[evgdmi 0]

Уважаемые коллеги, как сделать активной библиотеку(усилителей, смесителей, переключателей) из RF Planning?

 

А какая у Вас версия? Может нужно создать новую папку и поместить туда библиотеку? Потом ссылаться на эту папку.

[K0nstantin 4]

Никогда не доводилось внедрять в анализ статических параметров части из ЕМ-редактора. Сегодня сделал это. В результате анализ схем выполняется частично.

Создал небольшой файлик, который прикрепил. Он включается в себя транзистор с микрополосковой структурой.

На рассогласование не обращайте внимания.

Малосигнальное моделирование всегда происходило без ошибок в этом плане. Не хотят считаться такие характеристики, как например, ВАХ, P1dB. Либо считаются, но совсем коряво. В примере можно попеременно подключать TL33, B4 и B4_1.

Мои наблюдения:

- если в схеме используется стандартные элементы из схематика, всё ОК.

- из ЕМ-подсхем только не удалось добиться негативного влияния наличия сквозных отверстий. Т.е. тоже ОК.

- если полосок ЕМ-подскхемы короткий, то всё вроде адекватно считается.

- начиная с некоторой длины полоска ЕМ-подсхемы, симулятор считает всё хуже и хуже.

- в случае подключения ЕМ-структуры, успешность симуляции будет зависеть и от параметров транзистора. Например, c B4 считается хорошо и количестве затворов 12. Заменив количество заходов затвора (например, на 40), ВАХ строится, но абы как.

 

Что не так? Пробовал различные параметры сетки, разные частоты. Зная MWO, не удивлюсь, если нужно где-то снять/поставить галочку стоящую либо не стоящую по умолчанию... Может, проблема в настройках симулятора

 

AWR 10.01r. Симулятор AXIEM.

MWO.rar

Изменено 20 сентября, 2017 пользователем K0nstantin

[APEHDATOP 0]

Уважаемые коллеги, как сделать активной библиотеку(усилителей, смесителей, переключателей) из RF Planning?

А какая у Вас версия? Может нужно создать новую папку и поместить туда библиотеку? Потом ссылаться на эту папку.

13

Ух ты А я то думал :smile3046: Покажите?

[Halo_Gen 0]

13

Ух ты А я то думал :smile3046: Покажите?

А может для начала Help внимательно почитать?!! И как бы посмотреть какие библиотеки нужны для RFP? Тогда и вопросики сами собой отпадут.

 

Тут правильней будет спрашивать - где взять библиотеке для RFP, а не как их "прикрутить".

[APEHDATOP 0]

А может для начала Help внимательно почитать?!! И как бы посмотреть какие библиотеки нужны для RFP? Тогда и вопросики сами собой отпадут.

...

Тут правильней будет спрашивать - где взять библиотеке для RFP, а не как их "прикрутить".

...

:rolleyes: Как в передаче "Где логика" - Красавчик помоги

Help читал а где взять библиотеки так и не понял :05:

Изменено 24 сентября, 2017 пользователем l1l1l1
нарушение п. 3.4 Правил форума

[APEHDATOP 0]

Где взять библиотеки для RFP?

[oleg_uzh 0]

Доброго времени суток! Подскажите как правильно проводить анализ устойчивости двухкаскадных усилителей СВЧ в AWR MO? Тема ранее поднималась,но ответа не нашел. Насколько знаю во вкладке Stability (K) используется только для одного каскада.

[Sokrat 4]

Насколько знаю во вкладке Stability (K) используется только для одного каскада.

Откуда такая информация? Да там записано, что только для двух портов, но порты то в схеме могут охватывать два каскада. В книге уважаемых Резервига с Потаповым в разделе 6.3 первым идёт формула коэффициента устойчивости. В неё входят S-параметры (то есть параметры портов), а вот каких портов, я думаю Вам решать. Хотя может я и не прав.

