Jump to content
    

Power Distribution Network (PDN) странность для меня

Надеюсь в правильном разделе разместил.

Решил поглубже поковыряться с PDN и с удивлением обнаружил для себя, что увеличение площади полигона питания на внутреннем слое приводит к ухудшению Frequency domain target impedance или Ztarget в терминах PDN Design Tool 2.0 приложения Altera для Cyclone V. До этого считал что так получается конденсатор с нулевой индуктивностью и чем больше его площадь, а значит и ёмкость тем лучше. По результатам моделирования получается, что для полигона 2480х2480 mils нужно порядка 35 конденсаторов, а для полигона в 10 раз меньше (248х2480) 14 конденсаторов. Выбор частоты определяется, тем что есть линии LVDS с частотой 875 Mbps. В интернете находил, что моделировать нужно до 500-1000 МГц по разным источникам. 

Я что-то не понимаю? И увеличение площади полигонов питания ухудшает качество питания на высоких частотах?

Копия 28nm_pdn_16.0_hid_04_27.7z

Share this post


Link to post
Share on other sites

6 часов назад, dinam сказал:

Я что-то не понимаю? И увеличение площади полигонов питания ухудшает качество питания на высоких частотах?

Обязательно ухудшит

Две обкладки, диэлектрик, индуктивность, обязательно появится собственная рез. частота.

Share this post


Link to post
Share on other sites

2 часа назад, Александр Мылов сказал:

Обязательно ухудшит

Две обкладки, диэлектрик, индуктивность, обязательно появится собственная рез. частота.

Фишка в том, что насколько я понял считается, что индуктивность нулевая. Поэтому отсутствует резонансная частота. 

Share this post


Link to post
Share on other sites

5 часов назад, dinam сказал:

По результатам моделирования получается, что для полигона 2480х2480 mils нужно порядка 35 конденсаторов, а для полигона в 10 раз меньше (248х2480) 14 конденсаторов. Выбор частоты определяется, тем что есть линии LVDS с частотой 875 Mbps.

Многослойный "пирог" предпочтителен, VCC-GND-VCC-GND-... с высотой ядра/препрега 50мкм, если производитель позволяет. Так Xilinx рекомендует. В одном слое увеличение площади не должно ухудшать ЭМС, то и улучшать особо тоже. Excel никак не сравним с полноценным моделированием типа Sigrity/HyperLynx.

Share this post


Link to post
Share on other sites

12 часов назад, rloc сказал:

Многослойный "пирог" предпочтителен, VCC-GND-VCC-GND-... с высотой ядра/препрега 50мкм, если производитель позволяет. Так Xilinx рекомендует. В одном слое увеличение площади не должно ухудшать ЭМС, то и улучшать особо тоже. Excel никак не сравним с полноценным моделированием типа Sigrity/HyperLynx.

Я не про ЭМС слава богу 😊. А про качество питания. На примере типовой 4х слойки. Маломощной, но с линиями со скоростью 875 Mbps. Изредка читая умные книжки и статьи на эту тему у меня осталось в памяти, что современная стратегия разводки питания это то что вы описали - слои питания, чем больше, тем лучше и с минимальной высотой препрега. Считается, что полигон имеет нулевую индуктивность. И поэтому конденсаторы по питанию уже можно не стараться лепить поближе, например, к FPGA. А стараться их и FPGA подключить с минимальной индуктивностью к этому полигону и земле. Плюс читал, что на высоких частотах, когда уже дискретные конденсаторы не работают используют ёмкость полигонов на плате и делают емкости на кристалле или внутри микросхемы. Т.е. специально ради этого набирают емкость слоями. А у меня по результатам моделирования получается, что ёмкость платы только ухудшает качество.

Share this post


Link to post
Share on other sites

2 hours ago, dinam said:

Считается, что полигон имеет нулевую индуктивность. 

Приведите пожалуйста цитату и источник.

Share this post


Link to post
Share on other sites

41 минуту назад, _Sergey_ сказал:

Приведите пожалуйста цитату и источник.

