[крупный радиолюбитель 22]

On 11/6/2025 at 4:21 PM, SAVC said:

спешу выложить результат.

 

On 11/20/2025 at 6:05 AM, SAVC said:

На сегодняшний день, есть рабочая модель

Оставьте эти виртуальные фантазии с бессовестно врущими моделями высоковольтных транзисторов, туфта это всё. Седьмой год теме, ну отжалейте уже пару часов на рабочий макет. Для высоковольтных биполяров типа 2SC3307, при токах коллектора в единицы ампер и остаточном Uкэ порядка одного-двух-трёх вольт, чудо-ключ будет на-сы-щен. При этом время рассасывания избыточного заряда останется в пределах микросекунды в лучшем случае и пологим спадом коллекторного тока, а не те наносекунды что вам нафантазировал симулятор.

[крупный радиолюбитель 22]

Я уложился в 15мин.
 Транзистор 2SC5129. Ток  коллектора 3А. Левая картинко – в открытом состоянии ключ насыщен, ток коллектора 3А. Синий луч -Uкэ, желтый – базовый ток.
Правая картинко – ограничение насыщения с остаточным напряжением на ключе 2.5V(!). Обратите внимание на время рассасывания заряда в базе.

 

[SAVC 3]

Вы бы схему привели, что ли. Иначе - не понятно, что у вас там и как работает.

И да, я не согласен насчёт дико врущих моделей.

Схему будем воплощать в жизнь. Макет не за горами.

Edited December 25, 2025 by SAVC

[крупный радиолюбитель 22]

20 hours ago, SAVC said:

я не согласен насчёт дико врущих моделей

Единственная претензия к применяемым Вами моделям – необоснованно заниженное внутреннее сопротивление коллекторного слоя в режиме не полного насыщения. Rci на картинке.
Моя "установка" типовая – с нелинейной ОС через диод, шунтирующий избыточный базовый ток. И моя установка, и ваша симуляция наивно полагают, что out2 это воистину коллектор за которым и нужно приглядывать. На самом деле у высоковольтных мезапланаров область коллекторного слоя очень толстая и Rci чрезвычайно сильно зависит от степени насыщения, что не отражено в модели. То есть, за счет падения напряжения на Rci, при остаточном напряжении в несколько вольт(!) (out2), коллекторный переход прямосмещён (см невидимый симулятору out1), транзистор таки насыщен.
Заметно лучше обстоят дела у биполяров с граничным напряжением порядка 400-500V и ниже, но там другая технология с тонким коллекторным слоем и она заметно дороже - сложная фотолитография, большая отбраковка и ускоренный износ фотошаблонов. Не конкуренты они 600V мосфетам по цене, плюс свойстенные биполярам недостатки никуда не денутся – склонность ко вторичному пробою, особенно при форсированном рассасывании. И динамическое насыщение при включении увеличивает потери, тоже не стоит закрывать на это глаза.

 

[SAVC 3]

Интересно излагаете. Я не так продвинут в этом вопросе, полагался на модель. До конца вы меня, всё равно, не убедили, но теперь мне нужно "погонять" ключик, собрав стендик для снятия параметров. Транзисторы 2SC3307 я уже приобрёл.

[_Neofit 115]

59 минут назад, крупный радиолюбитель сказал:

На самом деле у высоковольтных мезапланаров область коллекторного слоя очень толстая и Rci чрезвычайно сильно зависит от степени насыщения, что не отражено в модели.

"Квазинасыщение" - об этом?

[SAVC 3]

circuit3-LMV358-2N4401.zip

Изобретаю велосипед: регулируемый источник тока базовой цепи для стендика.

[SAVC 3]

circuit4-Rн.zip Standick...

[SAVC 3]

circuit5.zip

Или даже так...

circuit6.zip

[_Neofit 115]

X3 не будет толком работать без прецизионных (что-то вроде 0,1%) резисторов. Может быть в схеме 5 как-то что-то будет. Но в 4-Rh - будет боль и страдание.

[SAVC 3]

Это вы имеете в виду 10k резисторы в измерительных мостах?

Обычно, если взять ленту резисторов, то они не хуже прецизионных по отношению друг к другу...

[крупный радиолюбитель 22]

On 12/26/2025 at 11:53 AM, Точка Опоры said:

"Квазинасыщение" - об этом?

