arthuru 0 March 19 Posted March 19 · Report post On 1/27/2018 at 1:08 AM, AlexandrY said: Никакой ошибки нет, есть риски. Но вы не можете дать их оценки. Поэтому спорить не с чем. 😆 подскажите пожалуйста, хочу разрядить заряженный конденсатор 750В на 1500А, время нарастания тока 6,4мкс, как правильно выбрать тиристор? не слишком ли высокая скорость нарастания для тиристора? или для этого нужен какойто другой коммутатор? Quote Share this post Link to post Share on other sites More sharing options...
Stepanov 26 March 19 Posted March 19 · Report post 42 minutes ago, arthuru said: подскажите пожалуйста, хочу разрядить заряженный конденсатор 750В на 1500А, время нарастания тока 6,4мкс, как правильно выбрать тиристор? не слишком ли высокая скорость нарастания для тиристора? или для этого нужен какойто другой коммутатор? На первый взгляд процесс и вопрос кажется простым, скорость нарастания, ток, напряжение. Однако простого ответа какой тиристор выбрать чтобы он не сгорел выдать невозможно потому как о конкретных особенностях мощного переходного процессе в данном случае вообще ничего никому неизвестно кроме того что скорее всего пики напряжения будут значительно превосходить ожидаемые. Практически варианта три 1) радиолюбительский: взять самый здоровый тиристор и попробовать, ожидая что он с вероятностью 50/50 сгорит при первом же "Махмуд-поджигай". 2) инженерный: заморочится осциллографом, датчиком тока с развязкой и щупом с защитой, и постепенно повышая энергию наблюдать на переходным процессом 3) естествоиспытательский: обойти проблемы используя разрядник с инициирующим пробоем. Quote Share this post Link to post Share on other sites More sharing options...
Stas 3 March 20 Posted March 20 · Report post Рассматривал подобную проблему. Емкость разряжалась через тиристор на низкоомную нагрузку. Изучение вопроса показало, что тиристоры имеют значительный запас I2t при малых временах, но для них очень критично время нарастания тока dV/dT. Обычно это 50А/мкс, видел современные до 200А/мкс. Связано это с тем, что в момент открытия тиристора, после подачи на управляющий электрод потенциала, на переходе возникает маленькая по площади область проводимости, которая со временем увеличивается, приводя к полному открытию тиристора. Таким образом, при большой скорости нарастания тока, возникает локальный перегрев области полупроводника, с деградацией параметров. Как я понял, этот эффект аналогичен выжиганию перехода биполярных транзисторов. Скорее всего, выживаемость подобных схем зависит не от ограничения максимального тока резистором, а от ограничения скорости его нарастания (дополнительная индуктивность). Гуглить надо древний манускрипт про SCR, вроде еще от Филипса.. 1 1 Quote Share this post Link to post Share on other sites More sharing options...
Plain 301 March 20 Posted March 20 · Report post Эффект похоже исходит из структуры кристалла, т.е. если тиристор сперва включить на подтяжку, а затем увеличить ток насыщаемым дросселем, должно быть не так критично. Quote Share this post Link to post Share on other sites More sharing options...
Stepanov 26 March 20 Posted March 20 · Report post Этот? глава 6? Power Semiconductor Applications.pdf Power Control with Thyristors and Triacs.pdf Quote Share this post Link to post Share on other sites More sharing options...
arthuru 0 March 20 Posted March 20 · Report post 21 hours ago, Stepanov said: 1) радиолюбительский: взять самый здоровый тиристор и попробовать, 2) инженерный: заморочится осциллографом, датчиком тока с развязкой 3) естествоиспытательский: обойти проблемы используя разрядник с инициирующим пробоем. подходят оба три варианта) Quote Share this post Link to post Share on other sites More sharing options...
arthuru 0 March 20 Posted March 20 · Report post есть такой например, не дорогой https://www.chipdip.ru/product/t161-200-12-zenion Quote Share this post Link to post Share on other sites More sharing options...
arthuru 0 March 26 Posted March 26 · Report post оказывается мощные тиристоры бывают обычные на 50Гц и быстродействующие до 10кГц Quote Share this post Link to post Share on other sites More sharing options...
arthuru 0 April 1 Posted April 1 · Report post On 3/20/2025 at 7:22 AM, Stas said: в момент открытия тиристора, после подачи на управляющий электрод потенциала, на переходе возникает маленькая по площади область проводимости, которая со временем увеличивается, приводя к полному открытию тиристора. Таким образом, при большой скорости нарастания тока, возникает локальный перегрев области полупроводника, с деградацией параметров. я так понял что у быстродействующих тиристоров зона управляющего электрода разветвлена по площади кристалла и за счет этого скорость нарастания тока гораздо выше Quote Share this post Link to post Share on other sites More sharing options...
