Jump to content
    

Search the Community

Showing results for tags 'sic'.

  • Search By Tags

    Type tags separated by commas.
  • Search By Author

Content Type


Forums

  • Сайт и форум
    • Новости и обсуждения сайта и форума
    • Другие известные форумы и сайты по электронике
    • В помощь начинающему
    • International Forum
    • Образование в области электроники
    • Обучающие видео-материалы и обмен опытом
  • Cистемный уровень проектирования
    • Вопросы системного уровня проектирования
    • Математика и Физика
    • Операционные системы
    • Документация
    • Системы CAD/CAM/CAE/PLM
    • Разработка цифровых, аналоговых, аналого-цифровых ИС
    • Электробезопасность и ЭМС
    • Управление проектами
    • Neural networks and machine learning (NN/ML)
  • Программируемая логика ПЛИС (FPGA,CPLD, PLD)
    • Среды разработки - обсуждаем САПРы
    • Работаем с ПЛИС, области применения, выбор
    • Языки проектирования на ПЛИС (FPGA)
    • Системы на ПЛИС - System on a Programmable Chip (SoPC)
    • Methods and tools for FPGA/ASIC verification
  • Цифровая обработка сигналов - ЦОС (DSP)
    • Сигнальные процессоры и их программирование - DSP
    • Алгоритмы ЦОС (DSP)
  • Микроконтроллеры (MCU)
    • Cредства разработки для МК
    • ARM
    • RISC-V
    • AVR
    • MSP430
    • Все остальные микроконтроллеры
    • Отладочные платы
  • Печатные платы (PCB)
    • Разрабатываем ПП в САПР - PCB development
    • Работаем с трассировкой
    • Изготовление ПП - PCB manufacturing
  • Сборка РЭУ
    • Пайка и монтаж
    • Корпуса
    • Вопросы надежности и испытаний
  • Аналоговая и цифровая техника, прикладная электроника
    • Вопросы аналоговой техники
    • Цифровые схемы, высокоскоростные ЦС
    • RF & Microwave Design
    • Метрология, датчики, измерительная техника
    • АВТО электроника
    • Умный дом
    • 3D печать
    • Робототехника
    • Repair and debug
  • Силовая электроника - Power Electronics
    • Силовая Преобразовательная Техника
    • Обратная Связь, Стабилизация, Регулирование, Компенсация
    • Первичные и Вторичные Химические Источники Питания
    • Высоковольтные Устройства - High-Voltage
    • Электрические машины, Электропривод и Управление
    • Индукционный Нагрев - Induction Heating
    • Системы Охлаждения, Тепловой Расчет – Cooling Systems
    • Моделирование и Анализ Силовых Устройств – Power Supply Simulation
    • Компоненты Силовой Электроники - Parts for Power Supply Design
  • Интерфейсы
    • Форумы по интерфейсам
  • Поставщики компонентов для электроники
    • Поставщики всего остального
    • Компоненты
  • Майнеры криптовалют и их разработка, BitCoin, LightCoin, Dash, Zcash, Эфир
    • Обсуждение Майнеров, их поставки и производства
  • Дополнительные разделы - Additional sections
    • Встречи и поздравления
    • Ищу работу
    • Предлагаю работу
    • Куплю
    • Продам
    • Объявления пользователей
    • Общение заказчиков и потребителей электронных разработок

Find results in...

Find results that contain...


Date Created

  • Start

    End


Last Updated

  • Start

    End


Filter by number of...

Joined

  • Start

    End


Group


AIM


MSN


Сайт


ICQ


Yahoo


Jabber


Skype


Город


Код проверки


skype


Facebook


Vkontakte


LinkedIn


Twitter


G+


Одноклассники


Title

Found 0 results

  1. Применение полупроводниковых приборов на основе карбида кремния (SiC) производства Wolfspeed в высокочастотном резонансном LLC‑преобразователе позволяет уменьшить на 50% массогабаритные показатели преобразователя и снизить на 30% потери мощности в магнитных компонентах. Максимальный КПД преобразователя с выходом 400 В/16 А на частоте 500 кГц при этом достигает 98,5%. В cтатье приведены практические рекомендации по проектированию высокочастотного преобразователя, связанные с компоновкой печатной платы, выбором материала магнитопровода и воздушного зазора, характеристиками обмоточного провода и т.д., а также результаты испытаний. Читать статью >>
  2. Необходим быстродействующий преобразователь питания средней мощности с высоким КПД? Он должен быть компактным и недорогим? Решение – карбид-кремниевые модули средней мощности WolfPACK производства Wolfspeed. Недавно специалисты этой компании представили новое семейство силовых модулей WolfPACK, содержащих карбид-кремниевые транзисторы, смонтированные в недорогом пластиковом корпусе. Такое решение сочетает в себе преимущества карбид-кремниевых приборов, например, повышенную нагрузочную способность при меньших уровнях потерь, а также новых подходов в конструировании преобразователей, заключающихся в отказе от использования массивного основания, применении пружинных контактов, интеграции датчиков температуры и многих других. В статье рассмотрены основные особенности модулей WolfPACK и показано, что переход на эту универсальную и масштабируемую платформу позволяет не только быстро разработать новые устройства, но и без значительных затрат времени и средств модернизировать уже существующие схемы на традиционной элементной базе. Читать статью >>
  3. Какую элементную базу выбрать для проектирования инверторов солнечных батарей – новую карбид-кремниевую или традиционную кремниевую? Еще не так давно считалось, что характеристики инверторов для солнечных электростанций достигли своего технического максимума, и дальнейшее их повышение, из-за недостатков и ограничений существующей элементной базы, маловероятно. Однако в последнее время в конструировании этого типа устройств появилось два новых направления, причем оба положительно сказываются на всех ключевых характеристиках этих преобразователей, в первую очередь – на величине КПД и удельной мощности. Первый способ заключается в замене традиционных кремниевых транзисторов их аналогами, изготовленными из полупроводников с большей, чем у кремния, шириной запрещенной зоны, например, из карбида кремния. Второй способ направлен на поиск новых схемотехнических решений силовой части, позволяющих создавать преобразователи на основе традиционных низковольтных кремниевых MOSFET, имеющих намного лучшие характеристики, чем их высоковольтные аналоги. Использование новых решений позволило создавать инверторы, КПД которых может превышать 99%, что при использовании традиционных принципов построения является недостижимым результатом. В статье рассмотрены ключевые особенности обоих подходов, а также вопросы, на которые нужно обращать внимание при выборе того или иного метода. Читать статью >>
  4. Компания Wolfspeed разработала бесплатный онлайн симулятор SpeedFit 2.0 (полное название – SpeedFit 2.0 Design Simulator), позволяющий за считанные минуты не только всесторонне оценить параметры основных процессов, происходящих в силовой части импульсных преобразователей электрической энергии, но и сравнить между собой различные варианты реализации поставленного технического задания. Главной особенностью симулятора SpeedFit 2.0 является наличие обширной библиотеки моделей современных полупроводниковых приборов, в том числе и практически всех карбид-кремниевых транзисторов и диодов, производимых компанией Wolfspeed, что делает его одним из основных инструментов для разработки преобразователей, отвечающих современным стандартам. Читать статью >>
