает решению задачи. С остальным бороться не нужно - это бессмыленная работа! Share this post Link to post Share on other sites More sharing options...
makc 354 November 15 Posted November 15 · Report post Тема себя исчерпала и была закрыта. Share this post Link to post Share on other sites More sharing options...
