Sivent 0 4 октября, 2006 Опубликовано 4 октября, 2006 (изменено) · Жалоба 1D - одномерное моделирование, только по глубине. Полезно когда требуется подогнать режимы диффузии и имплантации для получения требуемого профиля распределения примесей. 3D - соответственно трехмерное моделирование. Из лигамента эту возможность я никогда не использовал. В большинстве случаев, если Вы не работаете с субмикронными процессами или не моделируете датчики, достаточно двухмерного моделирования. 3D не даст существенного выиграша по точности, зато значительно увеличит время расчета. Что-то я файлов проекта не вижу. прошу прощения файл не прикрепился размер большой получился у него в mdraw сохранил контакты под осмысленным именем E1,B1,K1 вид на рисунке1 сохранил коммандный файл сохранил mesh (он не закрыл окошко сохранения пришлось нажать кнопку dismiss) после этого закрыл mdraw (запросил сохранить boundary - сохранил) посмотрел лог, dessise запускается перед mdraw хотя он стоит после как мне сформировать командный файл для dessise? почему dessise запускается перед mdraw? Изменено 4 октября, 2006 пользователем Sivent Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
psygash 0 4 октября, 2006 Опубликовано 4 октября, 2006 · Жалоба Командный файл для dessis должен быть примерно такой: File { *input files: Grid="ваш_файл_mdr.grd" Doping="ваш_файл_mdr.dat" *output files: Plot="ваш_файл_des.dat" Current="ваш_файл_des.plt" Output="ваш_файл_des.log" } Electrode { { Name="E1" Voltage=0.0 } { Name="B1" Voltage=0.0 Current=0.0} { Name="K1" Voltage=2.0 } } Physics {AreaFactor=10 Temperature=300 Mobility( DopingDep HighFieldSat Enormal ) EffectiveIntrinsicDensity( BandGapNarrowing(OldSlotboom )) Recombination( SRH(DopingDep) Auger Avalanche(Eparallel)) } Plot { eDensity hDensity eCurrent hCurrent eQuasiFermi hQuasiFermi Potential SpaceCharge ElectricField Doping DonorConcentration AcceptorConcentration SRHRecombination AvalancheGeneration Auger eMobility hMobility eVelocity hVelocity } Math { Extrapolate Derivatives Avalderivatives Notdamped=50 RelErrControl NewDiscretization Iterations=20 Digits=5 } Solve { Poisson Coupled (Digits=5, Iterations=100, Notdamped=100) {Poisson Electron Hole } Quasistationary (InitialStep=1.0e-5 MaxStep=0.01 Minstep=1.0e-6 Goal {name="B1" Current=0.01}) {Coupled{Poisson Electron Hole}} } Электрические воздействия на электроды для получения ВАХ задаются командой goal, поставите, что Вам нужно. Физические воздействия (магнитное поле, механические напряжения, свет, температура) задаются в секции Physics. Насчет порядка запуска - создайте файл для dessis и наверное все станет нормально. Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
Sivent 0 6 октября, 2006 Опубликовано 6 октября, 2006 · Жалоба создал des.cmd при расчете выдает следующюю ошибку что мол не может выделить место для массива (приложил файлы проекта там все есть, убрал из проекта файлы больше 150 кб) в mdraw контакты (слева на право : первые два не использовать, потом по порядку K1 B1 E1) ещевопрос после того как отработает dessise что надо для вывода графиков? и как сформировать коммандный файл для него? (если можно пример) заранее огромное спасибо за помощь tr.zip Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
psygash 0 6 октября, 2006 Опубликовано 6 октября, 2006 · Жалоба создал des.cmd при расчете выдает следующюю ошибку что мол не может выделить место для массива (приложил файлы проекта там все есть, убрал из проекта файлы больше 150 кб) в mdraw контакты (слева на право : первые два не использовать, потом по порядку K1 B1 E1) ещевопрос после того как отработает dessise что надо для вывода графиков? и как сформировать коммандный файл для него? (если можно пример) заранее огромное спасибо за помощь А какой у Вас объем оперативки? 7-й tcad для винды имеет такой баг, что прибольших количествах узлов в сетке dessis вылетает с ошибкой "can not reallocate enough space for array wrk", при этом по мониторингу свободной оперативки еще достаточно. Единственное решение проблемы - уменьшать количество узлов, либо упрощать физические модели. В Вашем проекте упрощать дальше нельзя, т.к. и так используется обычная дрейфо-диффузионная модель, разве что убрать Avalanche и Enormal (Enormal лучше убрать в любом случае, т.к. влияние вертикального поля актуально для МОП-структур, а не для биполярных, я добавил его по привычке т.