  5. Добрый день. В двух словах: Сделал ограничитель сетевого напряжения (срезает верхушки синуса на уровне 450 В). Для защиты покупного источника от перенапряжений. Использую транзисторы в линейном режиме с обратной связью через оптрон и стабилитрон (трансил). Выбрал SiC потому что у них меньше потери в открытом состоянии (при прочих равных). Покупной источник при перенапряжении отключается и потребляет минимальную мощность для подзарядки накопительного конденсатора и работы дежурного источника. Так что перегрева транзисторов в линейном режиме быть не должно. Похоже что транзисторы умирают по затвору. Были обнаружены SiC транзисторы с сопротивлением затвора порядка 10 кОм и меньше (даже до 200 Ом) при этом вполне рабочие. В линейном режиме (в момент подзарядки конденсатора внешнего источника) происходит самовозбуждение SiC транзистора (частота порядка 100 МГц) и похоже что это его и убивает. Транзисторы обвешаны защитными диодами и конденсаторами со всех сторон но это не помогает ни сбить автогенерацию ни спасти транзистор. На осциллограммах синяя-выходное напряжение, красная- затворы транзисторов, чёрная-щуп на земле (наводка). Видно что на ХХ всё работает нормально а вот при подзарядке конденсатора внешнего блока меняется режим работы транзистора и он входит в автогенерацию. Ток подзарядки в пике не превышает 0.5 А Плавно повышая напряжение через латр колебания растут по амплитуде и потом транзистор умирает, причём если его не добивать то можно поймать момент когда он рабочий но с сопротивление затвора уже не гигаомы а килоомы. Посоветуйте пожалуйста, что можно предпринять чтобы избавиться от генерации.
  6. Современные информационные технологии, такие как облачные хранилища данных или виртуальные интернет-магазины, давно стали частью нашей жизни, а их наличие и бесперебойная работа теперь являются обязательными условиями для успешной реализации коммерческих проектов любого уровня. Однако круглосуточная поддержка подобных сервисов приводит к ощутимому росту энергопотребления, а это в свою очередь заставляет принимать дополнительные меры по повышению эффективности использования электроэнергии, потребляемой для этих целей. В число таких мер входит увеличение КПД и коэффициента мощности устройств, обеспечивающих питание информационного оборудования. Построение источников бесперебойного питания с двойным преобразованием, широко используемых в современных хранилищах данных, на базе карбид-кремниевых MOSFETs производства Wolfspeed позволяет уменьшить мощность потерь в них до 40%, а также значительно снизить занимаемый ими объем и стоимость комплектующих. Читать статью >>
  7. Компания Wolfspeed выпустила семейство SiC MOSFETсиловых модулей 12 класса – Wolfpack GM3 на токи до 200 А. Подробнее
  8. Компания Wolfspeed (A Cree Company) выпустила референс-дизайн 25 кВт преобразователя с активным выпрямителем (Active Front End) на основе SiC-МОП 1200 В силовых модулей WolfPack – CRD25AD12N-FMC. Подробнее
  9. Компания Wolfspeed (A Cree Company) выпустила SiC силовой модуль 1200 В 530 А на чипах третьего поколения SiC MOSFET в корпусе 62 мм - CAB530M12BM3. Подробнее
  10. Компания Wolfspeed/CREE представила референс-дизайн трёхфазного инвертора мощностью 600 кВт на базе силовых полумостовых SiC MOSFET 1200 В 450 А модулей CAB450M12XM3 – CRD600DA12E-XM3. Подробнее...
  11. Компания Amantys Power Electronics приступила к разработке драйверов совместимых с силовыми SiC модулями ABB LinPak и Hitachi nHPD2. Подробнее...
  12. Обобщив богатый опыт и ноу-хау в сфере силовой электроники, компания Infineon представляет CoolSiC™ MOSFET - революционную технологию, позволяющую кардинально улучшить параметры устройств. По сравнению с традиционными ключами на базе кремния, такими как IGBT и MOSFET, карбид-кремниевые (SiC) полевые транзисторы обладают существенными преимуществами. Приборы CoolSiC™ выпускаются на напряжения 1700, 1200 и 650 В. Карбид-кремниевые транзисторы сочетают в себе отличные характеристики, надёжность и простоту использования в разработках. Мы сделали подборку статей о технологии CoolSiC™, которая поможет вам вывести КПД и надёжность ваших устройств силовой электроники на высочайший уровень! Читать статьи >>
  13. Что привлекает в SiC по сравнению с кремнием, и какие особенности делают компоненты SiC часто используемыми, несмотря на более высокую стоимость в сравнении с кремниевыми высоковольтными устройствами? – Объясняет специалист ведущего разработчика силовых приборов из карбида кремния, компании Infineon. Транзисторы на основе карбида кремния (SiC) все чаще используются в преобразователях питания, к размеру, весу и КПД которых предъявляются повышенные требования. Исключительные свойства SiC позволяют создавать униполярные устройства с высокой частотой переключения в противовес IGBT. Решения, которые до сих пор были возможны в устройствах до 600 В, теперь осуществимы и для более высоких напряжений и дают преимущества, снижающие их потребительскую стоимость: высокий КПД, более высокие частоты переключения, меньшее тепловыделение и экономия места. Читать статью >>
  14. Выбор полупроводникового силового ключа зависит от его свойств, стоимости жизненного цикла преобразователя, а также цели его разработки и требований к производительности. Infineon предлагает целую линейку MOSFET и IGBT с широкой запрещенной зоной (SiC и GaN), продолжая при этом работать над их усовершенствованием. За последние годы способы преобразования напряжения в переменное или постоянное, а также преобразования электрической энергии в энергию механического движения, значительно изменились. Одним из самых существенных изменений было развитие технологий импульсных преобразований, которые обеспечили взрывной рост КПД и позволили реализовать такие разработки как изолированный DC/DC-преобразователь без использования электромашин. Читать статью >>
  15. Компания Wolfspeed выпустила новые карбид-кремниевые транзисторы C3M0350120D/J на напряжение 1200 В, предназначенные для маломощных устройств мощностью до 500 Вт. Карбид-кремниевые транзисторы в сравнении с кремниевыми (IGBT/MOSFET) демонстрируют меньший на 75% уровень потерь на переключение и меньшее на 50% значение потерь проводимости в рабочем режиме при температуре кристалла 100…150°С. Сопротивление открытого канала SiC MOSFET по сравнению с традиционными MOSFET гораздо менее зависит от температуры . Подробнее >>
  16. К числу целевых приложений SiC MOSFET на напряжение 650 В производства Infineon относятся системы электропитания, в которых требуется обеспечить КПД ≥ 97%, импульсные преобразователи, в которых используется или может возникнуть режим жестких переключений, а также мощное силовое оборудование. В связи с ростом привлекательности карбид-кремниевой технологии для более низковольтных приложений разработчики должны хорошо понимать, в каких случаях классические кремниевые MOSFET следует заменять транзисторами, изготавливаемыми по новой технологии. Читать статью >>
  17. Компания Wolfspeed продолжает развивать линейку SiC-приборов. На этот раз расширена линейка диодов Шоттки 6-го поколения на напряжение 650 В в корпусе TO-252 (D-PAK). Основной упор в новом поколении был сделан на уменьшении прямого падения напряжения диода Vf в открытом состоянии, уменьшении температурной зависимости напряжения Vf (T) и снижении обратного тока утечки. Подробнее >>
  18. Новые SiC транзисторы 650 В с сопротивлением канала 15 мОм и 60 мОм построены по инновационной технологии третьего поколения, которая позволяет достичь большей в сравнении с традиционной кремниевой технологией удельной мощности при меньшем уровне потерь. Основным выигрышем для конечных пользователей будет снижение общей стоимости владения электронными устройствами в различных применениях за счёт увеличения КПД устройств, снижения требований к системе охлаждения и высочайшей надёжности. Подробнее >>
  19. 650 В карбид-кремниевые (SiC) MOSFET компании Wolfspeed имеют самый низкий в отрасли показатель сопротивления открытого канала и наименьшую его зависимость от температуры, что дает им преимущество не только перед обычными кремниевыми (Si) 650 В MOSFET, но и перед нитрид-галлиевыми транзисторами. Полупроводниковые приборы на основе карбида кремния позволяют разработчикам оптимизировать системы питания таким образом, чтобы одновременно максимизировать удельную мощность, уменьшить размер и вес устройств, а также повысить их КПД. Читать статью >>