Ссылка на Казус без VPN не откроется. Пардон, не наш путь.
2SC3307 очень неплох судя по даташиту. Особо не копал, но похоже что там  эпитаксиальная структура с тоненькой эпитаксиальной пленкой и с коллекторной областью меньшей толщины по сравнению с мезапланарами со встречной диффузией. Такие транзисторы более шустрые, но тоже не тот фонтан, что фантазирует симулятор. Под рукой 2SC3307 нет, отснял динамические параметры биполяра ST13009 с похожей топологией. Параметры сняты при Iк=4А. Левая картинко – типовой режим насыщения при Iк/Iб=5.7. Средняя и правая – ограничение насыщения при Uкэ=0.3V и Uкэ=1.3V соответственно. На этом закругляюсь, "установка" демонтирована, интернет злонамеренно отключается. Традиционно много работы перед и после НГ.

 

Edited December 29, 2025 by крупный радиолюбитель

[_Neofit 115]

43 минуты назад, крупный радиолюбитель сказал:

Ссылка на Казус без VPN не откроется. Пардон, не наш путь.

Вроде как РКН что-то нашёл в старинных дебрях, но всем по пояс.
 

Спойлер

bordodynov: "Список моделей биполярного транзистора расширен дополнительными параметрами: несколько параметров для моделирования квази-насыщенного режима, параметры пробивных напряжений эмиттерного и коллекторного (и коллектор-эмиттерного) напряжения. Обычно фирма Zetex (тепер поглощена Diodes) использовала параметры квази-насыщения.
Модель KT940A делал я сам. Эту модель я делал когда был только LTspiceIV.
.model KT940A npn bf=150 is=400f vaf=200 ikf=60m xtb=1.5 br=1 cjc=24p vjc=.75 mjc=.5 fc=.5 cje=50p vje=.75 mje=.33 tr=50n tf=2.5n itf=50m vtf=10 xtf=2 xti=3 eg=1.11 isc=10f nc=2 ise=700p ne=2 rb=30 rbm=3 irb=.1m rc=3 rco=60 Vo=7 GAMMA=1E-6 QCO=1E-11 Vceo=300 Icrating=100m mfg=USSR
В Микрокапе используется простая модель транзистора и этот участок игнорируется. Это не страшно, главное дать побольше тока базы при работе в ключевом режиме. Тогда в высокоомной эпитаксиальной области будет достаточно носителей заряда и сопротивление этой обрасти упадёт. Этот участок актуален для высоковольтных транзисторов. Я ещё сделал несколько подобных моделей. Например:
.model KT872A npn Is=10p bf=55 vaf=600 ikf=1.2 nk=612m br=0.1 var=50 ikr=5 bvbe=7 ibvbe=10mA ise=5n ne=2 isc=3.3u nc=4 rb=1 irb=150m rbm=20m rc=50m re=10m cjc=550p vjc=0.90 mjc=0.28 cje=4.7n vje=0.68 mje=0.33 fc=0.56 tf=14n itf=1 vtf=13.7 xtf=5.46 tr=1u gamma=30u qco=90n rco=2 vo=1k BVcbo=1500 nBVcbo=2. mfg=USSR"

12943: "Какие именно параметры в модели обеспечивают гладкое сопряжение участков насыщения и активного режима?"

bordodynov: "rc=3 rco=60 Vo=7 GAMMA=1E-6 Qco=1E-11 для высоковольтных транзисторов определяют область насыщения и квазинасыщения. Для низковольтных транзисторов достаточно первого параметра. Время выхода из насыщения определяются tr, а также влияют коэффициенты, определяющие прямой и инверсный коэффициент усиления, это параметры BF и BR.
Чёткой границы между активным и насыщенным режимом нет. И зависимость определятся ВАХ коллектора и эмиттера и коэффициентами усиления.

.....

К сожалению я не знаю, какой заряд накапливается в высокоомной области. За него отвечает параметр Qco. Т.е. статические характеристики моделирует нормально, но динамические (выключение) не совсем. Я поставил минимальное значение, которое встретил в моделях. Хотя Zetex для своих моделей не использовала этот параметр. В моей библиотеке есть несколько транзисторов с этим параметром и достаточно большим этим коэффициентом. Нужны натурные эксперименты для определения Qco."

12943: "Как измерять?"

bordodynov: "Нужно измерять включение и выключение транзистора при разных токах коллектора и разной степенью насыщения (разных токах базы). Обычный ключевой каскад с резисторами в коллекторе и базе. Затем воспроизвести реальную схему в LTspice и варьируя параметр добиться максимального совпадения с реальностью. Я не имею формул этой модели и поэтому не могу минимизировать количество экспериментов. Для начала попробуйте при коллекторном токе, который вы используете в реальной схеме."

 

Edited December 29, 2025 by Точка Опоры

[SAVC 3]

Мой макет, который я сделал в 2007 году, показывал уменьшение времени выключения транзистора с 3мкс до 1мкс.

https://savccat.h1n.ru/proj/nsbt/prev.html

Пока всё, что могу сказать.