Самый первый, источник который удалось найти. Хорошо, конечно правильнее сказать не нулевую, а пренебрежимо малую по сравнению с другими индуктивностями. Например, в этом документе AN 750: Using the Altera PDN Tool to Optimize Your Power Delivery Network Design. Обратите внимание на первое предложение. А в модели она её даже не учитывает, смотрите рисунок ниже. Так вот моделирование, которое предлагает Intel, не учитывает эту индуктивность и всё равно для меня такой странный результат. Также скорее всего и в этой книге читал про это читал.

image.thumb.png.c615c55ea7db459299ab03031b3f3e86.png

Share this post


Link to post
Share on other sites

33 минуты назад, _Sergey_ сказал:

Я не раз уменьшал полигон питания чтобы PDN нормально работал.

Сильно странно это для меня. В том же документе в конце Intel даёт рекомендации для улучшения PDN - увеличивать емкость между слоями любыми способами.

image.thumb.png.a2b1f57f0b68d0be73ce5deec39fc6b7.png

А при моделировании в её же инструменте я вижу прямо противоположное. Или это у меня какой-то не типовой случай и обычно это даёт положительный результат?

Share this post


Link to post
Share on other sites

Случай типовой, уже было сказано:

19 hours ago, Александр Мылов said:

Обязательно ухудшит

Две обкладки, диэлектрик, индуктивность, обязательно появится собственная рез. частота.

Share this post


Link to post
Share on other sites

14 минут назад, _Sergey_ сказал:

Случай типовой, уже было сказано:

Похоже мы пошли по кругу. Ещё раз, в модели нет индуктивности у слоёв, и в инструменте как видно используется эта модель.

Share this post


Link to post
Share on other sites

22 часа назад, dinam сказал:

Фишка в том, что насколько я понял считается, что индуктивность нулевая. Поэтому отсутствует резонансная частота.

Ошибаетесь!

 

5 часов назад, dinam сказал:

Ещё раз, в модели нет индуктивности у слоёв, и в инструменте как видно используется эта модель.

То,что в EXСEL  вообще не воспринимаю серьёзно. Картинка красивая, а пользы нет.

5 часов назад, dinam сказал:

Ещё раз, в модели нет индуктивности у слоёв, и в инструменте как видно используется эта модель.

Хреновый инструмент. Не используйте его. Больше пользы будет. Только вносит "пургу" в мозги.

Share this post


Link to post
Share on other sites

5 часов назад, dinam сказал:

Я не про ЭМС слава богу

ЭМС в самом прямом смысле. Как в excel учесть, что полигон изрешечен via, где-то с термобарьерами? Влияние произвольной геометрии плейна со свойствами патч-антенны и краевыми эффектами? Взаимное влияние via и оптимизация их расположения для уменьшения индуктивности (чередование направлений токов)? Даже не представляете, насколько далека упрощенная модель с эквивалентными индуктивностями, сопротивлениями и емкостями на частотах выше 100МГц.

Share this post


Link to post
Share on other sites

59 минут назад, Александр Мылов сказал:

Ошибаетесь!

То,что в EXСEL  вообще не воспринимаю серьёзно. Картинка красивая, а пользы нет.

Хреновый инструмент. Не используйте его. Больше пользы будет. Только вносит "пургу" в мозги.

Вроде фирма солидная и для приличных микросхем предназначен инструмент. А есть инструмент с лёгким порогом вхождения и доступным пользователям этого форума? Платы развожу в Altium.

Share this post


Link to post
Share on other sites

Join the conversation

You can post now and register later. If you have an account, sign in now to post with your account.

Guest
Reply to this topic...

×   Pasted as rich text.   Paste as plain text instead

  Only 75 emoji are allowed.

×   Your link has been automatically embedded.   Display as a link instead

×   Your previous content has been restored.   Clear editor

×   You cannot paste images directly. Upload or insert images from URL.

×
×
  • Create New...