к. работаю с МОПами). Поэтому для начала уменьшите размер структуры, у Вас ее можно разрезать наполовину (сечением в prolyt) по коллектору без потери точности, тем более 2 из 5-ти контактов все равно не используются. Другой путь - создать в MDRAW области Refiniments и в них указать минимальный и максимальный размер ячеек сетки. Кстати, в Linux такой проблемы с памятью нет, а если оперативка забита - начинает свапить. Так что этот баг скорее связан с особенностями менеджера памяти винды. Для вывода вольт-амперных характеристик используеися Inspect. Просто добавте его в проект после dessis и в параметрах укажите запуск в интерактивном режиме. Можно запускать инспект отдельно и открывать файл с расширением .plt (Inspect не требует запуска иксов). Для вывода пространственных распределлений параметров (тех, что указаны в секции plot {}) можно использовать либо picasso, либо tecplot_ise. В них надо загрузить 2 файла - файл сетки .grd, полученный после MDRAW и файл данных .dat, полученных после DESSIS. В tecplot это делается так: в меню Tools, пункт ISE TCAD Tools. Откроется окно, в нем в меню File, Load DF-ISE, выбрать сначала .grd файл и Add to list, затем выбрать .dat файл и Add to list, после Open files. Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
Sivent 0 7 октября, 2006 Опубликовано 7 октября, 2006 (изменено) · Жалоба А какой у Вас объем оперативки? 7-й tcad для винды имеет такой баг, что прибольших количествах узлов в сетке dessis вылетает с ошибкой "can not reallocate enough space for array wrk", при этом по мониторингу свободной оперативки еще достаточно. Единственное решение проблемы - уменьшать количество узлов, либо упрощать физические модели. В Вашем проекте упрощать дальше нельзя, т.к. и так используется обычная дрейфо-диффузионная модель, разве что убрать Avalanche и Enormal (Enormal лучше убрать в любом случае, т.к. влияние вертикального поля актуально для МОП-структур, а не для биполярных, я добавил его по привычке т.к. работаю с МОПами). Поэтому для начала уменьшите размер структуры, у Вас ее можно разрезать наполовину (сечением в prolyt) по коллектору без потери точности, тем более 2 из 5-ти контактов все равно не используются. Другой путь - создать в MDRAW области Refiniments и в них указать минимальный и максимальный размер ячеек сетки. Кстати, в Linux такой проблемы с памятью нет, а если оперативка забита - начинает свапить. Так что этот баг скорее связан с особенностями менеджера памяти винды. запускал проект дома у себя : конфигурация дюрон 700, 384 Мб оперативы, свободной оперативы было около 150 мб , а ошибка выдавалась что нужно 53 мб также запускал на рабочем компе: P4 3000, 1024 Мб оперативы, свободно было около 700 Мб последовал вашему совету, уменьшил область в prolyt и убрал Enormal dessise перестал выдавать ощибку но теперь ____________________________________________________________ local% exec "genjob -nice 19 -job 3 @ISEDB@/COPIED_OBJECT_ivan/PROJECT_TR" Oct 07 11:50:21 job 3 <dessis> started on host '211-4': "dessis pp3_des.cmd" Oct 07 11:50:43 --- job 3 <dessis> exited abnormally: exit(2) _____________________________________________________________________ как я понял в des.cmd воздействие на электрод K1 от 0 до 3 вольт будет описывать следующей строчкой (причем здесь же задаются минимальный и максимальный шаги) _____________ (InitialStep=1.0e-3 MaxStep=1 Minstep=1.0e-4 Goal {name="K1" Voltage=3.0}) _____________ а начальные условия _______________________ Electrode { { Name="E1" Voltage=0.0 } { Name="B1" Voltage=0.0 Current=-0.001} { Name="K1" Voltage=0.0 } } __________________________________________ добавил inspect и на графике увидел что dessise просчитал от -0,1 до 0,1 вольта причем ток был 10000 у меня ошибка в структуре или в командном файле? (я так думаю в структуре потомучто ток не может быть так велик) Изменено 7 октября, 2006 пользователем Sivent Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
psygash 0 8 октября, 2006 Опубликовано 8 октября, 2006 · Жалоба А в выходном файле что dessis пишет? Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
Sivent 0 10 октября, 2006 Опубликовано 10 октября, 2006 · Жалоба попоробовал сделать резистор и диод все нормально считает и строит нормальные Вахи буду теперь белать биполярный транзистор и моп-структуру дня через 2 напишу что получилось/неполучилось Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
