Jump to content
    

Тюнеры импеданса

On 6/13/2024 at 9:38 AM, Сергей Викт said:

....

При превышении предельно допустимого напряжения сток-исток транзистор входит в режим пробоя, примерно, как стабилитрон, и если ограничить ток пробоя то транзистор  может находится в таком состоянии длительное время и не выходить из строя. Кроме того, есть такое понятие, как энергия лавинного пробоя, т.е. энергия запасенная в индуктивных элементах схемы и рассеивающаяся на транзисторе в случае пробоя.

....

Вы забыли про электролитические конденсаторы, которыми обвешивается каскад. Лавинный пробой СИ(возникший от увеличения амплитуды самовозбуждения каскада) + электролитический конденсатор = достаточная энергия для создания необратимого лавинного процесса. Да и скорость реакции блоков питания при переключении из CV в CC очень долгая и она сработает когда уже всё сгорело.

Если бы не было электролитов внутри DUT и мощные блоки питания с медленной защитой тоже не радуют. Возможно я бы согласился. Но так... 

Вопрос в развитие вопроса: Как отличить на трупике лавинный пробой от теплового пробоя? Ну чисто гипотетически...

Share this post


Link to post
Share on other sites

On 6/12/2024 at 9:00 AM, serega_sh____ said:

Да. Я говорил про схему рабочего места для измерения мощности на VNA. Просто один из направленников на выходе подключен к детектору.

Самое противное в этом рабочем месте, это свиснувший транзистор. Если это это произойдёт на большой мощности, то мы потеряем немного денег или много денег. Поэтому пусть он лучше свистит в той рабочей точке, где он безвреден. Да и схема антизвона часто капризная. Да и регулировщики любят её постоянно исключать при настройке усиления или мощности.

Ну повторюсь. Я не спец. Но для себя я вывел три вида поломок (пробоя) транзистора:

1 - Статика. Ну там всего 2...7в на затворе выбивает транзистор. Тут больше вопрос к технологам. У нас например при производстве и монтаже замыкают выводы транзистора ММкой

2 - Тепловой пробой. Или перегрев.

3 - Пробой напряжения сток-исток (V(br)dss). Этот пробой может случиться при плохом КСВ или самовозбуждении. А плохое КСВ у нас везде кроме рабочей частоты, и свистнуть может везде. Если смотреть современные транзисторы, то там напряжение пробоя Vbrdss имеет значительно больше чем двухкратный запас  от напряжения питания (это ксв=1:10). Но из-за специфики мы часто работаем на современных российских технологиях и там транзисторы более чувствительны к напряжению Vbrdss.

Мне кажется, Ваш вариант (импульсный режим) защитит от поломок по типу 2., но не защитит от типа 3. Да и передатчики у меня ретрансляционные, работающие в непрерывном режиме. Нет у меня не импульсных генераторов, не модуляторов.

Какую схему антизвона используете? У нас стоит модулятор вот такой 

Share this post


Link to post
Share on other sites

On 6/13/2024 at 11:47 AM, Loota said:

Какую схему антизвона используете? У нас стоит модулятор вот такой 

Схема подачи питания? В серийке, на полевых - да никакой. Просто DC/DC через индуктивно-емкостной фильтр на транзистор. Смещение резисторами от напряжения питания. Даже термокомпенсации нет (но есть АРМ и защита от плохого КСВ). И всё работает....

В новой разработке попробуем GaN через схему запуска https://www.ampleon.com/documents/application-note/AN11130.pdf (вместо LT4256−1CS8, полевой транзистор в режиме источника тока, ну схема тоже стандартная). Но данная аппликашка у нас адаптирована к нашим российским реалиям и на два транзистора дохерти. Пришлось инвертор напряжения городить. Эта схема от амплеона хороша, тем что можно всё сделать на ОП. Поэтому нас сегодня в новой разработке РПДУ со 100% ОП (включая материалы). Но это пока перспективная работа. Кстати, на этой схеме подачи питания можно много интересных фенечек нагородить на рассыпухе. Например, отключение половинки дохерти. Или ограничение тока стока при авариях.

 

Если про антизвонные цепи, то в основном смотрим на вот эту апликашку https://polyfet.com/mtt97.pdf Эту аппликашку надо очень медленно разглядывать и смысл не сразу доходит.

Share this post


Link to post
Share on other sites

On 6/13/2024 at 2:56 AM, rloc said:

Какой другой результат? Тепла больше выделится в некотором локальном участке кристалла? Больше не это интересует, а где усилители взять с полосой на несколько ГГц и мощностью 1кВт на один кристалл?

Такие усилители еще существуют https://www.qorvo.com/products/amplifiers/spatium#ta0082;;;aa0136:asc/

2-18 востребованный диапазон для РЭБ.

Share this post


Link to post
Share on other sites

Раз уж тут про "умирание транзисторов речь зашла" тоже спрошу, вдруг кто знает: мощный LDMOS транзистор несколько раз сгорал с такими симптомами: затвор относительно истока пробивался и появлялось сопротивление (каждый раз разное) от 36 до 10 Ом. Такой симптом в следствие чего может быть: самовозбуждения, превышения напряжения стока, превышения напряжения тока стока или....?

Share this post


Link to post
Share on other sites

Скорее как и в большинстве случаев цепь затвора. Не успевает защита затворов отреагировать на воздействие... Также никто не отменял полок Миллера, чаще там и происходит накопление зарядов для пробоя. Их просто нечем контролировать извне. Для этого во многих даташитах указывают Q, но чтобы полностью соблюсти требования простыми схемками не отделаться. Еще момент пробоя по превышению стокового напряжения, .. как и когда? Стоковая катушка или дроссель с некой индуктивностью запасает энегрию, по выключению выбрасывает ее в виде импульса много кратно превышающий допусимое напряжение стока, тут борятся уменьшением добротности, демпферами, симметрированием и тп. Но предусмотреть все варианты не просто. Самовозбуд можно проконтролировать, так же как и превышение тока и напряжения по цепи стока, но нужны скоростные измерители с временами 0,5..5мкс, чтобы успеть за Q. У начинающих стороить усилители на мощных LDMOS еще бывает проблема с последовательностью подачи напряжений питания, если на затвор подать смещение раньше пинания стока то пробой гарантирован. 

Share this post


Link to post
Share on other sites

On 6/13/2024 at 12:40 PM, Sokrat said:

Раз уж тут про "умирание транзисторов речь зашла" тоже спрошу, вдруг кто знает: мощный LDMOS транзистор несколько раз сгорал с такими симптомами: затвор относительно истока пробивался и появлялось сопротивление (каждый раз разное) от 36 до 10 Ом. Такой симптом в следствие чего может быть: самовозбуждения, превышения напряжения стока, превышения напряжения тока стока или....?

Мне кажется Ищите возбуждение каскада. 

Покажите кусочек схемы с транзистором. И частота. 

Share this post


Link to post
Share on other sites

On 6/13/2024 at 1:59 PM, Aner said:

по выключению выбрасывает ее в виде импульса много кратно превыщеющий допусимое напряжение стока

Если при измерениях задействована VNA, то могут не спасти даже аттенюаторы и прибор больше 100k$ также погорит, это относится также к различным bias-tee.

Share this post


Link to post
Share on other sites

тут скоростные TVS обеспечивают борьбу с такими выбросами, но нужно это знать и использовать ...

Share this post


Link to post
Share on other sites

On 6/13/2024 at 1:20 PM, alex-sss said:

Если при измерениях задействована VNA, то могут не спасти даже аттенюаторы и прибор больше 100k$ также погорит, это относится также к различным bias-tee.

При нормальной проработке ничего не сгорит. Делайте анализ худшего случияслучия для измерительной схемы. 

Share this post


Link to post
Share on other sites

1 час назад, alex-sss сказал:

Такие усилители еще существуют

С суммированием они, а не одно/двух-кристальные. И тем более не 1кВт.

Share this post


Link to post
Share on other sites

57 минут назад, Aner сказал:

У начинающих стороить усилители на мощных LDMOS еще бывает проблема с последовательностью подачи напряжений питания, если на затвор подать смещение раньше пинания стока то пробой гарантирован. 

Далеко не обязательно. LDMOS транзисторы весьма толерантны к вариантам подачи напряжения питания, смещения и входного сигнала. В отличии от GaN, вот эти дохнут сразу.

Еще LDMOS транзисторы могут гореть от превышения dV/dt на стоке, а возникать это может и по причине самовозбуждения.

Share this post


Link to post
Share on other sites

В выходных каскадах самого ВНА DC-20+ стоят усилители с классом ESD порядка 1, соответственно даже выброс при работе bias-tee с рабочим напряжением >30 В также может привести к отжиганию выходного/входного каскада.

Share this post


Link to post
Share on other sites

2 hours ago, Сергей Викт said:

Далеко не обязательно. LDMOS транзисторы весьма толерантны к вариантам подачи напряжения питания, смещения и входного сигнала. В отличии от GaN, вот эти дохнут сразу.

Еще LDMOS транзисторы могут гореть от превышения dV/dt на стоке, а возникать это может и по причине самовозбуждения.

О мощных LDMOS, там однозначно. Никак они не толерантны к вариантам подачи напряжения питания, уж поверьте челу с опытом.

3 hours ago, Сергей Викт said:

Далеко не обязательно. LDMOS транзисторы весьма толерантны к вариантам подачи напряжения питания, смещения и входного сигнала. В отличии от GaN, вот эти дохнут сразу.

Еще LDMOS транзисторы могут гореть от превышения dV/dt на стоке, а возникать это может и по причине самовозбуждения.

У мощных LDMOS самовозбуд редкость. Даже у тех у которых Ку под 28dB. Разве что, чел делает неграмотно, не понимает причины возбуда. Как и откуда берется эта положительная OC для возбуда и как ее не допускать. 

Share this post


Link to post
Share on other sites

Join the conversation

You can post now and register later. If you have an account, sign in now to post with your account.

Guest
Reply to this topic...

×   Pasted as rich text.   Paste as plain text instead

  Only 75 emoji are allowed.

×   Your link has been automatically embedded.   Display as a link instead

×   Your previous content has been restored.   Clear editor

×   You cannot paste images directly. Upload or insert images from URL.

×
×
  • Create New...