Перейти к содержанию
    

Новые комплементарные пары транзисторов от российской fabless-компании

Уважаемые господа!

 

Российская fabless-компания готова предоставить инфу(даташит) + опытные образцы

биполярные комплементарные радиоционностойкие транзисторы с параметрами

 

VCEO=220В

IC=15А

fт=100MHz

 

на суд форумчан при условии:

 

1. Разрешение модератора.

2. Необходим грамотный специалист (совет форумчан), работающий желательно в данной сфере на юридическое лицо,

который заберет опытные образцы (комплементарные пары) для опробования и оценки технических характеристик данных приборов

поделится полученными данными с уважаемым обществом.

 

P.S.

На счет копирования проклятого Запада и китайских подделок прошу не беспокоится (сделано в РОССИИ по своему ноу-хау).

И еще будем признательны за совет где можно эффективней для радистов и ненакладно для нашего бюджета разместить эту информацию.

Готов ответить на все ваши вопросы пишите в личку.

 

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

Так выкладывайте даташит сюда или ссылку на сайт компании, кому интересно - оценят и закажут.

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

Как это - транзистор и fabless? Это же не микропроцессор разработать и произвести.

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

Так выкладывайте даташит сюда или ссылку на сайт компании, кому интересно - оценят и закажут.

 

Вот здесь:

прп http://rusfolder.com/44950815

рпр http://rusfolder.com/44950816

 

 

 

Как это - транзистор и fabless? Это же не микропроцессор разработать и произвести.

 

И я удивляюсь как это без фабрики можно изготавливать в России транзисторы....это же не микропроцессор!!!!

Микропроцессоры можно, а транзисторы нельзя!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!

 

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

И еще будем признательны за совет где можно эффективней для радистов и ненакладно для нашего бюджета разместить эту информацию.

Готов ответить на все ваши вопросы пишите в личку.

Вы знаете, специально для информации по компонентам существует журнал "Компоненты и Технологии"...

Если интересно, свяжитесь со мной..

Удачи...

 

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

Вы знаете, специально для информации по компонентам существует журнал "Компоненты и Технологии"...

Если интересно, свяжитесь со мной..

Удачи...

Я не могу зайти в личку, т.к. новенький

Я правильно понял, только через www.iosifk.narod.ru

 

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

Я не могу зайти в личку, т.к. новенький

Я правильно понял, только через www.iosifk.narod.ru

Почта, скайп... Все указано...

 

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

H21E нужно писать с малой буквы.

Recommended for 100W High Fidelity Audio Frequency - о, как раз вовремя для аудиофилов из соответствующей темы.

И в подзаголовке оба называются TRANSISTOR SILICON NPN EPITAXAL TYPE :laughing:

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

Прикрепил в тему

 

Большое спасибо за помощь....вот еще кому интересно на 3А (не судите строго...такой корпус ТО-220 бюджетный попался)

http://rusfolder.com/44950817 npn

http://rusfolder.com/44950818 pnp

 

 

 

H21E нужно писать с малой буквы.

Recommended for 100W High Fidelity Audio Frequency - о, как раз вовремя для аудиофилов из соответствующей темы.

И в подзаголовке оба называются TRANSISTOR SILICON NPN EPITAXAL TYPE :laughing:

 

Спасибо за подсказку...извините, ошибку исправим

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

Спасибо за подсказку...извините, ошибку исправим

тогда уж и в следующем слове :laughing:

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

Not bad. Толко лет на 20-30 припозднились for Hi Fidelity.

Там все больше МОCFET ы рулят, да и здесь желателен Дарлингтон.

H21E нужно писать с малой буквы

это всего лишь коэфициент гибридной матрицы h, применимой на низких частотах.

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

Присоединяйтесь к обсуждению

Вы можете написать сейчас и зарегистрироваться позже. Если у вас есть аккаунт, авторизуйтесь, чтобы опубликовать от имени своего аккаунта.

Гость
Ответить в этой теме...

×   Вставлено с форматированием.   Вставить как обычный текст

  Разрешено использовать не более 75 эмодзи.

×   Ваша ссылка была автоматически встроена.   Отображать как обычную ссылку

×   Ваш предыдущий контент был восстановлен.   Очистить редактор

×   Вы не можете вставлять изображения напрямую. Загружайте или вставляйте изображения по ссылке.

×
×
  • Создать...