  20. Компания Infineon представила два новых изолированных драйвера затвора SiC MOSFET — 2EDF9275F и 2EDS9265H, расширив тем самым фирменное семейство микросхем EiceDRIVER. Эти изделия относятся к двуканальным драйверам +4 A / -8 A и прекрасно подходят для совместной работы с основными семействами полевых транзисторов компании Infineon: CoolMOS, OptiMOS и CoolSIC. Они повышают эффективность управления благодаря низкой задержке распространения (37 нс) и высокой степени синхронизации в зависимости от рабочей температуры. Подробнее >>
  21. Значение скорости переключения MOSFET в традиционных корпусах ограничено многими факторами. Компания Wolfspeed предлагает для своих MOSFET на базе карбида кремния два новых вида корпусов. Применение компонентов в этих корпусах позволяет уменьшить потери и упростить разработку двадцатикиловаттного активного выпрямителя для станций быстрой зарядки электромобилей. Читать статью >>
  22. В ООО «НПП «ИНКАР» г. Королев, в отдел занимающийся созданием прорывных научно-исследовательских разработок в области силовой и аналоговой электроники, приглашаем к долгосрочному сотрудничеству молодых и амбициозных соискателей на вакансию «Старший инженер-электроник». Обязанности: Разработка схемотехники, конструкции и ПО разнообразных нестандартных источников питания и преобразователей энергии: AC/DC, DC/DC, DC/AC, 3-фазных, привода электродвигателей. Разработка сложных моточных изделий (трансформаторов и дросселей). Внедрение и авторское сопровождение разработанных изделий на производстве. Требования: Опыт в разработке силовых преобразователей, источников питания, приводов. Опыт в расчёте и разработке сложных моточных изделий: трансформаторов, дросселей. Опыт в решении ЭМС проблем. Опыт разработки 3-фазных преобразователей. Умение макетировать, программировать и настраивать схемы. Хорошее знание иностранной и российской аналоговой силовой электронной компонентной базы (MOSFET, IGBT, Thyristor, Diode, Power Modules, ... ). Опыт владения одним из САПР по разработке схемотехники и конструкции печатных плат (P-CAD, OrCAD, Delta Design и т.п.). Опыт владения САПР КОМПАС-3D. Программирование микроконтроллеров. Будет большим плюсом опыт в разработке высоковольтной техники. Высшее техническое образование; Свободное чтение англоязычной технической литературы Стремление к профессиональному развитию; Креативность, амбициозность, высокий уровень обучаемости, работа в команде. Условия: Официальное трудоустройство; Удобное расположение (станция Подлипки-Дачные, 5 мин.); Высокий уровень заработной платы от 80 тыс.руб. и до 130 тыс. руб. (обсуждается по итогам собеседования); График работы: 5/2, с 8.00 до 17.00; Полный социальный пакет; Работа в удобном офисе на комфортном рабочем месте; Перспективы профессионального, научного и карьерного роста; Ключевые навыки: Силовая электроника, ЭМС, AC/DC, MOSFET, IGBT, Diode, Power Modules, SiC, GaN, Конструктор поиск.doc
  23. Электронные компоненты на базе широкозонных полупроводниковых материалов, таких как карбид кремния (SiC) и нитрид галлия (GaN), становятся все более доступными и популярными. Они все чаще применяются при создании высоковольтных и мощных приложений, в частности автомобильных силовых установок и инверторов. Эти устройства позволяют работать с высокими напряжениями (от 600 В до 1700 В), а также с высокими частотами коммутаций, что обеспечивает рост эффективности, уменьшение габаритных размеров и снижение массы силовых приложений, а это в свою очередь дополнительно повышает эффективность транспортного средства. Эффективность имеет огромное значение особенно для электромобилей (EV) и автомобилей с гибридной силовой установкой (HEV). Именно высокая эффективность гарантирует увеличение дальности автономной езды и позволяет разработчикам использовать малогабаритные аккумуляторы в небольших автомобилях. Однако для работы с новыми транзисторами на базе широкозонных полупроводниковых материалов необходимы специализированные драйверы, что требует пересмотра традиционных схемных решений. Читать далее...
×
×
  • Create New...