Sivent 0 12 октября, 2006 Опубликовано 12 октября, 2006 · Жалоба такой вопрос можно ли Tcad заставить строить не только вольт-амперные, но и вольт-фарадные и другие типы характеристик. если можно то как это сделать? Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
psygash 0 15 октября, 2006 Опубликовано 15 октября, 2006 · Жалоба такой вопрос можно ли Tcad заставить строить не только вольт-амперные, но и вольт-фарадные и другие типы характеристик. если можно то как это сделать? DESSIS позволяет проводить малосигнальный AC анализ (в mixed-mode) и анализ переходных процессов. В режиме АС можно получить CV характеристики (пример находиться в Example_Library/GettingStarted/Dessis/advanced_AC). Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
Sivent 0 20 октября, 2006 Опубликовано 20 октября, 2006 · Жалоба чем больше начинаю понимать, тем все больше мне начинает нравится эта программа уважаемые форумчане в Tcad уже изначально описаны полупроводниковые свойства различных материалов но например нет такого полупроводника как ZnS или ZnO можно ли каким то образом их ввести для создания полупроводниковых приборов на их основе или эта среда позволяет только создавать п/п приборы на кремнии? Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
psygash 0 22 октября, 2006 Опубликовано 22 октября, 2006 · Жалоба В DESSIS можно вносить новые материалы. Библиотека материалов содержиться здесь: $ISEROOT/tcad/$ISERELEASE/lib/dessis/MaterialDB. Там много файлов с названиями типа материал.par: silicon.par, oxide.par и тд. В каждом файле описаны параметры материала. Можно создать свой файл параметров нужного материала и поместить в эту библиотеку. В командном файле использовать секцию физика типа Physics (material="material") {<physics-body>}. Также можно создать файл типа dessis.par в текущей директории и в нем указать ссылки на файлы параметров: Region = "Region0" { Insert = "Silicon.par" } Region = "Region1" { Insert = "Oxide.par" } Region = "Region3" { Insert = "Oxide.par" } Region = "Region4" { Insert = "Oxide.par" } Region = "Region5" { Insert = "Oxide.par" } RegionInterface = "Region1/Region0" { Insert = "Oxide%Silicon.par" } RegionInterface = "Region4/Region1" { Insert = "Oxide%Oxide.par" } RegionInterface = "Region3/Region4" { Insert = "Oxide%Oxide.par" } RegionInterface = "Region5/Region3" { Insert = "Oxide%Oxide.par" } RegionInterface = "Region5/Region1" { Insert = "Oxide%Oxide.par" } Electrode = "gate" { Insert = "Electrode.par" } Electrode = "source" { Insert = "Electrode.par" } Electrode = "drain" { Insert = "Electrode.par" } Electrode = "substrate" { Insert = "Electrode.par" } В dios помоему добавлять новые материалы нельзя. Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
Sivent 0 30 октября, 2006 Опубликовано 30 октября, 2006 · Жалоба скачал tcad10 под линукс у меня стоит fedore core 5 распаковал оба архива и установочным скриптом установил его а вот что делать дальше не знаю пробовал запустить generic не получается Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
psygash 0 30 октября, 2006 Опубликовано 30 октября, 2006 · Жалоба скачал tcad10 под линукс у меня стоит fedore core 5 распаковал оба архива и установочным скриптом установил его а вот что делать дальше не знаю пробовал запустить generic не получается А что пишет то? Лицензию правильно установили? Или переменные ISEROOT, PATH, ISEDB может быть неправильно установлены (автоматом не устанавливаются)? Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
Sivent 0 31 октября, 2006 Опубликовано 31 октября, 2006 · Жалоба с помощью команд данных в логах установки установил себе переменные среды ISEROOT и PATH потом iselm install в логах lic.log пишет что вроде все хорошо проходит по всем пунктам лицензии запускаю generic и тут он заявляет что ошибка в синтаксисе на 304 строке что то типа не найден аргумент .....base.... не найдена команда cyg..... смотрите хелп пытался разобраться в скрипте он в принцыпе не должен на 304 строку переходить, так как она должна выполняться только в среде windows, а у меня вроде как линукс установлен после этого он завершается что делать не знаю помогите я 2 недели качал дистрибутив и вот он не работает :( ise_error.zip Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
psygash 0 31 октября, 2006 Опубликовано 31 октября, 2006 · Жалоба А зачем Вы скрипт generic запускаете? Попробуйте команды: $ GENESISe -@diag $ GENESISe -@ldiag Что они покажут. Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться