[dii# 0]

постоянная времени при R=3.3k и C=всего лишь 100p уже будет 330n - треть периода 1M ) А сколько там его открытый коллектор может по току? Может, еще усилить подтяжку?

[jenya7 0]

постоянная времени при R=3.3k и C=всего лишь 100p уже будет 330n - треть периода 1M ) А сколько там его открытый коллектор может по току? Может, еще усилить подтяжку?

в принципе можно, но я катушку в блоке питания недорасчитал - кипит. экономлю на каждом милиампере. я не понимаю зачем разработчики так извратились, все чипы с которыми работал до сих пор гонят себе 20 мега, да те же тексасовские, зачем велосипед изобретать там где хорошо работает.

[k155la3 26]

Судя по осцилограмме - явный криминал.

В линию MISO (в разрыв) включите резистор 100-400 Ом. Снимите осцилограммы на обоих выводах резистора.

Если осц. одинаковая - подпален выход слейва (или лапа MISO висит в воздухе). Если разная - "садит" по входу мастера.

Думаю, ТС джентльмен, и не утаил от нас, если на линиях SPI еще что висит, или элементарно "сопля" между лапами процессора :)

 

кстати.

Опен дрейн и на нем пулап 10К. Не тянул пока не понизил частоту до 1М и пулап до 3.3К.

где в даташите упоминание об Опен дрейн для SPI ?

 

какие "подтяжки" для SPI ? На примере схемы в даташите ничего подобного нет.

Я "ставлю" на "соплю" или непропаянный вывод MISO :)

[jcxz 184]

где в даташите упоминание об Опен дрейн для SPI ?

Не опен-драйн, а Z-состояние. В которое слэйв обязан переводить MISO при снятии CS. И это не в даташите, а в описании SPI-интерфейса. Это следует из самой логики работы SPI.

 

какие "подтяжки" для SPI ? На примере схемы в даташите ничего подобного нет.

Может и нет, но как показывает практика, подтяжка по MISO часто увеличивает стабильность работы SPI на высоких SCLK (или подтяжка по MOSI/MISO в случае если с одним из слэйвов на шине используется dual-SPI).

[dii# 0]

Да, вроде, в самом деле, ОК.

---

Тьфу, не тот обвел ) на две строчки ниже )

Изменено 20 мая, 2018 пользователем Serge V Iz