[sp1noza 0]

Доброго времени суток! Подскажите как правильно проводить анализ устойчивости двухкаскадных усилителей СВЧ в AWR MO? Тема ранее поднималась,но ответа не нашел. Насколько знаю во вкладке Stability (K) используется только для одного каскада.

 

Если интересует что происходит между каскадами, то можно воспользоваться элементом Gamma Probe

 

https://awrcorp.com/download/faq/english/do...t_stab_analysis

[oleg_uzh 0]

Откуда такая информация? Да там записано, что только для двух портов, но порты то в схеме могут охватывать два каскада. В книге уважаемых Резервига с Потаповым в разделе 6.3 первым идёт формула коэффициента устойчивости. В неё входят S-параметры (то есть параметры портов), а вот каких портов, я думаю Вам решать. Хотя может я и не прав.

Информация с helpa от AWR. Вот здесь написано, что не подходят измерения К и В1:

 

 

Если интересует что происходит между каскадами, то можно воспользоваться элементом Gamma Probe

 

https://awrcorp.com/download/faq/english/do...t_stab_analysis

Благодарю за ответ! Попробую данный метод!

[sp1noza 0]

Благодарю за ответ! Попробую данный метод!

 

Самый универсальный теоретический метод это построение карты нулей и полюсов отклика цепи в любой точке усилителя. Я себе это представляю так (сам я этого не делал) - берем малый сигнал возмущения, ставим его в любую точку усилителя где нас интересует вопрос стабильности, находим отклик. Затем по полученному отклику находим нули и полюса (самый сложный момент) и анализируем полученное.

 

Что в принципе и реализовано в некоторых программах (не реклама):

https://www.maurymw.com/pdf/datasheets/5A-054.pdf

 

 

[APEHDATOP 0]

Так это же load-pull измерения - всё это есть в скрипте :smile3046:

 

Выглядит вот так, стоит мульён деревянных :crying: (прецезионный штангенциркуль :laughing: )

 

 

Изменено 22 октября, 2017 пользователем l1l1l1

[DbInbkuu 0]

Столкнулся с проблемой в EM-моделировании. При обычном моделировании S12,S13=-6, -7 дБм. При переходе к EM всё это дело падает в -70, -80 дбм, хотя как я понял изменения должны быть небольшими.

Прикладываю проект этого дела, может кто посмотрит, объяснит, что я сделал не так...

RX.rar

[K0nstantin 4]

Столкнулся с проблемой в EM-моделировании. При обычном моделировании S12,S13=-6, -7 дБм. При переходе к EM всё это дело падает в -70, -80 дбм, хотя как я понял изменения должны быть небольшими.

Прикладываю проект этого дела, может кто посмотрит, объяснит, что я сделал не так...

 

У Вас в ЕМ структуре физически разрыв между микрополосками (резисторов нет). Переключитесь в режим 3D, сразу увидите. Т.к. "Материал не определён" для резисторов (правый клик/свойства) по резисторам. Нужно либо назначить им свойства, либо ставить порты в разрыве и собирать это дело в Схематике.

[evgdmi 0]

Столкнулся с проблемой в EM-моделировании. При обычном моделировании S12,S13=-6, -7 дБм. При переходе к EM всё это дело падает в -70, -80 дбм, хотя как я понял изменения должны быть небольшими.

Прикладываю проект этого дела, может кто посмотрит, объяснит, что я сделал не так...

Скорее всего какие то ошибки в выборе материалов в Options/Drawing Layers. Вы сделали много разных топологий на вкладке Layout видимо для назначения резисторам и конденсаторам, однако используете только одну топологию. Но и в ней похоже что-то не так. И слоёв добавлено довольно много, но они похоже не работают. А вообще задача довольно интересная, надо будет повозиться при случае.

p.s. А в 3-D резисторы и конденсаторы могут и не отображаться даже при успешной экстракции если не установлены соответствующие опции для 3-D отображения. Но в Вашем случае действительно имеются разрывы.